中國存儲器布局 “華為事件”的戰(zhàn)略突圍

對于存儲器產(chǎn)業(yè)，我們的理解盲區(qū)無處不在。很多人都知道全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模在 1000 億美金級別，但是應(yīng)該沒多少了解在 25 年前和 4 年前這個(gè)產(chǎn)業(yè)的規(guī)模？

某些學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界的朋友不缺行業(yè)知識，但是普遍會從資本回報(bào)角度考慮問題，認(rèn)為回報(bào)太差，沒有人愿意投。而投資界又認(rèn)為，這個(gè)東西太難了，否則為什么會壟斷？核心技術(shù)都不在我們這里，難度巨大。

這是一種錯(cuò)位。事實(shí)上，我們國內(nèi)長江存儲的 3D Nand 在“短”的時(shí)期內(nèi)就有了“巨大的突破”，而合肥長鑫的 DRAM 也有了非常好的進(jìn)展。只要錢和人到位，存儲器領(lǐng)域遠(yuǎn)不是我們曾經(jīng)想的樣子。

01?日韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的套娃式發(fā)展

1963 年，在晶體管發(fā)明十五年后，日本電氣（NEC）公司從美國仙童半導(dǎo)體公司獲得了平面技術(shù)授權(quán)。同時(shí)，在日本政府的要求下，這項(xiàng)平面技術(shù)通過授權(quán)被共享給了其他日本公司。三菱、東芝、松下等都開始進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)真正開始爆發(fā)。

彼時(shí)，距離盛田昭夫從美國帶回晶體管專利的授權(quán)已經(jīng)過去了十年。這十年，日本依然深陷戰(zhàn)后重建的巨大災(zāi)難中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展極為緩慢。

可以說，1963 年是日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的起點(diǎn)。日本走上了一條極其順理成章的道路：

引進(jìn) ->投資 ->生產(chǎn) ->引進(jìn) ->投資 ->生產(chǎn)…

日本引進(jìn)美國的半導(dǎo)體技術(shù)幾乎沒有任何阻力。當(dāng)時(shí)，美國的戰(zhàn)略中心在西伯利亞，而日本是他最放心的弟弟，“駐軍即正義”讓美國人認(rèn)為一切皆在掌控中。

工匠日本在超車道上狂飆十年后，已經(jīng)開始可以在全球市場上擠壓美國產(chǎn)品的市場，甚至美國國內(nèi)也開始采購日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體。

這讓美國特別無語又無奈。那時(shí)的 Intel、仙童半導(dǎo)體，一開始希望通過競爭贏回失去的光輝，但是無論怎么競爭，在產(chǎn)品質(zhì)量、成本以及穩(wěn)定性上都無法全面超越日本。這是美日半導(dǎo)體摩擦和中美完全不同的第一點(diǎn)。美日半導(dǎo)體摩擦，游說政府出臺禁令停止向日本輸入半導(dǎo)體技術(shù)的是產(chǎn)業(yè)界。而中美的科技對抗，挑頭的是美國政府，這有本質(zhì)的不同。一個(gè)是產(chǎn)業(yè)行為，一個(gè)是政治事件。第二點(diǎn)不同，中國現(xiàn)在并沒有像當(dāng)年的日本那樣“強(qiáng)壯”，強(qiáng)壯到可以開始壓制美國。

這意味著，中美之間的科技對抗，并不僅僅是一個(gè)產(chǎn)業(yè)問題。

美國暫停向日本出口技術(shù)，這讓日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一度出現(xiàn)休克。后來 1976-1980 年這五年里，在日本政府的推動下，日本成立了 VLSI（超大規(guī)模集成電路）聯(lián)盟。VLSI 取得了巨大的成功，64Kbit DRAM 比美國研發(fā)成功還早了半年，256Kbit DRAM 研發(fā)成功超越美國一年。

與此同時(shí)，日本產(chǎn)業(yè)界開始采用民用“消費(fèi)電子”推動集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“新模式”。過去，無論是美國還是日本，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最大推動力，都是政府和軍方。不同的是，日本只有政府在推動，因?yàn)槊绹姺降某掷m(xù)推動，讓日本沒有了“軍方”…

