16日，三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)
2019-04-18 15:48:47
6010 韓國《中央日?qǐng)?bào)》發(fā)布消息稱，三星電子已成功研發(fā)出5納米(nm)半導(dǎo)體工藝，并于4月中正式量產(chǎn)首個(gè)利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對(duì)于新一代半導(dǎo)體的精密工藝問題，三星電子與各企業(yè)間的技術(shù)較量
2019-05-22 10:25:424668 ，臺(tái)積電目前的7nm已經(jīng)廣泛應(yīng)用在各大半導(dǎo)體企業(yè)的芯片當(dāng)中，如麒麟980、蘋果A12等。臺(tái)積電方面也表示，7nm是其產(chǎn)能提升最快的一代工藝。 目前公開的信息顯示，臺(tái)積電7nm工藝共有兩代，第一代在2018年4月份大規(guī)模投產(chǎn)，第二代，將EUV（極紫外光）技術(shù)引入進(jìn)7nm的商業(yè)生產(chǎn)當(dāng)
2020-08-23 08:23:005212 。IBM、聯(lián)電今天共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同參與10nm CMOS工藝的開發(fā)。IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟是一個(gè)由IBM領(lǐng)導(dǎo)的半導(dǎo)體行業(yè)組織，成立已有數(shù)十年，成員包括
2013-06-15 11:24:471043 將會(huì)采用極紫外光微影（EUV）已達(dá)成令人印象深刻的進(jìn)展，不過因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">EUV量產(chǎn)方面遭遇的挑戰(zhàn)，臺(tái)積電看來會(huì)是率先讓7納米制程上市的半導(dǎo)體廠商。
2016-10-25 10:08:59981 手機(jī)性能越來越強(qiáng)勁離不開半導(dǎo)體制程的進(jìn)步，明年手機(jī)處理器將會(huì)進(jìn)入10nm時(shí)代。高通驍龍835、聯(lián)發(fā)科Helio X30、蘋果A11處理器都將采用10nm制程，因此晶圓代工廠商臺(tái)積電、英特爾、三星等也在紛紛搶進(jìn)10nm、7nm先進(jìn)半導(dǎo)體制程。不過，市場真的能跟上先進(jìn)半導(dǎo)體制程的腳步嗎？
2016-12-27 15:47:02922 推動(dòng)科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會(huì)停滯不前嗎？這也不太可能，7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開始應(yīng)用EUV光刻工藝，研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會(huì)支持未來15年，部分客戶已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。
2017-01-22 11:45:423424 三星與臺(tái)積電工藝之戰(zhàn)從三星跳過20nm工藝而直接開發(fā)14nmFinFET打響，從10nm到如今的7nm之爭，無論誰領(lǐng)先一步，都是半導(dǎo)體工藝的重大突破。 在半導(dǎo)體代工市場上，臺(tái)積電一直都以領(lǐng)先的工藝
2017-03-02 01:04:491675 在三星決定7nm率先導(dǎo)入EUV后，讓EUV輸出率獲得快速提升，臺(tái)積電決定在7nm強(qiáng)化版提供客戶設(shè)計(jì)定案，5nm才決定全數(shù)導(dǎo)入。
2017-08-23 08:38:231779 近日見到一文7nm大戰(zhàn)在即買不到EUV光刻機(jī)的大陸廠商怎么辦？。 受瓦圣納條約的限止，今天中國即便有錢想買EUV光刻機(jī)也不可能，此話是事實(shí)，不是危言聳聽。但是也不必?fù)?dān)心，因?yàn)橹挥?b class="flag-6" style="color: red">工藝制程達(dá)到7納米
2017-11-23 14:41:019802 根據(jù)全球唯一能供應(yīng)EUV光刻機(jī)機(jī)臺(tái)的ASML最新官方消息揭露，截至2018年底，已對(duì)全球晶圓大廠供應(yīng)29臺(tái)EUV機(jī)臺(tái)(2017年占11臺(tái))，且2019年有望再出貨30臺(tái)EUV機(jī)臺(tái)。從2019年全球EUV機(jī)臺(tái)倍數(shù)成長的現(xiàn)象觀察可知，2019年將是7nm EUV半導(dǎo)體產(chǎn)品元年。
2019-03-07 14:35:471108 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
Tock步伐，工藝進(jìn)步至7nm，首款產(chǎn)品為面向數(shù)據(jù)中心的GPU。在7nm工藝方面，英特爾提出，光刻技術(shù)將成為7nm乃至更新工藝制程的挑戰(zhàn)。英特爾計(jì)劃在進(jìn)入7nm后才使用EUV光刻（意味著目前的10nm產(chǎn)品
