。 IC Insights最新資料顯示，隨著Flash市場需求增加，各存儲器業(yè)者為擴大或升級3D NAND生產(chǎn)線，紛紛增加Flash資本支出，使得2017與2018年全球該項支出分別年增92%與16%，達(dá)276億與319億美元，均高于各當(dāng)年半導(dǎo)體業(yè)者在DRAM與晶圓代工上的資本支出。 而隨著主要存儲
2019-01-23 09:24:56
1124 報導(dǎo)，存儲器三強三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時代做準(zhǔn)備。因存儲器削價競爭結(jié)束后，三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:421340 受標(biāo)準(zhǔn)型DRAM存儲器供不應(yīng)求影響，4GB DDR3/DDR4原廠顆粒現(xiàn)貨價持續(xù)飆漲，本月以來平均漲幅近15%，第三季度以來累計漲幅高達(dá)45%至50%，模組價格本月漲幅也超過20%。
2016-10-22 22:04:59591 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺鎖定IC設(shè)計和DRAM廠強力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
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2013-03-05 16:43:04
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2012-08-20 18:23:31
單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器（Static RAM，SRAM)和動態(tài)隨機存儲器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
第4章 存儲器教材課后思考題與習(xí)題：4.1解釋概念：主存、輔存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存：主存儲器
2021-07-26 08:08:39
以下均以STM32F429IGT6為例一、存儲器映射存儲器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲器分配地址的過程就稱為存儲器映射，具體見圖 5-5。如果給存儲器再分配一個地址就叫
2021-08-20 06:29:52
存儲器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲器分配地址的過程稱為存儲器映射，如果再分配一個地址就叫重映射存儲器映射ARM 將這 4GB 的存儲器空間，平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數(shù)據(jù)就能長期保存。 2、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數(shù)據(jù)就能長期保存。 2、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變。 可現(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲器系統(tǒng)設(shè)計【6】存儲器擴展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進而進一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲在Flash/ROM中，初始這些存儲器地址是從0開始的，但這些存儲器的讀時間比SRAM/DRAM長，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序將代碼搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運行的目的。
2018-06-10 00:47:17
。法人預(yù)估硅晶圓廠第一季獲利優(yōu)于去年第四季，第二季獲利將持續(xù)攀升。 半導(dǎo)體硅晶圓庫存在去年第四季初觸底，去年底拉貨動能回溫，第一季雖然出現(xiàn)新冠肺炎疫情而造成硅晶圓廠部份營運據(jù)點被迫停工，但3月以來已
2020-06-30 09:56:29
1965年在總結(jié)存儲器芯片的增長規(guī)律時(據(jù)說當(dāng)時在準(zhǔn)備一個講演)所使用的一份手稿。 “摩爾定律”通常是引用那些消息靈通人士的話來說就是：“在每一平方英寸硅晶圓上的晶體管數(shù)量每個12月番一番。”下面
2011-12-01 16:16:40
`美國Tekscan公司研發(fā)的I-SCAN系統(tǒng)可以解決晶圓制作過程中拋光頭與晶圓接觸表面壓力分布不均勻，導(dǎo)致高不良率出現(xiàn)的問題。在實驗過程中只需要將目前世界上最薄的壓力傳感器（0.1mm)放置于拋光
2013-12-04 15:28:47
` 硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
的芯片。由于單個芯片尺寸增大而造成的更多邊緣浪費會由采用更大直徑晶圓所彌補。推動半導(dǎo)體工業(yè)向更大直徑晶圓發(fā)展的動力之一就是為了減少邊緣芯片所占的面積。（5）晶圓的晶面（Wafer Crystal
2020-02-18 13:21:38
AI 時代的計算應(yīng)用，了解它們?nèi)绾卧谖磥硭{(lán)圖中推動創(chuàng)新
2021-01-19 07:48:18
“車載抬頭顯示（HUD）未來的走向”這個話題乍一聽來似乎會涉及很多技術(shù)詞匯，但這項顯示技術(shù)在未來的幾年中將有巨大的應(yīng)用潛力。據(jù)HIS Automotive預(yù)測，全球范圍內(nèi)，前裝HUD的汽車銷量將從
2022-11-14 07:18:17
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
IoT是怎樣推動傳感器創(chuàng)新的？求解
2021-05-21 07:15:43
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機存儲器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