1980s 年代，日本電氣（NEC）、東芝和日立三大廠商長時(shí)間占據(jù)世界前三大半導(dǎo)體廠商的位置，強(qiáng)如 Intel 只能屈居第四位。即使后來有了《日美半導(dǎo)體協(xié)議》，日本依然在 1985 年 -1992 年這八年間，超越美國成為了世界最大的半導(dǎo)體制造國。

日本對于 DRAM 的理解，完全來自于對于美國技術(shù)的引進(jìn)。通過十年的積累和沉淀，以及對于技術(shù)的初步理解，日本已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品本身的趕超。

這里有一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：DRAM 的技術(shù)難度本身，并沒有達(dá)到一個(gè)非常高的維度，與后來的 CPU 以及現(xiàn)在的智能手機(jī) SoC 并不是一個(gè)設(shè)計(jì)難度。

日本能在 DRAM 領(lǐng)域成功的另一個(gè)核心是：

存儲領(lǐng)域制造大于設(shè)計(jì)，穩(wěn)定大于性能。誰能夠在一個(gè)集成電路上集成更多穩(wěn)定的存儲單位，“能夠制造出穩(wěn)定的存儲器”，是產(chǎn)業(yè)獲勝的關(guān)鍵因素之一。而這恰恰是日本工匠哲學(xué)的基本要求。在穩(wěn)定性得到保證之后，之后才是其他特性。

基于同樣的邏輯，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國和日本的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)上，乘勝追擊。1965 年 6 月 22 日，雙方簽署了《日韓基本條約》，正式建立了大使級外交關(guān)系，日韓邦交正常化。根據(jù)《日韓基本條約》的規(guī)定，韓國也事實(shí)上放棄了對日本的賠款索求。

作為回饋，日本以東芝為代表的的半導(dǎo)體廠商，開始在韓國投資設(shè)廠，這成為日后日本半導(dǎo)體廠商被韓國財(cái)閥徹底擠出 DRAM 市場的起點(diǎn)。

事實(shí)上，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是從美日半導(dǎo)體廠商的組裝基地這個(gè)角色開始的, Motorola、Fairchild 等都在韓國建立了 DRAM 的組裝廠。

1973 年，韓國成立了國家科學(xué)技術(shù)委員會，制定了一系列重大技術(shù)的發(fā)展計(jì)劃。1974 年，韓裔美籍半導(dǎo)體專家姜基東創(chuàng)立了韓國本都第一家半導(dǎo)體公司——韓國半導(dǎo)體（Hankook 半導(dǎo)體，后被三星收購）。

韓國這時(shí)候的操作和角度，比日本更刁鉆。日本在韓國設(shè)廠，技術(shù)基本上被韓國完全摸走。韓國在自己的土地上，從日本獲得了美國的技術(shù)。

重要的是，美國暫停向日本出口技術(shù)的時(shí)候，沒韓國人什么事。

但是日本的遭遇，韓國看在眼里，一樣的惶恐。于是在 1981 年，韓國在日本的“掩護(hù)”下，推出了自己的 VLSI 計(jì)劃，名為《半導(dǎo)體工業(yè)綜合發(fā)展計(jì)劃》，這個(gè)比日本的 VLSI 要和諧多了。因?yàn)?VLSI 當(dāng)時(shí)美國也處在發(fā)展初期，是名副其實(shí)的頂尖技術(shù)。而韓國的綜合發(fā)展計(jì)劃，并沒有那么的扎眼。

在韓國政府的支持下，三星、現(xiàn)代以及 LG 開始大規(guī)模的進(jìn)入集成電路制造領(lǐng)域，而綜合發(fā)展計(jì)劃，實(shí)質(zhì)上也正是為了支持 4M bit、256M bit DRAM 的研發(fā)，是當(dāng)時(shí)最為先進(jìn)的東西。

圖 1：美日韓 DRAM 技術(shù)發(fā)展路徑對比

資料來源：金麟洙著 . 從模仿到創(chuàng)新, 北京:新華出版社, 1997:175.

