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電子發(fā)燒友網>存儲技術>介紹一款超小型封裝尺寸的1Mbit串行FRAM—MB85RS1MT

介紹一款超小型封裝尺寸的1Mbit串行FRAM—MB85RS1MT

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FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的,并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據保留,同時消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134

串行FRAM存儲器64K MB85RS64概述及特點

應用,包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存儲器MB85RS128B概述及特點

介質用于各種應用,包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應用。富士通代理英尚微介紹富士通半導體128K串行接口FRAM MB85RS128B。
2021-06-28 15:52:461394

富士通4Mbit Quad SPI FRAM助力實現(xiàn)高速數(shù)據傳輸

富士通半導體一款具有快速數(shù)據傳輸功能的4Mbit FRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最高108MHz的工作頻率和帶有四個I/O引腳的Quad SPI接口下實現(xiàn)每秒54MB
2021-07-26 18:05:54713

富士通新品8Mbit FRAM高達100萬億次的寫入耐久性

FRAM是一種非易失性存儲器產品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點,富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片,這是富士通FRAM產品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579

富士通推出具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA

。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體推出了具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA,這是富士通FRAM產品系列中第一款保證100萬億讀/寫周期的產品。評估樣品目前可用。
2022-01-10 15:50:314123

使用非易失性FRAM替換SRAM時的問題和解決方案

? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲器產品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億
2022-01-12 15:12:20351

4KBit I2C鐵電存儲器MB85RC04V的特點

富士通型號MB85RC04V是一款FRAM芯片,位寬為512字×8位,采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元。與SRAM不同,MB85RC04V能夠在不使用數(shù)據備份電池的情況下保留
2022-01-18 16:48:461069

富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX

一款非易失性存儲器產品,與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,具有寫入速度快、讀/寫耐久性高、功耗低等優(yōu)點。 ? 近日富士通半導體推出配備Quad SPI接口的8Mbit?FRAM?MB85
2022-02-17 15:33:241666

富士通推出12Mbit電阻式隨機存取存儲器MB85AS12MT

富士通半導體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產品系列中密度最大的產品。
2022-04-24 16:06:021133

SBC 85 1Mbit內存板開源設計

電子發(fā)燒友網站提供《SBC 85 1Mbit內存板開源設計.zip》資料免費下載
2022-08-11 11:30:302

關于FRAM技術的設備配置介紹

設計人員可以找到FRAM存儲器支持并行,SPI串行或I2C / 2線串行接口。例如,連同其平行的1Mb MB85R1001A FRAM,富士通提供1MB的SPI串行器,MB85RS1MT,使設計人員能夠采用典型的SPI主/從配置(圖1)設備的任意數(shù)字。
2022-11-18 16:48:271466

適合高級汽車市場ADAS應用的非易失性存儲器MB85RS2MLY介紹

隨著萬物智聯(lián)時代的到來,智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481502

1Mbit存儲MRAM芯片MR0A16A

Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片,組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序,續(xù)航時間無限制。數(shù)據在20年以上的時間內始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08405

國芯思辰|存儲容量128KB的拍字節(jié)鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C兼容MB85RS128B用于LED閃爍智能計數(shù)器

某工程師研發(fā)的LED閃爍智能計數(shù)器項目上用到一FRAM用來保存用戶數(shù)據,不怕掉電,數(shù)據保存時間和擦寫次數(shù)都很可觀,可靠性高。之前用的型號是MB85RS128B,目前想要尋找替代。項目要求P2P
2022-10-13 14:29:37439

國芯思辰|拍字節(jié)低功耗FRAM PB85RS128C助力血糖儀設計,供電電壓2.7V~3.6V

進行分析、跟蹤等。某工程師需要一個128K、低功耗的FRAM,本文主要提到的是拍字節(jié)的PB85RS128C,該器件和賽普拉斯FM25V01-G以及富士通MB85RS
2022-11-04 11:18:11372

國芯思辰|座椅控制器可選用國產新型鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128,性能兼容富士通MB85RS128B

MB85RS128B,現(xiàn)需要一個與MB85RS128B功能相符,可相互兼容的國產器件用作國產化備選方案,規(guī)格需求如下:容量128Kb、工作溫度-40℃~85℃、封裝最好是SOP8。
2022-12-02 15:01:31392

實現(xiàn)了封裝面積減半的超小型尺寸

實現(xiàn)了封裝面積減半的超小型尺寸
2023-08-15 14:34:40377

拍字節(jié)(舜銘)PB85RS2MC鐵電存儲芯片數(shù)據手冊

PB85RS2MC可替換MB85RS2MT(富士通)/FM25V20A(賽普拉斯)
2023-08-22 09:56:047

國產FRAM PB85RS2MC可替換MB85RS2MT用于電能質量監(jiān)測

要考慮到電能系統(tǒng)復雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質量監(jiān)測系統(tǒng)存儲要求的是國產PB85RS2MC(富士通MB85RS2MT),兩
2023-11-17 10:28:51

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