DDR5芯片銷量明年將翻倍

由于人工智能需求激增，HBM和DDR5的價格和需求不斷增長。

隨著ChatGPT等應(yīng)用開啟AI新時代，AI服務(wù)器所需DRAM容量為常規(guī)服務(wù)器的8倍，拉動DRAM需求大幅增長。HBM突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代DRAM解決方案。AI對話程序在執(zhí)行計算期間需要大容量、高速的存儲支持，預(yù)計AI芯片發(fā)展也將會進(jìn)一步擴(kuò)大高性能存儲芯片（HBM）需求。

HBM，即高帶寬存儲器，是AMD和SK海力士發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM。HBM重新調(diào)整了內(nèi)存的功耗效率，能大幅提高數(shù)據(jù)處理速度，是當(dāng)下速度最快的DRAM產(chǎn)品，其每瓦帶寬比GDDR5高出3倍還多，且HBM比GDDR5節(jié)省了94%的表面積。

目前，HBM主要被安裝在GPU、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（如路由器、交換器）、AI加速器、超級計算機(jī)及高效能服務(wù)器上。HBM約占整個DRAM市場的1.5%，整體市占率水平尚低。

從HBM1到HBM3，SK海力士和三星一直是HBM行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。2021年10月，SK海力士開發(fā)完成全球首款HBM3，2022年6月量產(chǎn)HBM3 DRAM芯片并供貨英偉達(dá)，持續(xù)鞏固其市場領(lǐng)先地位。另外，英偉達(dá)已經(jīng)將SK海力士的第四代HBM安裝至H100。

目前，SK海力士是全球首款12層HBM3產(chǎn)品的開發(fā)商，其目標(biāo)是明年將人工智能（AI）服務(wù)器的重要組件HBM（高帶寬內(nèi)存）和DDR5的銷量翻一番。

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士7月20日透露，在最近為主要機(jī)構(gòu)投資者和證券分析師舉行的私人企業(yè)簡報（IR）上，SK海力士預(yù)計其兩條產(chǎn)品線的規(guī)模將在2024年增長到兩倍以上。

由于人工智能需求激增，HBM和DDR5的價格和需求不斷增長。垂直連接多個DRAM的高性能內(nèi)存HBM比現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品貴5至6倍。最新的DRAM標(biāo)準(zhǔn)DDR5的價格也比其前代DDR4高出15%至20%。

雖然SK海力士的HBM銷售比例在數(shù)量上還不到1%，但銷售額占比已增長到10%左右。如果HBM3和DDR5業(yè)務(wù)規(guī)模擴(kuò)大一倍，則有望加速營收增長和利潤改善。鑒于SK海力士今年上半年預(yù)計虧損超過6萬億韓元，有望通過高附加值存儲器市場實(shí)現(xiàn)反彈。

SK海力士副總裁ParkMyoung-soo對整體市場增長表示樂觀，他預(yù)計AI服務(wù)器內(nèi)存（包括HBM、DDR4和DDR5）在整體服務(wù)器內(nèi)存市場中的份額將從今年的17%增長到五年后的38%，而AI服務(wù)器效應(yīng)帶來的新增DRAM需求在未來五年內(nèi)將累積高達(dá)400億GB。人工智能融入日常生活的五年之后，隨著需求和使用設(shè)備的增加，DRAM市場預(yù)計將增長3至5倍。

SK海力士還透露了其下一代產(chǎn)品的具體路線圖，將第六代HBM產(chǎn)品HBM4的生產(chǎn)目標(biāo)定為2026年。目前，SK海力士已確定明年上半年為下一代產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)時間。從技術(shù)上來說，SK海力士開發(fā)了旗下首個封裝技術(shù)MR-MUF(Mass Reflow MoldedUnderfill)，涉及在芯片上堆疊芯片。SK海力士公開表示，他們將把下一代后處理技術(shù)“混合鍵合（hybrid bonding）”應(yīng)用于HBM4產(chǎn)品。與現(xiàn)有的“非導(dǎo)電膜”工藝相比，提高散熱效率并減少布線長度，從而實(shí)現(xiàn)更高的輸入/輸出密度。這會將當(dāng)前的最大12層增加到16層。

包括SK海力士在內(nèi)的半導(dǎo)體行業(yè)圍繞高附加值DRAM的技術(shù)和數(shù)量競爭預(yù)計將日益激烈。三星電子計劃于今年底開始HBM3生產(chǎn)，并計劃投資數(shù)千億韓元，將忠南天安工廠的HBM產(chǎn)能提高一倍。從第四季度開始，三星的HBM3也將供應(yīng)英偉達(dá)，當(dāng)前由SK海力士HBM獨(dú)家供貨。

隨著AI技術(shù)不斷擴(kuò)大對高算力的需求，HBM銷售量有望迎來快速增長。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，截至2022年，SK海力士占據(jù)HBM市場近50%的份額，緊隨其后的是三星（約40%）和美光科技（10%）。TrendForce表示，隨著更多客戶采用HBM3芯片，SK海力士的市場份額將進(jìn)一步提高至53%，此外三星和美光將分別占據(jù)38%和9%的份額。

此外，根據(jù)Yole Developpement的報告顯示，從DDR4到DDR5內(nèi)存過渡將會非常迅速。DDR5內(nèi)存大規(guī)模應(yīng)用將在2022年從服務(wù)器和企業(yè)市場開始，到2023年，消費(fèi)級的主流市場將廣泛采用DDR5內(nèi)存，無論是臺式電腦、筆記本電腦還是手機(jī)，都會充分利用新一代內(nèi)存技術(shù)。DDR5內(nèi)存在2023年出貨量會超越DDR4內(nèi)存，兩種內(nèi)存技術(shù)之間會快速過渡。

得益于服務(wù)器市場，2022年DDR5內(nèi)存的使用率將增加25%，到了2023年，DDR5內(nèi)存的市場份額會超過50%。2024年至2026年，隨著DDR5內(nèi)存全面被各個市場采用，DDR4內(nèi)存的市場份額將僅有5%。DDR5內(nèi)存的快速推進(jìn)是被巨大的需求所加速，Yole Developpement預(yù)計DRAM市場價值達(dá)1200億美元，NAND市場為680億美元，都創(chuàng)造了歷史新高。市場的強(qiáng)烈需求會一直持續(xù)到2026年，屆時內(nèi)存市場的價格會達(dá)到2000億美元以上。

審核編輯：劉清