至此，韓國已經(jīng)“贏了”。先是從日本在自己家的工廠（技術(shù)換市場）弄來美國的技術(shù)。然后借著日本的掩護(hù)，發(fā)力最先進(jìn)的 DRAM。在這件事上，真的不服不行。

在韓國的發(fā)展過程中，政府承擔(dān)了新技術(shù)開發(fā)的幾乎所有風(fēng)險(xiǎn)。韓國半導(dǎo)體公司在開發(fā) 1M~16M 的 DRAM 期間，政府投資 500 億韓元，占比超過 55%。16M 和 64M 的 DRAM 更加夸張，政府科研投資 750 億韓元，占比 83%。

回顧日本和韓國在半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)的發(fā)展，發(fā)現(xiàn)一個(gè)基礎(chǔ)事實(shí)，就是兩個(gè)國家極其類似。首先都是從美國獲取技術(shù)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，都是通過引進(jìn)、吸收后，政府開始大規(guī)模投入。

最重要的是：日本和韓國的自主研發(fā)，都成功了。這值得深思。存儲器行業(yè)講求高度標(biāo)準(zhǔn)化,產(chǎn)品差異化小，他不像處理器一樣有不同的邏輯運(yùn)算需求。正如前面講的，存儲器的穩(wěn)定性和制造能力，是最為重要的，而設(shè)計(jì)其次。

存儲器的設(shè)計(jì)難度，遠(yuǎn)小于 CPU 以及 SoC 或是 FPGA。存儲器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，更多集中在 I/O 傳輸上。

前面內(nèi)容，對【上篇】進(jìn)行了一些補(bǔ)充，同時(shí)為了說明一個(gè)觀點(diǎn)：

存儲器的設(shè)計(jì)沒有想象中的那么難，并不像國產(chǎn) CPU 以及操作系統(tǒng)那樣久攻不克，同時(shí)像光刻機(jī)那樣根本沒有看到商業(yè)化的大門。存儲器對于制造和穩(wěn)定性有極高的要求，這是制造業(yè)的范疇。而中國，最擅長的就是 Made in China。

02?中國在存儲器領(lǐng)域的兩次機(jī)會錯(cuò)失

第一次機(jī)會，1965-1978 年。

1965 年，中國成功研制出第一塊硅基數(shù)字電路，其實(shí)這個(gè)起步并不比日本真正晚多少，甚至質(zhì)量水平還要優(yōu)于韓國。

一直到 1977 年，我們國家的集成電路在完全封閉的環(huán)境下，以搞兩彈一星的思路發(fā)展了十二年。這期間，在國家的大力支持下，學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界先后組織了三次全國規(guī)模的 LSI（大規(guī)模集成電路）及其基礎(chǔ)材料的大會戰(zhàn)，成功研制了 1K bit DRAM 以及 P 溝道 1K bit MOS 移位寄存器，還有 MOCVD 生長 GaAs 技術(shù)和 GaAs 微波場效應(yīng)晶體管。

當(dāng)時(shí)的中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處在一種無序的狀態(tài)里，疊加當(dāng)時(shí)的社會狀態(tài)，誰都不知道未來應(yīng)該做什么、做什么是有意義的。

而這十二年，先是日本、后是韓國在 DRAM 領(lǐng)域高速狂飆的年代。這有著特定的歷史機(jī)緣，不過即使是正常的發(fā)展，我們也無法從美國或是日本獲得技術(shù)支持。只是這讓中國的存儲器產(chǎn)業(yè)實(shí)打?qū)嵉穆浜罅讼冗M(jìn)國家至少十年，這是起步的十年。

第二次機(jī)會，1978-1994 年。

1982 年，國務(wù)院成立了電子計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組，簡稱“大辦”。1983 年，針對當(dāng)時(shí)多頭引進(jìn)、重復(fù)布局的情況，大辦提出要“治散治亂，建立南北兩個(gè)基地和一個(gè)點(diǎn)”的發(fā)展戰(zhàn)略。南方基地主要集中在江浙滬，北方主要是京津和沈陽。一個(gè)點(diǎn)是指西安，主要為航天配套。

此后，1986 年，電子工業(yè)部在廈門召開集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會，提出“七五”期間，集成電路的“531”計(jì)劃，即推廣 5um 技術(shù)，開發(fā) 3um 技術(shù)，進(jìn)行 1um 技術(shù)的公關(guān)。

四年后的 1989 年集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會，又提出注重發(fā)展專用電路。此時(shí)美國和日本的 DRAM 已經(jīng)進(jìn)入到 16M 的最后研發(fā)階段，韓國也實(shí)現(xiàn)了對日本 DRAM 產(chǎn)業(yè)的技術(shù)追趕，而我們國內(nèi)還基本為 0。