2020-07-07 11:38:14
7nm新工藝的加持：RX 5500 XT可輕輕松松突破2GHz
2021-06-26 07:05:34
ofweek電子工程網(wǎng)訊 國際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺(tái)積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)（EUV）的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
本文摘自《手機(jī)風(fēng)暴》（Mobile Unleashed），文章詳細(xì)介紹了三星半導(dǎo)體的歷史。原文詳見：https://www.semiwiki.com/forum/content
2021-07-28 07:32:28
` 本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-21 16:55 編輯
觀點(diǎn)：三星是全球第一大半導(dǎo)體資本支出大廠，但由于受經(jīng)濟(jì)疲軟、需求下滑的影響，導(dǎo)致市況不斷萎縮。再加上蘋果訂單的“失之交臂
2012-09-21 16:53:46
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
三星電子近日在國際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
通與網(wǎng)絡(luò)巨擘主導(dǎo)的世界多所著墨，但對(duì)于東亞大廠如何整合尖端制造技術(shù)，結(jié)合云端服務(wù)商機(jī)的論述卻相對(duì)有限。南韓三星的超大型投資南韓是世界級(jí)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國，三星電子(Samsung Electronics)針對(duì)
2018-12-25 14:31:36
韓國《每日經(jīng)濟(jì)新聞》3月15日消息，三星電子已在日本建立一個(gè)新的半導(dǎo)體研發(fā)中心，將現(xiàn)有的兩個(gè)研發(fā)機(jī)構(gòu)合二為一，旨在推進(jìn)其芯片技術(shù)并雇傭更多優(yōu)秀研發(fā)人員。據(jù)報(bào)道，三星電子于去年年底重組在日本橫濱和大阪
2023-03-15 14:04:55
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體制冷片控制板開發(fā)技術(shù)需要用到的功能模塊有哪些？有知道的朋友嗎？展開講講？
2022-05-22 18:26:09
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
/5nm等邏輯工藝，還會(huì)用在DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)上。 早前，三星還宣布，其位于華城的V1工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)。據(jù)悉，V1廠為三星第一條專門生產(chǎn)EUV技術(shù)的生產(chǎn)線，該工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)的產(chǎn)品為7nm 7
2020-02-27 10:42:16
的柵長（下圖中的線寬）。第三，單點(diǎn)技術(shù)突破難構(gòu)成半導(dǎo)體制造工序的最小單位的工藝技術(shù)就是單點(diǎn)技術(shù)，或者組件技術(shù)。集成電路制造就是在硅片上執(zhí)行一系列復(fù)雜的化學(xué)或者物理操作。復(fù)雜電路的制造工序超過500道
2020-09-02 18:02:47
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
~ 3,000三、半導(dǎo)體制程設(shè)備 半導(dǎo)體制程概分為三類：(1)薄膜成長，(2)微影罩幕，(3)蝕刻成型。設(shè)備也跟著分為四類：(a)高溫爐管，(b)微影機(jī)臺(tái)，(c)化學(xué)清洗蝕刻臺(tái)，(d)電漿真空腔室
2011-08-28 11:55:49
國內(nèi)的通富微電成為AMD 7nm芯片的封測廠商之一
2020-12-30 07:48:47
`這幾年以來，國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動(dòng)DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09
感到非常鼓舞人心。我們已與用戶設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)密切合作，設(shè)計(jì)能夠在高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上應(yīng)對(duì)日益升級(jí)的技術(shù)挑戰(zhàn)的平臺(tái)。通過使用7nm Fusion Design Platform，設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)能夠顯著提高生產(chǎn)力，增加
