長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片投產(chǎn) 力爭(zhēng)未來成為這個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)先者

最新消息，今天在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會(huì)上，總投資約1500億元的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn)，其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶圓。投產(chǎn)的8Gb DDR4已經(jīng)通過了多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。

花錢買來的技術(shù)

在如今的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，三星，SK海力士，美光牢牢把持著內(nèi)存市場(chǎng)，這三家的專利對(duì)后來者形成了一種巨大的壁壘，然而長(zhǎng)鑫是如何突破重圍的呢？這就要提一家已經(jīng)破產(chǎn)了的公司——奇夢(mèng)達(dá)。這家公司還活著的時(shí)候，是能夠與三巨頭分庭抗禮的存在，當(dāng)年全球 DRAM 技術(shù)架構(gòu)分為兩大陣營(yíng)，一種是溝槽式技術(shù)（Trench），以奇夢(mèng)達(dá)為代表，另一種是堆疊式技術(shù)（Stacking），包括三星、SK 海力士、美光等都是代表。

奇夢(mèng)達(dá)在溝槽式技術(shù)（Trench）遇到技術(shù)瓶頸之后，立刻轉(zhuǎn)向堆疊式技術(shù) Buried Wordline （埋入式閘極字元線連結(jié)），并且成功的以65 nm 工藝試產(chǎn)，生產(chǎn) 1Gb 的 DDR2 產(chǎn)品，更重要的是，46 nm 產(chǎn)品已在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行研發(fā)完成，其 46 nm 的 Buried Wordline 技術(shù)與上一代 58 nm 技術(shù)相較，晶圓數(shù)量增加達(dá)到 1 倍，當(dāng)時(shí)業(yè)界認(rèn)為奇夢(mèng)達(dá)雖然剛從溝槽式，成功轉(zhuǎn)至堆疊式，但 BuriedWordline 技術(shù)非常具有競(jìng)爭(zhēng)力。

可惜的是，奇夢(mèng)達(dá)沒有熬到智能機(jī)爆發(fā)就已經(jīng)撐不下去了，沒有錢投入全新的 Buried Wordline 技術(shù)，公司后來宣布破產(chǎn)收?qǐng)?，成?DRAM 產(chǎn)業(yè)史上徒留遺憾的一頁(yè)。奇夢(mèng)達(dá)倒下后，幾經(jīng)輾轉(zhuǎn)，長(zhǎng)鑫將奇夢(mèng)達(dá)一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中，成功規(guī)避美光、三星、SK 海力士的技術(shù)專利問題，而且是花錢就可以買到的技術(shù)，這也是長(zhǎng)鑫最初的技術(shù)來源之一。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在所接收技術(shù)和國(guó)際合作的基礎(chǔ)上，利用專用研發(fā)線，耗資超過25億美元，展開世界速度的快速迭代，并且行事低調(diào)的長(zhǎng)鑫已經(jīng)擁有16000項(xiàng)專利。

意料之外的10nm

合肥長(zhǎng)鑫成立于2016年6月，該項(xiàng)目是迄今為止安徽省單體投資規(guī)模最大的工業(yè)項(xiàng)目，將建成國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的首個(gè)自主研發(fā) DRAM 制造基地。按照原有計(jì)劃，合肥長(zhǎng)鑫的節(jié)奏是這樣的：2018年底，合肥長(zhǎng)鑫將開始生產(chǎn)8Gb DDR4存儲(chǔ)器的工程樣品；2019年底有望達(dá)到2萬(wàn)片/月的產(chǎn)能；2020年再開始規(guī)劃二廠廠房的建設(shè)；2021年要完成對(duì)17nm工藝節(jié)點(diǎn)的技術(shù)研發(fā)。

如今長(zhǎng)鑫儲(chǔ)存剛好趕在十一這個(gè)節(jié)點(diǎn)上，超額完成任務(wù)，實(shí)現(xiàn)了8Gb DDR4的量產(chǎn)，把從奇夢(mèng)達(dá)獲得的46nm堆棧式DRAM平穩(wěn)過度到10nm級(jí)別，甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技術(shù)和新工藝在DRAM上的實(shí)現(xiàn)，力爭(zhēng)未來成為這個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)先者。

加入高端半導(dǎo)體俱樂部

全球半導(dǎo)體聯(lián)盟GSA日前宣布，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明將成為聯(lián)盟董事會(huì)成員。全球半導(dǎo)體聯(lián)盟在全球擁有來自超過25個(gè)國(guó)家和地區(qū)的250多家企業(yè)會(huì)員，代表著產(chǎn)值4500億美元的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中70%的力量，涵蓋了從初創(chuàng)公司到行業(yè)巨頭的公共和私營(yíng)企業(yè)，其中100家為上市公司。聯(lián)盟領(lǐng)導(dǎo)層由半導(dǎo)體及相關(guān)高科技行業(yè)的技術(shù)和商業(yè)領(lǐng)袖組成，其董事會(huì)成員包括來自英特爾、三星、超微半導(dǎo)體（AMD）、安謀科技（ARM）、高通、應(yīng)用材料等全球半導(dǎo)體巨頭的高級(jí)負(fù)責(zé)人。

此前，中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官趙海軍是董事會(huì)內(nèi)唯一代表中國(guó)大陸半導(dǎo)體企業(yè)的成員，這次朱一明的加入代表著國(guó)產(chǎn)儲(chǔ)存正式邁進(jìn)高端玩家俱樂部，使得國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體在國(guó)際舞臺(tái)中再多了一份話語(yǔ)權(quán)。

紫光組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部

紫光集團(tuán)今年6月份組建了DRAM內(nèi)存事業(yè)部，委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群董事長(zhǎng)，委任高啟全為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群CEO，正式進(jìn)軍內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)，重慶的工廠預(yù)計(jì)今年底動(dòng)工，2021年量產(chǎn)，工期約為兩年左右。

從紫光之前公布的信息來看，得益于在長(zhǎng)江存儲(chǔ)等公司上的積累，紫光集團(tuán)已經(jīng)組建了一只龐大的科研隊(duì)伍，存儲(chǔ)芯片方面的研發(fā)人員超過2000人，這是紫光建設(shè)內(nèi)存工廠、研發(fā)生產(chǎn)內(nèi)存的基礎(chǔ)。紫光目前的主流內(nèi)存仍是DDR3，不過DDR4具備世界主流設(shè)計(jì)水平，目前正在開發(fā)中，預(yù)計(jì)年底前完成并推向市場(chǎng)，但是產(chǎn)能無(wú)法保證，產(chǎn)品銷量不會(huì)太大。

平衡何時(shí)能被打破？

目前全球的內(nèi)存主要控制在韓國(guó)三星、SK海力士及美國(guó)美光三家公司中，他們占據(jù)的內(nèi)存市場(chǎng)份額高達(dá)95%，國(guó)產(chǎn)儲(chǔ)存在產(chǎn)品上已經(jīng)在慢慢崛起，下一步面臨的問題的如何與前輩們搶市場(chǎng)。好在我們有一個(gè)巨大的需求市場(chǎng)，根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2018年，中國(guó)進(jìn)口了3120億美元的芯片，其中存儲(chǔ)芯片高達(dá)1150億美元，這1150億美元的存儲(chǔ)芯片中，高達(dá)97%的是DRAM和FLASH。在強(qiáng)大的需求下，國(guó)產(chǎn)儲(chǔ)存定能先滿足內(nèi)需，然后一步步的走出去。