1990 年 8 月，機(jī)械電子工業(yè)部提出集成電路“908”工程計(jì)劃。12 月 15 日，中共中央政治局聽取了匯報(bào)，同意實(shí)施 908 工程。最終，在 1992 年 3 月上報(bào)的具體項(xiàng)目建議書中，主要內(nèi)容如下：

1. 建設(shè)一條 150mm、特征尺寸 1um/0.8um、月產(chǎn)能 2 萬片、年產(chǎn) 3000 萬塊的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線；

2. 建設(shè)一批集成電路設(shè)計(jì)中心；

3. 建立一個(gè)封裝廠和掩模板制作中心；

4. 對 6 個(gè)專用設(shè)備、儀器廠進(jìn)行改造，形成設(shè)備配套；

5. 建立 150mm 硅片和多晶硅的供應(yīng)能力。

908 工程的參與者幾乎全部是國企。封裝項(xiàng)目由上海無線電十九廠和松下承擔(dān)，掩膜版項(xiàng)目由中科院上海冶金研究所承擔(dān)，和杜邦合資。

908 工程從一開始，其實(shí)就進(jìn)入到了美國人的視野中，在美國的眼中這是重大的國家安全風(fēng)險(xiǎn)…而這將近二十年的時(shí)間，海外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，尤其是 DRAM 產(chǎn)業(yè)已經(jīng)發(fā)生了翻天覆地的變化。日本和美國簽了兩次半導(dǎo)體協(xié)議，還簽了廣場協(xié)議，韓國也在亂局中迎合美國，對日本實(shí)現(xiàn)了反超。

事實(shí)上，一直到 909 工程末期，1999 年 2 月 23 日上海華虹 NEC 電子的 200mm 生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)之前，中國本土根本沒有規(guī)?；?DRAM 生產(chǎn)線。而 1999 年建成的，工藝也只是 0.5um/0.35um，生產(chǎn)的核心產(chǎn)品為 64M bit DRAM。同時(shí)，前五年的運(yùn)營管理權(quán)屬于日本電氣（NEC）。

彼時(shí)，韓國早已取代日本，在 DRAM 領(lǐng)域內(nèi)領(lǐng)先。而美國事實(shí)上也退出了 DRAM 市場，DRAM 產(chǎn)業(yè)格局已經(jīng)塑造完成。

在從 1965 年開始的三十年間，中國錯(cuò)過了兩次大的存儲器產(chǎn)業(yè)機(jī)遇。一次在起步期，我們因?yàn)樘厥獾臍v史原因，錯(cuò)過了最寶貴的十年。一次在產(chǎn)業(yè)格局塑造的混戰(zhàn)期，時(shí)間長達(dá)二十年。在這二十年中，美國、日本、韓國交替領(lǐng)先。其中有產(chǎn)業(yè)因素，更多的是政治訴求和金融做局，最終形成了韓國+日本壟斷的產(chǎn)業(yè)事實(shí)。中國本能夠在日韓競爭初期（80 年代末 90 年代初），就引入日本電氣（NEC），這對于中國和日本都是好的選擇。

中國錯(cuò)過了最好的“渾水摸魚”的時(shí)期，這時(shí)候的“市場換技術(shù)”阻力最小，日本也需要在困局之下有所突圍。而對于中國，能夠在 90 年代初就直接切入到 64M DRAM 的生產(chǎn)，和 1999 年開始生產(chǎn)，這前后是十年的產(chǎn)業(yè)差距。

圖 2：集成電路從研發(fā)到批量生產(chǎn)約需要 10 年時(shí)間

資料來源：ITRS，2012《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

此后的二十年，一直到 2018 年，中國實(shí)際上并沒有自主的存儲器產(chǎn)業(yè)。三星、SK 海力士等在中國設(shè)廠，但是對于核心技術(shù)、專利，中國并沒有獲得太多的養(yǎng)分。這一方面是因?yàn)橹袊鸩椒艞壛艘恍┙粨Q條件，另一方面也是因?yàn)槟承┩獠恳蛩?，中國無法獲得最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)。

此后的“十五”一直到“十二五”規(guī)劃，我們對于集成電路產(chǎn)業(yè)，都不約而同的以 IC 設(shè)計(jì)、封裝、材料和設(shè)備三大角度考慮目標(biāo)和政策。

