博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落戶嘉興科技城 總投資25億元

11月7日，氮化鎵（GaN）射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式簽約落戶嘉興科技城。區(qū)委書(shū)記、嘉興科技城黨工委書(shū)記朱苗，嘉興科技城管委會(huì)副主任曹建弟，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司負(fù)責(zé)人出席簽約儀式。

該項(xiàng)目將新建大型規(guī)模化的GaN射頻器件與功率器件生產(chǎn)基地，總投資25億元，占地110畝。項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年銷售30億元以上，年稅收7000萬(wàn)元以上。GaN屬于第三代高大禁帶寬度的半導(dǎo)體材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比，具有高工作頻率、電子遷移速率、抗天然輻射及耗電量小等特性，能夠廣泛運(yùn)用于5G通訊基站、智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、軍工航天、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備、智能電網(wǎng)及太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。

該項(xiàng)目的引進(jìn)是嘉興科技城深入實(shí)施全面融入長(zhǎng)三角一體化發(fā)展首位戰(zhàn)略的成果之一，將進(jìn)一步推動(dòng)南湖區(qū)集成電路新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展，加速區(qū)塊鏈產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成長(zhǎng)。

憑借在產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的投資布局、頂級(jí)的專家團(tuán)隊(duì)以及廣大的市場(chǎng)應(yīng)用，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司通過(guò)打造射頻功率（RF Power）及功率器件（Power IC）的業(yè)務(wù)板塊，實(shí)現(xiàn)了初具生態(tài)鏈格局、互為契合應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)版圖，建立起擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)并在全球范圍內(nèi)具有代表性的化合物半導(dǎo)體材料制造產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，使之成為具有世界影響力的中國(guó)第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)示范標(biāo)桿。
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