2020-10-22 09:40:08
7nm移動(dòng)處理器，采用全新A76架構(gòu)，相比蘋果的A12要早了半個(gè)月，而驍龍的855和三星的Exynos 9820要到年底甚至是明年年初才會(huì)正式公布量產(chǎn)?？梢姡?b class="flag-6" style="color: red">7納米制造工藝并不是中國芯難以翻越的大山
2018-09-05 14:38:53
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
以些許性能優(yōu)勢擊敗三星，并使其16nm工藝于隔年獨(dú)拿了Apple的A10處理器(iPhone 7)訂單。2017年，三星卷土重來，自主設(shè)計(jì)了10nm技術(shù)工藝的Exynos8895(名稱源于希臘單詞
2018-06-14 14:25:19
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢？面對(duì)美國的技術(shù)突破，中國應(yīng)該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
半導(dǎo)體為代表的歐洲半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)和公司相繼迎來技術(shù)突破，快速發(fā)展，為MRAM的商業(yè)化應(yīng)用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導(dǎo)體簽訂28nm FD-SOI技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議，授權(quán)三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
，光源是ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機(jī)，但是到了7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和臺(tái)積電都會(huì)在7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)引入極紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
45-50臺(tái)的交付量。這其中很大一部分都供給了臺(tái)積電，用于擴(kuò)充5nm，以及7nm產(chǎn)能。中微半導(dǎo)體除光刻機(jī)之外，蝕刻機(jī)也是5nm制程工藝不可缺少的，目前，全球高端刻蝕機(jī)玩家僅剩下應(yīng)用材料、Lam
2020-03-09 10:13:54
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
Intel基帶，電信版換用驍龍芯片。三、工藝制程三星計(jì)劃引進(jìn)半導(dǎo)體光刻頂級(jí)供應(yīng)商ASML的NXE3400光刻機(jī)，通過極紫光（EUV）微影技術(shù)實(shí)現(xiàn)7nm制程工藝，時(shí)間節(jié)點(diǎn)為2017年上半年?？紤]到我們是個(gè)
2017-08-12 15:26:44
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工藝從目前的7nm升級(jí)到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
半導(dǎo)體公司Dialog負(fù)責(zé)，博通供應(yīng)無線網(wǎng)路芯片，以及NXP負(fù)責(zé)NFC芯片。關(guān)于最重要的A10芯片，蘋果一改此前雙芯片供應(yīng)商的策略，即由三星和臺(tái)積電負(fù)責(zé)；以去年A9為例，就是分別采用臺(tái)積電16nm芯片
2016-07-21 17:07:54
1662.53億元人民幣），同比增長10.6%，稅后凈利3065.74億元新臺(tái)幣（約為604.26億元人民幣），同比增長16.2%，成績可喜。對(duì)于先進(jìn)制程，臺(tái)積電透露，7nm、10nm研發(fā)順利進(jìn)行，今年Q1
2016-01-25 09:38:11
目前的GS464V升級(jí)到LA664，因此單核性能有較大提升，達(dá)到市場上主流設(shè)計(jì)。至于未來的工藝，龍芯表示目前公司針對(duì)7nm的工藝制程對(duì)不同廠家的工藝平臺(tái)做評(píng)估，不過他們沒有透露什么時(shí)候跟進(jìn)7nm工藝
2023-03-13 09:52:27
圖解半導(dǎo)體制程概論1
█ 半導(dǎo)體的物理特性及電氣特性
【
2010-03-01 17:00:496880 臺(tái)積電(TSMC)表示在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)以下，半導(dǎo)體制程微縮的最大挑戰(zhàn)來自于經(jīng)濟(jì)，并非技術(shù)。