從未通過某一具體的、關(guān)鍵的產(chǎn)業(yè)實(shí)施突破，帶動上下游的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。例如存儲器產(chǎn)業(yè)的突破，勢必需要具體的半導(dǎo)體材料突破以及光刻機(jī) / 刻蝕機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備的突破。以集成電路產(chǎn)品為導(dǎo)向的突破，事實(shí)上是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局塑造的根源。

例如歐洲 ASML 的光刻機(jī)，這是具體的產(chǎn)品，他屬于半導(dǎo)體設(shè)備，而荷蘭并沒有打算在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域突破。又比如日本，以過往物理、化學(xué)為依托，在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域精專，幾乎掌握了所有關(guān)鍵的材料。再比如韓國，基本上就只能靠 DRAM 支撐下的晶圓代工、IC 設(shè)計(jì)。沒有 DRAM 壟斷帶來的豐厚利潤，三星根本沒有能力在后來拓展晶圓代工以及做 IC 設(shè)計(jì)。

至于美國，在蘋果、微軟這種頂級的科技巨頭的史詩級產(chǎn)品拉動下，逐漸形成了各個(gè)鏈條上的強(qiáng)大。如果當(dāng)年美國就以 IC 設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體設(shè)備、封測這樣自上而下的來做產(chǎn)業(yè)布局，今天的美國可能是另一種狀態(tài)。

而我們一直不去做存儲器有一個(gè)很重要的原因，就是對于研發(fā)存儲器的共識是：

這個(gè)基本不可能。

對于存儲器產(chǎn)業(yè)，我們的理解盲區(qū)無處不在。很多人都知道全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模在 1000 億美金級別，但是應(yīng)該沒多少了解在 25 年前和 4 年前這個(gè)產(chǎn)業(yè)的規(guī)模？各位可以猜一下。我會在文章末尾放上一張圖。

在過去三十年間，在混亂的 DRAM 產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程里，中國完全可以找到自己的位置?？上У氖?，我們從三大環(huán)節(jié)自上而下的做規(guī)劃，而沒有從具體的產(chǎn)業(yè)出發(fā)自下而上的帶動產(chǎn)業(yè)三個(gè)環(huán)節(jié)共同突破。

某些學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界的朋友不缺行業(yè)知識，但是普遍會從資本回報(bào)角度考慮問題，認(rèn)為回報(bào)太差，沒有人愿意投。而投資界又認(rèn)為，這個(gè)東西太難了，否則為什么會壟斷？核心技術(shù)都不在我們這里，難度巨大。

這是一種錯(cuò)位。事實(shí)上，我們國內(nèi)長江存儲的 3D Nand 在“短”的時(shí)期內(nèi)就有了“巨大的突破”，而合肥長鑫的 DRAM 也有了非常好的進(jìn)展。只要錢和人到位，存儲器領(lǐng)域遠(yuǎn)不是我們曾經(jīng)想的樣子。

我以后再聽到某些朋友說“中國沒有高科技”、“我們還差的很遠(yuǎn)”、“根本沒有辦法”的時(shí)候，我都會反問一句：“差多遠(yuǎn)？你有什么好的建議。”

03?中國存儲器——“華為事件”無心插柳的戰(zhàn)略突圍

首先，再回顧一下之前 4 月 1 號圍魏救趙：美國未來科技戰(zhàn)略的推演、4 月 3 號四十年大戲——光刻機(jī)資本局以及 4 月 10 號三英戰(zhàn)呂布：中國半導(dǎo)體 3 大核心公司三篇文章的核心觀點(diǎn)：

1. 美國絕對領(lǐng)先，但是依然要對中國科技產(chǎn)業(yè)乃至民營企業(yè)華為動手，是因?yàn)槊绹陨硇枰獮橄乱淮诵目萍剂舫龀渥愕尿v挪空間；

2. 核心玩家都有一票否決權(quán)：歐洲的光刻機(jī)、韓國的存儲器、中國臺灣的晶圓代工、日本的材料、美國的 IC 設(shè)計(jì)（包括 EDA）；

3. 政治因素在當(dāng)下的產(chǎn)業(yè)中，是主要矛盾，而非產(chǎn)業(yè)競爭。

圖 3：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場份額

資料來源：Source: BCG analysis, using market data from Gartner and WSTS

上面這幅圖，很清晰的列出了全球幾個(gè)核心的玩家，其中就包括中國。很有意思的是，中國只有 3%，而美國將近 50%，16 倍的體量。

美國人考慮半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，思路可以說很清晰了：從宏觀（經(jīng)濟(jì)、政治、文化）到產(chǎn)業(yè)邏輯，最終實(shí)施精準(zhǔn)的狙擊。