的普及應(yīng)用將大致分為兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲器，其后在第二階段,它將取代手機中的MCP以及獨立DRAM和獨立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會取代嵌入式存儲器，45nm
2023-04-07 16:41:05
PCI Express是如何推動虛擬儀器技術(shù)發(fā)展的？求解
2021-05-12 07:07:23
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點？動態(tài)隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點？
2021-12-24 07:04:20
為顯示器及高性能電視機設(shè)計。STV9379F場偏轉(zhuǎn)推動器可處理高達(dá)90V的回掃電壓。此外，它可以輸出大于供電電壓（②腳）兩倍的回掃電壓。根據(jù)給定的供電電壓，IV可降低功率損耗或減少回掃時間
2021-05-10 06:26:29
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2010-02-06 14:42:57
爾必達(dá)（Elpida）陣營的新增產(chǎn)能是否順利去化，將牽動DRAM價格走勢，是重要的觀察指標(biāo)。他說，爾必達(dá)陣營制程技術(shù)推進至63奈米，7月產(chǎn)出將大量增加，加上美光陣營的南科、華亞科也導(dǎo)入50奈米，下半年
2010-05-10 10:51:03
】小編強力推薦：每日必看（第四期）https://bbs.elecfans.com/jishu_528437_1_1.html這期主要是推薦資料和經(jīng)驗為主，希望大家多多支持，多多互動，看到我推薦的帖子或者
2015-11-26 13:53:04
【熱】小編強力推薦：每日必看（第一期）https://bbs.elecfans.com/jishu_527014_1_1.html【熱】小編強力推薦：每日必看（第二期）https
2015-11-27 11:19:40
至晶圓，包括硅（存儲器，μp）、MEMS、Ⅲ-V族化合物（InP、GaAs）和SiGe器件等? 綜合屏蔽（射頻和功率）? 功能層集成（執(zhí)行器、傳感器、天線等）? 能量存儲器與轉(zhuǎn)換器的集成? 穿硅通孔
2011-12-02 11:55:33
存儲器是怎樣進行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進行刷新？如何進行刷新？
2021-09-28 08:50:24
2021年期間，中國的200mm產(chǎn)能會增加34%。 2015年全球200mm的產(chǎn)能按應(yīng)用分別是模擬占11%、分立器件占14%、代工占47%、邏輯+MPU占21%、存儲器占3%及MEMS與其他占4%。
2017-08-23 10:14:39
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
的設(shè)計人員被要求將測試模式引入存儲陣列。測試的設(shè)計人員在探索如何將測試流程更加簡化而有效，例如在芯片參數(shù)評估合格后使用簡化的測試程序，另外也可以隔行測試晶圓上的芯片，或者同時進行多個芯片的測試。`
2011-12-01 13:54:00
的的奇夢達(dá)(Qimonda)。2006第二季全球10大DRAM廠商排名 以成長性而言，由于第二季全球新增產(chǎn)能集中于***地區(qū)廠商力晶與茂德，因此與力晶合作的日本爾必達(dá)，與茂德合作的韓國海力士，上述策略性
2008-05-26 14:43:30
的專業(yè)工藝，包括：0.18um邏輯、混合信號、模擬、高電壓、嵌入式存儲器和其他工藝。世界先進目前擁有兩座八吋晶圓廠，平均每月約產(chǎn)出110,000片晶圓。 Top7 Dongbu，收入4.95億美元，同比
2011-12-01 13:50:12
關(guān)注+星標(biāo)公眾號，不錯過精彩內(nèi)容來源 |自由時報面對全球晶片荒，不只臺積電等***廠商展開擴產(chǎn)，英特爾、三星等國外廠商，也提高資本支出計劃擴產(chǎn)，晶圓代工是否會從產(chǎn)能供不應(yīng)求走向產(chǎn)能過剩？這...
2021-07-20 07:47:02
，并把電容放電，藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機存儲器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
面對半導(dǎo)體硅晶圓市場供給日益吃緊，大廠都紛紛開始大動作出手搶貨了。前段時間存儲器大廠韓國三星亦到中國***地區(qū)擴充12寸硅晶圓產(chǎn)能，都希望能包下環(huán)球硅晶圓的部分生產(chǎn)線。難道只因半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶
2017-06-14 11:34:20
推動電源管理變革的5個趨勢
2021-03-11 07:50:56
是什么推動著高精度模擬芯片設(shè)計？如何利用專用晶圓加工工藝實現(xiàn)高性能模擬IC？
2021-04-07 06:38:35
建模分析科技進步對推動醫(yī)療電子化發(fā)展的影響本文對新技術(shù)推動下的醫(yī)療電子化領(lǐng)域進行了探討，通過建立一個‘洋蔥’模擬了該領(lǐng)域下信息流動，信息分析和采取措施的過程。該模型以科技為核心，選取了速度、存儲性
2009-11-30 11:03:20
新型LCD驅(qū)動器是如何推動移動電視發(fā)展的？
2021-06-08 06:31:55
?過去存儲器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM在第一季大漲36%后，第二季合約價持續(xù)漲。據(jù)業(yè)者消息表示，包括PC DRAM、手機用Mobile DRAM、服務(wù)器DRAM、消費型電子利基型DRAM等，第二季合約價全面大漲1~2
2017-06-13 15:03:01
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝 激光加工為無接觸加工，激光能量通過聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片
2010-01-13 17:01:57
，功耗和成本之間的平衡.在另一些情況下，根據(jù)基本存儲器的特性進行分割成為一個合理辦法。例如，將一位可變性內(nèi)容放進一位可變性存儲器而不是將一位可變性內(nèi)容放進塊可變性存儲器，帶寬分割在高水平上，主要有3個