2011-11-01 09:34:33960 2015年以來，英特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）紛紛發(fā)力16/14nm FinFET工藝，而當(dāng)下芯片廠商正爭相蓄力2017款10nm半導(dǎo)體制造工藝。隨著高通CEO爆料，高通2017
2016-08-19 14:34:10809 ，拉開了下下代半導(dǎo)體工藝競爭的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC會(huì)議上公布了自家的7nm工藝進(jìn)展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工藝的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工藝
2017-02-11 02:21:11277 
據(jù)韓國ETnews報(bào)道稱，在7nm工藝上，三星已經(jīng)深知落后臺(tái)積電不少，后者除了手握蘋果、聯(lián)發(fā)科、華為客戶外，還憑借7nm工藝把高通新一代驍龍?zhí)幚砥饔唵螕屪撸@是三星所不能忍。
2017-06-27 14:20:53647 隨著智能手機(jī)的發(fā)展，半導(dǎo)體工藝也急速提升，從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導(dǎo)體代工廠們每天爭相發(fā)布最新的工藝制程，讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知道有啥用。
2018-06-10 01:38:0046910 本周在火奴魯魯舉行的VLSI（超大規(guī)模集成電路）研討會(huì)上，三星首次分享了基于EUV技術(shù)的7nm工藝細(xì)節(jié)。
2018-06-22 15:16:00967 EUV被認(rèn)為是推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造更小芯片的重要里程碑，但是根據(jù)目前的EUV微影技術(shù)發(fā)展進(jìn)程來看，10奈米（nm）和7nm制程節(jié)點(diǎn)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，就是5nm仍存在很大的挑戰(zhàn)。
2018-01-24 10:52:392279 
三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，三星、高通宣布擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)合作，包含高通下一代5G移動(dòng)芯片，將采用三星7納米LPP（Low-Power Plus）極紫外光（EUV）制程。 新聞稿指出，通過7納米LPP
2018-02-23 07:31:561279 在三星和臺(tái)積電的搶奪蘋果訂單過程中，臺(tái)積電近年憑借優(yōu)異的晶圓代工技術(shù)和龐大產(chǎn)能，在20nm、10nm及7nm三個(gè)工藝階段全都拿下了蘋果大單，全面領(lǐng)先三星。而三星從未言敗一直密謀分食訂單，7nm工藝
2018-04-07 00:30:008927 的一個(gè)關(guān)鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭，三星此前也已經(jīng)宣布了其7nm LPP工藝將會(huì)在2018年下半年投入生產(chǎn)，此外，在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上，三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術(shù)。
2018-05-25 11:09:003532 5nm、4nm、3nm工藝，直逼 這兩年，三星電子、臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔，雖然有技術(shù)之爭但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭的事實(shí)。
2018-06-08 07:12:003708 臺(tái)積電已經(jīng)在著手將其7nm制程工藝擴(kuò)大到大規(guī)模生產(chǎn)，臺(tái)積電的7nm制程工藝被稱作N7，將會(huì)在今年下半年開始產(chǎn)能爬坡。
2018-06-12 15:14:413315 另外，7nm EUV的好處還在于，比多重曝光的步驟要少，也就是相同時(shí)間內(nèi)的產(chǎn)量將提升。當(dāng)然，這里說的是最理想的情況， 比如更好的EUV薄膜以減少光罩的污染、自修正機(jī)制過關(guān)堪用等。三星稱，7nm EUV若最終成行，將被證明是成本更優(yōu)的方案。
2018-06-22 15:53:453469 晶圓代工巨頭企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格芯），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7nm制程便已經(jīng)好似近在眼前。
