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2023年3月2日，成都銳成芯微科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱：“銳成芯微”“Actt”）宣布，公司推出基于BCD工藝平臺(tái)的LogicFlash Pro? eFlash IP產(chǎn)品，其特點(diǎn)是在BCD工藝節(jié)點(diǎn)上僅增加三層光罩，使得模擬芯片與控制芯片得以合二為一。
BCD+eFlash工藝平臺(tái)需求日益強(qiáng)烈
嵌入式存儲(chǔ)IP被廣泛應(yīng)用于需要存儲(chǔ)代碼程序、關(guān)鍵數(shù)據(jù)或其他重要信息的芯片，如智能卡，SIM卡，MCU，電源/電池管理芯片和顯示驅(qū)動(dòng)器芯片等。近年來，隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，對(duì)芯片中存儲(chǔ)IP的可靠性、穩(wěn)定性、安全性、存儲(chǔ)容量、操作性能都提出了更高要求。
模擬芯片大多采用BCD工藝平臺(tái)來實(shí)現(xiàn)，比如電源管理芯片、電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片、照明驅(qū)動(dòng)芯片、快充/無線充芯片、BMS電池管理系統(tǒng)中的模擬前端芯片等。BCD （Bipolar-CMOS-DEMOS）工藝通過集成高驅(qū)動(dòng)能力的Bipolar器件、高集成度低功耗的 CMOS 器件和耐高壓高頻的 DEMOS 器件，實(shí)現(xiàn)了單片晶圓生產(chǎn)功率、模擬和數(shù)字信號(hào)電路。
近些年隨著終端產(chǎn)品的智能化和小型化，模擬芯片如能和控制芯片集成在一顆芯片中，將大幅提高系統(tǒng)性能并節(jié)省BOM成本。比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片中可以同時(shí)集成前置驅(qū)動(dòng)、運(yùn)放、線性穩(wěn)壓器和MCU控制芯片，做到四合一；再比如無線充電芯片中可以同時(shí)集成無線充/快充協(xié)議芯片，電源管理芯片，收發(fā)芯片和MCU控制芯片等。傳統(tǒng)的MCU控制芯片一般采用eFlash工藝，需要利用平臺(tái)上的非揮發(fā)存儲(chǔ)器來存儲(chǔ)或運(yùn)行程序代碼。因此，隨著模擬芯片的集成度、智能化越來越高， BCD+eFlash的工藝平臺(tái)需求也日益強(qiáng)烈。
銳成芯微推出eFlash IP ，在BCD工藝基礎(chǔ)上只增加三層光罩
從工藝集成的角度來看，將BCD工藝中的DEMOS高壓器件和eFlash做到一起并非易事。高壓DEMOS器件關(guān)注的是如何減小器件的開態(tài)電阻，如何提高擊穿電壓；而eFlash關(guān)注的是數(shù)據(jù)保持能力，存儲(chǔ)器讀/寫速度，存儲(chǔ)單元的面積，額外光罩層次。在工藝開發(fā)時(shí)，經(jīng)常遇到一個(gè)難點(diǎn)，這兩種器件都需要增加光罩，修改工藝，這會(huì)同時(shí)影響到高壓和存儲(chǔ)器件，怎樣進(jìn)行權(quán)衡？
銳成芯微經(jīng)過長期的技術(shù)研發(fā)，提出了創(chuàng)新性的eFlash器件結(jié)構(gòu)，并開發(fā)了LogicFlash Pro?完整的eFlash解決方案。得益于該技術(shù)獨(dú)特的實(shí)現(xiàn)方式，大大簡(jiǎn)化了業(yè)界流行的eFlash技術(shù)的光罩層數(shù)和工藝步驟，并且在BCD工藝上只需增加三層光罩便可實(shí)現(xiàn)eFlash，不僅維持了原有高壓器件的高性能，也增加了具有高可靠性的eFlash，能幫助芯片企業(yè)將模擬芯片和控制芯片合二為一，有效控制整體的系統(tǒng)成本。
銳成芯微基于BCD工藝的eFlash IP已展現(xiàn)優(yōu)異的測(cè)試性能和結(jié)果，包括125℃高溫操作壽命大于1000小時(shí)， 125℃的高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力超過10年，擦除寫入次數(shù)大于10萬次。該IP方案已被知名汽車芯片廠商采用。
銳成芯微的嵌入式存儲(chǔ)IP，經(jīng)過十多年的技術(shù)積累和迭代，已發(fā)展了包括MTP，OTP，eFlash等眾多產(chǎn)品線，不僅在BCD工藝平臺(tái)，也適用于更多邏輯工藝平臺(tái)。銳成芯微持續(xù)通過差異化路線，幫助芯片廠商加速產(chǎn)品上市時(shí)間，迅速占領(lǐng)市場(chǎng)，得益于其在性能、良率、可靠性以及出貨量方面表現(xiàn)突出，已廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類、通信類，以及工控和汽車電子等領(lǐng)域。