2018-05-17 09:45:35
，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，做在一個微小面積上，以完成某一特定邏輯功能，達(dá)成預(yù)先設(shè)定好的電路功能要求的電路系統(tǒng)。硅是由沙子所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999
2011-12-02 14:30:44
為什么要選擇藍(lán)牙？藍(lán)牙將致力于推動哪些領(lǐng)域的連接？
2021-05-13 06:31:57
虛擬化是如何推動運營商進行變革的？
2021-05-11 06:29:15
方式隨機存取存儲器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動態(tài) RAM（DRAM）動態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲器（ROM）存儲容量的擴展存儲器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲器概述
2021-07-26 06:22:47
（DRAM）與靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）兩大類。DRAM 以電容上存儲電荷數(shù)的多少來代表所存儲的數(shù)據(jù)，電路結(jié)構(gòu)十分簡單（采用單管單電容1T-1C的電路形式），因此集成度很高，但是因為電容上的電荷會泄漏，為了能
2022-11-17 16:58:07
請問如何推動物聯(lián)網(wǎng)的高能效創(chuàng)新？
2021-06-17 08:57:28
請問技術(shù)創(chuàng)新是如何推動設(shè)計工藝發(fā)展的？
2021-04-21 06:46:39
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
。RAM中的存儲的數(shù)據(jù)在掉電是會丟失，因而只能在開機運行時存儲數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種，一種是Dynamic RAM(DRAM動態(tài)隨機存儲器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態(tài)隨機存儲器)。ROMROM又稱只讀存儲器，只能從里面讀出數(shù)據(jù)而不能任意寫入數(shù)據(jù)。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計
1、引言
當(dāng)代計算機系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
存儲器及代工推動2010年投資增長
按華爾街的一位分析師預(yù)計，2010年半導(dǎo)體固定資產(chǎn)投資在存儲器和代工的再次推動下可達(dá)335億美元，比09年增加50%。
由于09
2010-01-09 10:45:58307 
日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 美國高通公司（NASDAQ： QCOM）今日宣布，其子公司高通創(chuàng)銳訊將以高通VIVE? 802.11ac （11ac） Wi-Fi 解決方案系列大力推動802.11ac。高通創(chuàng)銳訊已經(jīng)獲得移動通訊
2013-06-05 16:00:09742 日前，存儲器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 存儲器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 存儲器大廠美光科技全球制造資深副總裁艾倫（Wayne Allan）昨（24）日指出，企業(yè)級線上交易、自駕車、云端大數(shù)據(jù)、網(wǎng)通、行動裝置、物聯(lián)網(wǎng)等六大領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲器需求強勁，但供給端增幅有限，今年存儲器市況仍會健康穩(wěn)健，其中 DRAM價格可持穩(wěn)到年底。
2018-07-09 07:40:00560 由于各大內(nèi)存廠產(chǎn)能“剎不住車”，NAND Flash快閃存儲器和DRAM價格已經(jīng)持續(xù)走低，終結(jié)了持續(xù)兩年的市場供應(yīng)緊俏狀況。
2018-10-27 08:59:143740 IC Insights在其《2018年麥克萊恩報告》的9月更新中披露，在過去兩年中，DRAM制造商的存儲器晶圓廠一直滿載運行，這導(dǎo)致DRAM價格穩(wěn)步上升，并為供應(yīng)商帶來可觀的利潤。圖1顯示，2018
2018-11-20 10:02:381175 7月16號，中國DRAM代表廠商合肥長鑫召開存儲器項目首次投片總結(jié)大會，在會上傳出消息，合肥長鑫即將進行8GB LPDDR4的投片，成為中國第一家邁向高端存儲投片階段的存儲器廠商。中國市場的存儲器
2018-11-29 16:51:0517531 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 楊道虹表示，目前及今后的一段時間內(nèi)，長江存儲核心任務(wù)是推動產(chǎn)能爬坡提升，將盡早達(dá)成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬片并按期建成30萬片/月產(chǎn)能，提升國家存儲器基地的規(guī)模效應(yīng)，帶動全省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2020-01-15 09:31:292520 科3月營收創(chuàng)11年來新高，NOR Flash大廠旺宏3月營收年成長34.9%，而華邦電的3月份營收也同樣達(dá)到年成長16.61%的水準(zhǔn)，顯示雖然在傳統(tǒng)科技業(yè)的淡季中，存儲器廠的訂單依舊熱絡(luò)。
2020-09-03 16:38:02531 在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 國產(chǎn)APM32 MCU助力推動新型工業(yè)化發(fā)展
2023-09-28 17:38:36485 
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