2018-09-28 14:49:554147 隨著市場對(duì)芯片集成度和功耗的新要求，半導(dǎo)體工藝也在不斷的進(jìn)步，從90nm到65nm，再到28nm、10nm……如今，全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制程工藝可達(dá)7nm，英特爾、三星、臺(tái)積電、格羅方德等知名的半導(dǎo)體代工企業(yè)均有這樣的實(shí)力。
2018-10-11 14:33:3712642 目前三星宣布已經(jīng)完成了整套7nm EUV工藝的技術(shù)流程開發(fā)以及產(chǎn)線部署，進(jìn)入了可量產(chǎn)階段。三星表示7nm LPP工藝可以減少20%的光學(xué)掩模流程，整個(gè)制造過程更加簡單了，節(jié)省了時(shí)間和金錢，又可以實(shí)現(xiàn)40%面積能效提升、性能增加20%、功耗降低50%目標(biāo)。
2018-10-19 10:51:363698 和1Xnm半導(dǎo)體工藝的百花齊放相比，個(gè)位數(shù)的制程就顯得單調(diào)許多了，很多在10Xnm大放異彩的半導(dǎo)體公司都在7nm制程處遭遇到了苦頭。
2018-10-26 15:40:3116638 現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)使用的是波長13.5nm的極紫外光，而普通的DUV光刻機(jī)使用的是193nm的深紫外光，所以升級(jí)到EUV光刻機(jī)可以大幅提升半導(dǎo)體工藝水平，實(shí)現(xiàn)7nm及以下工藝。
2018-11-01 09:44:264269 三星將使用7nm EUV工藝為IBM代工Power處理器。IBM 的Power 系列處理器正式邁入7 nm制程。
2019-03-04 10:32:542936 臺(tái)積電指出，5nm制程將會(huì)完全采用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，因此可帶來EUV技術(shù)提供的制程簡化效益。5nm制程能夠提供全新等級(jí)的效能及功耗解決方案，支援下一代的高端移動(dòng)及高效能運(yùn)算需求的產(chǎn)品。目前，其他晶元廠的7nm工藝尚舉步維艱，在5nm時(shí)代臺(tái)積電再次領(lǐng)先。
2019-04-04 16:05:571660 包括7nm批量生產(chǎn)和6nm產(chǎn)品的流片, 三星電子在基于EUV技術(shù)的先進(jìn)制程工藝開發(fā)上取得重大進(jìn)展 4月16日,三星電子宣布，其5nm FinFET( 鰭式場效應(yīng)晶體管)工藝技術(shù)已經(jīng)開發(fā)完成，該技術(shù)
2019-04-18 20:48:54272 重點(diǎn)是7nm、5nm工藝的半導(dǎo)體制造裝備。
2019-04-29 10:54:353027 緊隨其后的是三星，在臺(tái)積電之后也成功實(shí)現(xiàn)了7nm 制程的量產(chǎn)，所不同的是，三星提前使用了EUV光刻技術(shù)來進(jìn)行7nm 工藝，而臺(tái)積電則把EUV留到了5nm 以后的制程。但是，相對(duì)而言，三星的7nm 工藝不如臺(tái)積電的7nm 工藝，臺(tái)積電也因此在7nm 制程工藝上斬獲了大量的訂單。
2019-05-14 11:53:4921344 通過使用三星7nm EUV工藝代替臺(tái)積電的7nm工藝，Nvidia可能能夠獲得更多供應(yīng)。
2019-06-10 09:06:126225 近兩年先進(jìn)半導(dǎo)體制造主要是也終于迎來了EUV光刻機(jī)，這也使7nm之后的工藝發(fā)展得以持續(xù)進(jìn)行下去。臺(tái)積電和三星都對(duì)自家工藝發(fā)展進(jìn)行了規(guī)劃，現(xiàn)在兩家已經(jīng)逐步開始進(jìn)行7nm EUV工藝的量產(chǎn)，隨后還有5nm工藝及3nm工藝。
2019-07-24 11:45:422702 日前，高通發(fā)布了新一代旗艦平臺(tái)驍龍865、主流平臺(tái)驍龍765/765G，分別采用臺(tái)積電7nm、三星8nm工藝制造。那么，高通為何在兩個(gè)平臺(tái)上使用兩種工藝？驍龍865為何沒用最新的7nm EUV？5nm方面高通有何規(guī)劃？
2019-12-09 17:23:236488 目前，三星7nm EUV技術(shù)已經(jīng)量產(chǎn)，在2019下半年將完成的韓國華城7nm EUV工藝生產(chǎn)線，將在2020年1月份量產(chǎn)，5nm制程也計(jì)劃在2020年上半年量產(chǎn)，3nm制程預(yù)計(jì)在2021年進(jìn)入量產(chǎn)，正在不斷趕上臺(tái)積電。
2019-11-14 16:03:492738 高通發(fā)布了新一代旗艦平臺(tái)驍龍865、主流平臺(tái)驍龍765/765G，分別采用臺(tái)積電7nm、三星8nm工藝制造。那么，高通為何在兩個(gè)平臺(tái)上使用兩種工藝？驍龍865為何沒用最新的7nm EUV？5nm方面高通有何規(guī)劃？
2019-12-09 17:56:293685 高通今年發(fā)布的驍龍765系列處理器使用了三星的7nm EUV，這意味著三星的7nm工藝也可以量產(chǎn)了，這對(duì)其他半導(dǎo)體公司來說也是一個(gè)機(jī)遇，因?yàn)榕_(tái)積電的7nm產(chǎn)能現(xiàn)在要搶，AMD的銳龍3000高端型號(hào)也遭遇了供不應(yīng)求的問題，那AMD會(huì)使用三星代工嗎？