我們在之前文章提到過，韓國從 1998 年開始“對稱”般取代日本，背后蘊(yùn)藏著精彩的故事，最近這兩篇也做了簡單的介紹?？梢园l(fā)現(xiàn)，韓國在 2018 年全球市場份額 24%，為美國的 50%。日本 10%，歐洲 8%，中國 3%。

實(shí)際上，韓國以一個(gè)“弱小”的綜合國力、5000w 人口、浙江省的面積，攫取了全球 1/4 的市場份額，這顯然不合理。

然而，其實(shí)到了今天，我們可以清楚理解為什么美國不恐慌。因?yàn)轫n國最能打的存儲器，實(shí)際上并不會對美國構(gòu)成“國家安全”威脅。無論是軍事上還是科技水平上，亦或是在經(jīng)濟(jì)上，存儲器看似擁有 1000 億美金的市場規(guī)模，但并不是最為關(guān)鍵的命門。

荷蘭的光刻機(jī)、日本的材料、中國臺灣的制造遠(yuǎn)比存儲要來的重要。同時(shí)，美國有美光，雖然市場份額只有 25%，但是這已經(jīng)足夠了。

再看產(chǎn)業(yè)布局。

圖 4：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局

資料來源：Source: BCG analysis, using market data from Gartner and WSTS

可以看到，美國在幾乎全產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)域都是“最強(qiáng)”的，除了材料和制造。而其中只有制造，美國看起來相對比較弱，其實(shí)有 Intel，這個(gè)“落后”也還好。即使是材料領(lǐng)域，美國也和日本、韓國相當(dāng)。

歐洲沒有制造和封裝、日本沒有制造、韓國沒有 Core IP，中國臺灣沒有設(shè)備、CoreIP。然而，我們很驚訝的發(fā)展，中國什么都有！

真的是全產(chǎn)業(yè)鏈，雖然每一環(huán)節(jié)都很弱，弱到近乎不存在，除了需求非常強(qiáng)。這是一個(gè)內(nèi)涵極豐富的圖。這一定程度上得益于我們之前提到的 IC 設(shè)計(jì)、制造和封測、材料和設(shè)備全產(chǎn)業(yè)鏈布局，如果當(dāng)時(shí)能夠從 DRAM 入手，自下而上垂直化的帶動整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，而不是從發(fā)展之初就割裂成三大環(huán)節(jié)去橫向發(fā)展，我們現(xiàn)在也許就是最像美國的產(chǎn)業(yè)布局。

到這里，可以拋出三個(gè)觀點(diǎn)，再詳細(xì)解釋：

1. “華為事件”的破局，需要反制，但不能盲目，可以從具體的產(chǎn)業(yè)尋找機(jī)會去反制；

2. 我們擁有可能突圍的外部環(huán)境；

3. 要把視線拉出到半導(dǎo)體對抗之外。

首先，華為事件到目前為止，“還未落地”。這是美國慣用的一種控制手段，為自己留有余地，同時(shí)讓對方像吃了一只蒼蠅般惡心，進(jìn)退兩難。我們看似擁有 120 天的緩沖期，但實(shí)際上在產(chǎn)業(yè)內(nèi)沒有什么可以直接能做的，感覺美國好像給我們留了一個(gè)口子，讓我們以為可以做一些什么。

這是一個(gè)巨大的預(yù)設(shè)陷阱。

美國調(diào)查中興，動用的不是簡單的“公務(wù)員”，而是情報(bào)部門，調(diào)查華為也一樣。對于美國情報(bào)部門，我們無須抱有幻想。很多朋友甚至?xí)f：“感覺華為就是被國內(nèi)媒體捧了，所以被美國看到了?！钡拇_會有輿論捧殺的因素，但很明顯這不是核心因素，可能小到忽略不計(jì)。

美國情報(bào)部門，以及商務(wù)部對華為以及中電 xx 所的了解，要遠(yuǎn)比中國大部分的行業(yè)專家深得多。有很多中國公司，上了美國的實(shí)體名單，很多產(chǎn)業(yè)人士都未必了解為什么。所以，我們最好從一開始就放棄“很多東西我們最好不說，那么美國就不知道了”這種迷思。