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BCD+eFlash工藝平臺(tái)需求日益強(qiáng)烈
嵌入式存儲(chǔ)IP被廣泛應(yīng)用于需要存儲(chǔ)代碼程序、關(guān)鍵數(shù)據(jù)或其他重要信息的芯片，如智能卡，SIM卡，MCU，電源/電池管理芯片和顯示驅(qū)動(dòng)器芯片等。近年來，隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，對(duì)芯片中存儲(chǔ)IP的可靠性、穩(wěn)定性、安全性、存儲(chǔ)容量、操作性能都提出了更高要求。
模擬芯片大多采用BCD工藝平臺(tái)來實(shí)現(xiàn)，比如電源管理芯片、電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片、照明驅(qū)動(dòng)芯片、快充/無線充芯片、BMS電池管理系統(tǒng)中的模擬前端芯片等。BCD （Bipolar-CMOS-DEMOS）工藝通過集成高驅(qū)動(dòng)能力的Bipolar器件、高集成度低功耗的 CMOS 器件和耐高壓高頻的 DEMOS 器件，實(shí)現(xiàn)了單片晶圓生產(chǎn)功率、模擬和數(shù)字信號(hào)電路。
近些年隨著終端產(chǎn)品的智能化和小型化，模擬芯片如能和控制芯片集成在一顆芯片中，將大幅提高系統(tǒng)性能并節(jié)省BOM成本。比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片中可以同時(shí)集成前置驅(qū)動(dòng)、運(yùn)放、線性穩(wěn)壓器和MCU控制芯片，做到四合一；再比如無線充電芯片中可以同時(shí)集成無線充/快充協(xié)議芯片，電源管理芯片，收發(fā)芯片和MCU控制芯片等。傳統(tǒng)的MCU控制芯片一般采用eFlash工藝，需要利用平臺(tái)上的非揮發(fā)存儲(chǔ)器來存儲(chǔ)或運(yùn)行程序代碼。因此，隨著模擬芯片的集成度、智能化越來越高， BCD+eFlash的工藝平臺(tái)需求也日益強(qiáng)烈。
銳成芯微推出eFlash IP ，在BCD工藝基礎(chǔ)上只增加三層光罩
從工藝集成的角度來看，將BCD工藝中的DEMOS高壓器件和eFlash做到一起并非易事。高壓DEMOS器件關(guān)注的是如何減小器件的開態(tài)電阻，如何提高擊穿電壓；而eFlash關(guān)注的是數(shù)據(jù)保持能力，存儲(chǔ)器讀/寫速度，存儲(chǔ)單元的面積，額外光罩層次。在工藝開發(fā)時(shí)，經(jīng)常遇到一個(gè)難點(diǎn)，這兩種器件都需要增加光罩，修改工藝，這會(huì)同時(shí)影響到高壓和存儲(chǔ)器件，怎樣進(jìn)行權(quán)衡？
銳成芯微經(jīng)過長期的技術(shù)研發(fā)，提出了創(chuàng)新性的eFlash器件結(jié)構(gòu)，并開發(fā)了LogicFlash Pro?完整的eFlash解決方案。得益于該技術(shù)獨(dú)特的實(shí)現(xiàn)方式，大大簡(jiǎn)化了業(yè)界流行的eFlash技術(shù)的光罩層數(shù)和工藝步驟，并且在BCD工藝上只需增加三層光罩便可實(shí)現(xiàn)eFlash，不僅維持了原有高壓器件的高性能，也增加了具有高可靠性的eFlash，能幫助芯片企業(yè)將模擬芯片和控制芯片合二為一，有效控制整體的系統(tǒng)成本。
銳成芯微基于BCD工藝的eFlash IP已展現(xiàn)優(yōu)異的測(cè)試性能和結(jié)果，包括125℃高溫操作壽命大于1000小時(shí)， 125℃的高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力超過10年，擦除寫入次數(shù)大于10萬次。該IP方案已被知名汽車芯片廠商采用。
銳成芯微的嵌入式存儲(chǔ)IP，經(jīng)過十多年的技術(shù)積累和迭代，已發(fā)展了包括MTP，OTP，eFlash等眾多產(chǎn)品線，不僅在BCD工藝平臺(tái)，也適用于更多邏輯工藝平臺(tái)。銳成芯微持續(xù)通過差異化路線，幫助芯片廠商加速產(chǎn)品上市時(shí)間，迅速占領(lǐng)市場(chǎng)，得益于其在性能、良率、可靠性以及出貨量方面表現(xiàn)突出，已廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類、通信類，以及工控和汽車電子等領(lǐng)域。
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