2019-12-12 10:54:243116 月初的驍龍峰會(huì)，高通發(fā)布了驍龍865、驍龍765/765G等SoC產(chǎn)品。兩款產(chǎn)品除了有著集成5G基帶與否的區(qū)別，制造工藝也略有不同，驍龍865采用的是成熟的臺(tái)積電7nm DUV，而驍龍765系列則是交由三星7nm EUV代工。
2019-12-20 15:48:398430 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開發(fā)。
2020-01-06 16:13:073254 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033215 和華為麒麟990用的就是這工藝，Intel也打算在他們的7nm節(jié)點(diǎn)上切入到EUV工藝，為什么這些半導(dǎo)體巨頭們都在追捧EUV工藝呢？
2020-02-29 10:58:473149 和華為麒麟990用的就是這工藝，Intel也打算在他們的7nm節(jié)點(diǎn)上切入到EUV工藝，為什么這些半導(dǎo)體巨頭們都在追捧EUV工藝呢？
2020-02-29 11:42:4529308 2020年，全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝要從7nm升級(jí)到5nm了，臺(tái)積電最近上半年就開始量產(chǎn)5nm EUV工藝，而三星也加碼投資，預(yù)計(jì)6月底完成5nm EUV生產(chǎn)線。
2020-03-13 08:35:012624 CFan曾在《芯希望來自新工藝！EUV和GAAFET技術(shù)是個(gè)什么鬼？》一文中解讀過EUV（極紫外光刻），它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù)，特別是在5nm3nm這個(gè)關(guān)鍵制程節(jié)點(diǎn)上，沒有
2020-09-01 14:00:292234 工藝制程走入10nm以下后，臺(tái)積電的優(yōu)勢開始顯現(xiàn)出來。在7nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電優(yōu)先確保產(chǎn)能，以DUV（深紫外光刻）打頭陣，結(jié)果進(jìn)度領(lǐng)先三星的7nm EUV，吃掉大量訂單，奠定了巨大優(yōu)勢。
2020-09-02 16:00:292684 8nm、7nm、5nm.。..在品牌大廠的耳濡目染之中，極易讓我們產(chǎn)生一絲錯(cuò)覺，即所有半導(dǎo)體廠商都在瘋狂研發(fā)先進(jìn)制程，或者說先進(jìn)制程才是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的絕對(duì)主流。
2020-10-15 10:47:3810610 Exynos 1080處理器的終端產(chǎn)品。因?yàn)镋xynos 1080 采用三星最新的5nm EUV 制程工藝，相比 7nm EUV 芯片面積
2020-11-12 18:13:203186 在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入7nm之后，EUV光刻機(jī)就成為兵家必備大殺器了，全球也只有ASML公司能生產(chǎn)，單價(jià)達(dá)到10億人民幣一臺(tái)。不過在EUV技術(shù)上，ASML還真不一定就是第一，專利比三星還少。
2020-11-17 09:33:371298 臺(tái)積電、三星在2022年就有可能將制程工藝推到2nm，AMD、蘋果、高通、NVIDIA等公司也會(huì)跟著受益，現(xiàn)在自己生產(chǎn)芯片的就剩下Intel了，然而它們的7nm工藝已經(jīng)延期到至少2021年了。
2020-11-18 09:52:511857 MEMS工藝——半導(dǎo)體制造技術(shù)說明。
2021-04-08 09:30:41
237 這還要從三星正式推出8nm制程說起。2017年5月，三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部在美國圣克拉拉舉行的三星代工論壇上，公布了其未來幾年的制程工藝路線圖，其中，8nm首次正式亮相。當(dāng)年10月，三星即宣布已完成8nm LPP工藝驗(yàn)證，具備量產(chǎn)條件。
2021-05-18 14:19:296086 臺(tái)積電和三星從7nm工藝節(jié)點(diǎn)就開始應(yīng)用EUV光刻層了，并且在隨后的工藝迭代中，逐步增加半導(dǎo)體制造過程中的EUV光刻層數(shù)。
2022-05-13 14:43:202077 
在探討半導(dǎo)體行業(yè)時(shí)，我們經(jīng)常會(huì)聽到兩個(gè)概念：晶圓尺寸和工藝節(jié)點(diǎn)。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個(gè)重要的概念。
2023-06-06 10:44:001423 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
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