為什么說行業(yè)內(nèi)某些規(guī)避這個(gè)制裁做出的努力是個(gè)巨大的預(yù)設(shè)陷阱？

因?yàn)槊绹绻凶C據(jù)，華為早就不是現(xiàn)在的狀態(tài)了，看看中興就知道。美國人苦悶就苦悶在沒有證據(jù)，只能靠一張老臉硬扛著說“華為威脅國家安全”、“華為賣設(shè)備給伊朗”。這并沒有站在道德制高點(diǎn)上，反倒是站在了道德至高的云端，虛的。

但是我看到一些建議，例如和國外某些公司共同設(shè)計(jì)、華為向某個(gè)第三方公司采購等等…

一旦這么做，美國就有證據(jù)了?？嗔耸畮啄甑淖C據(jù)，終于送上門。美國在做相關(guān)的制裁之前，很清楚華為從供應(yīng)商那里采購了多少貨，如果過了這個(gè)周期，華為還能夠有芯片使用，一查一個(gè)準(zhǔn)。這種精準(zhǔn)的定點(diǎn)盯梢，除非不動，一動就是證據(jù)。這是華為目前最難辦的點(diǎn)，就跟踩在一顆地雷上一樣，不動短期還不會炸。

那么，我們有哪些選擇可以反制？

首先，絕對不能正面硬剛。我們本能的會想到，制裁蘋果、高通、Intel。但問題是，現(xiàn)在不用制裁，Intel 的處理器、高通的某些關(guān)鍵部件已經(jīng)（或是曾經(jīng)）禁運(yùn)華為了，制裁什么呢？那就剩下蘋果。對于蘋果，這是一個(gè)極為強(qiáng)壯而且智商、情商很高的存在。蘋果截止 2020 年 Q1，賬上現(xiàn)金 400 億美金，加上其他短期投資以及存貨（5-10 天存貨周期），短期能夠獲得的現(xiàn)金高達(dá) 1000 億美金，流動資產(chǎn) 1437 億美金…

這種對手，平白無故去招惹他干嘛呢？在疫情期間，蘋果不止一次的贊揚(yáng)了中國的抗疫表現(xiàn)，至少到目前為止，蘋果不是我們的敵人。況且蘋果為中國提供了大量的制造業(yè)工作崗位，也一定程度上為中國產(chǎn)業(yè)升級做了貢獻(xiàn)。

我們的對手是特朗普，這個(gè)人比硅谷科技巨頭的智商低多了。硅谷的科技巨頭，都不是特朗普的支持者，我們根本沒有必要因?yàn)樘乩势盏奶翎叄衙^對準(zhǔn)我們“敵人的敵人”。

我們可以選擇波音，做商業(yè)上的拒絕。以疫情為由，停止采購飛機(jī)。波音反正之前賣起來也“不情不愿”，疫情之下，我們完全可以順理成章的拒絕。

到這里，以我們的看法，從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)角度正面的對抗，我們沒有勝算。因?yàn)樘乩势站褪怯梦覀冏钊醯牡胤絹碇撇梦覀儯覀冞€用這個(gè)弱點(diǎn)來反制？

以上，情緒比較負(fù)面。確實(shí)負(fù)面，華為面臨巨大的壓力之中。但是前面提到的外部環(huán)境，我們完全可以利用。

現(xiàn)在日本、荷蘭（歐洲）、韓國是什么心態(tài)？臺積電已經(jīng)說明了問題——異常糾結(jié)。

現(xiàn)在日本和韓國，糾結(jié)在中美之間，他們最擔(dān)心的就是“做出選擇”。大家真的以為日、韓愿意站美國么？美國這次制裁華為，破壞的是底層商業(yè)邏輯和基本倫理，這對全世界公司都是一種警示：

無論誰如果想用我美國的技術(shù)，哪怕只有一點(diǎn)，你就要面臨被我隨時(shí)干掉的風(fēng)險(xiǎn)。

在這件事情上，日本和韓國因?yàn)槭种袚碛胁牧虾痛鎯ζ鲀蓚€(gè)一票否決權(quán)，很有可能會被當(dāng)成槍使，來制裁中國。最終就是達(dá)到了美國的目的，犧牲了日韓。

而我們，在產(chǎn)業(yè)正常時(shí)期，用一票否決權(quán)的邏輯理解產(chǎn)業(yè)；在當(dāng)下這種扭曲且不正常的環(huán)境下，需要完全反過來理解問題：

全產(chǎn)業(yè)鏈的打造，來對抗一票否決權(quán)。

在這里，我很清楚光刻機(jī)等等有眾多領(lǐng)域可能在長時(shí)間，甚至到整個(gè)商業(yè)機(jī)會消失的時(shí)候我們都無法突破。但是反制美國，需要我們將戰(zhàn)線拉長。

我們需要在存儲器以及材料領(lǐng)域徹底突破，這樣就可以讓美國在制裁華為無論是 5G 還是手機(jī)芯片，都發(fā)現(xiàn)中國在其他領(lǐng)域又有了突破。這種全方位的制裁，最終會走向美國也無法掌控的局面，這就是我們的機(jī)會。

而日本和韓國，也有充足的動機(jī)幫助我們發(fā)展這兩個(gè)產(chǎn)業(yè)。很簡單，如果中國在這兩個(gè)領(lǐng)域有所突破，那么這個(gè)領(lǐng)域?qū)适Ф糁埔饬x，日本和韓國也將不用面臨被迫選擇的窘境。而我們要處理的，就是和日本以及韓國在國內(nèi)市場的利益劃分上，有所默契。因?yàn)橄啾扔谥袊膰乙庵?，什么韓國財(cái)閥都不好使。

我們需要盡力的拉攏日本和韓國，在存儲以及材料領(lǐng)域上有所突破。讓美國制裁我們的戰(zhàn)線綿延不斷，這樣才是真正的反制，讓美國無從下手。

至于如何拉攏日本和韓國，云端有高人。對方也希望在某種程度上利用中國牽制美國。

具體的，我們可以從“審批”的申報(bào)開始合作。目前的禁令，我發(fā)現(xiàn)大家關(guān)注點(diǎn)在“能不能接單”上，但是問題不在這里，而是“接單要審批”。

在現(xiàn)有美國的霸道下，華為完全可以下單給臺積電、三星、海力士等等需要審批的企業(yè)，說服他們“接單”?？赡芘_積電產(chǎn)能滿了，無所謂，選擇成熟制程也無所謂，甚至就是單純的審批，為了某一款機(jī)器做審批。當(dāng)眾多的華為供應(yīng)商同時(shí)向特朗普要審批的時(shí)候，慌亂的是誰？

每個(gè)供應(yīng)商采用的美國技術(shù)比例不同，但是又面向同一個(gè)產(chǎn)品，最終這個(gè)產(chǎn)品又是手機(jī)這種和國家安全沒什么關(guān)系的產(chǎn)品，特朗普這些政客怎么處理？這將面臨巨大的尷尬，批了，也就批了，不批，總得有個(gè)原因吧？如果在國際范圍內(nèi)損壞基本的商業(yè)倫理，特朗普真的就愚蠢到家了。

最后，把視線拉倒半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)范圍外。

在之前文章中提過，人工智能、量子計(jì)算、新材料等等涉及未來的技術(shù)，我們一定不能因?yàn)榘雽?dǎo)體的焦灼，就把所有精力放在這里，讓下一代技術(shù)的研發(fā)停滯。如果我們能夠在未來的科技上有突破，那才是真正的戰(zhàn)略反制。

同時(shí)，我們需要做的，就是讓世界相信我們能夠和平的發(fā)展，在產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中讓更多的人獲益。例如我們發(fā)展存儲器后，韓國的利益，以及材料領(lǐng)域日本的利益。把他們擠出國內(nèi)市場，并不是好的選擇。持續(xù)開放，堅(jiān)持全球化，這是我們的持久戰(zhàn)打法。

最后，附上前面說的圖：DRAM 產(chǎn)業(yè)在 1995 年，已經(jīng)達(dá)到了 400 億美金的規(guī)模。而在 2016 年，還是 400 億。但是 2017 年增長了將近 80%，2018 年也增長了 10%左右，才有了 2019 年的 1000 億美金規(guī)模。

神奇么？蘊(yùn)含了什么大家可以想象。

圖 5：DRAM 產(chǎn)業(yè)從 1991-2016 年全球市場規(guī)模

資料來源：ITRS，2012《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》