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5G發(fā)展,微型化成為無(wú)源技術(shù)的主要趨勢(shì)

GLeX_murata_eet ? 來(lái)源:村田中文技術(shù)社區(qū) ? 作者:村田中文技術(shù)社區(qū) ? 2020-09-17 14:58 ? 次閱讀

為了滿足消費(fèi)者對(duì)小型或超薄設(shè)備的期望,電子設(shè)備可能會(huì)變得更加復(fù)雜,組件技術(shù)的可靠性以及模塊化將變得必不可少。

我們?nèi)缃駥?duì)這類設(shè)備已經(jīng)有了一定的標(biāo)準(zhǔn)。消費(fèi)者已經(jīng)習(xí)慣了順滑的設(shè)計(jì)、輕薄的屏幕,而且屏幕也在往無(wú)邊框化發(fā)展。但是,當(dāng)我們過(guò)渡到 5G 時(shí),不僅要覆蓋 2G、3G、4G、還需要增加 5G;需要更多的天線、更大的處理器,然后在中間嵌入電池。但是這樣做可能會(huì)導(dǎo)致成本過(guò)于昂貴。您想要設(shè)備不斷發(fā)展以適應(yīng)所有需求并獲得良好的性能,且其中的高可靠性更是至關(guān)重要。

考慮到無(wú)源組件占據(jù)到了電路板上最大比例的物理空間,因此微型化成為無(wú)源技術(shù)的主要趨勢(shì)也就不足為奇了。5G 芯片制造商對(duì)較小封裝設(shè)計(jì)的需求越來(lái)越高,以提供與其大體積的前身版本相同的電容電阻。無(wú)源制造商正通過(guò)在較小的封裝設(shè)計(jì)中提供更大的參數(shù)范圍來(lái)滿足這一需求。例如,購(gòu)買者現(xiàn)在可以在較小的 0201 封裝尺寸(之前為 0402 尺寸)中采購(gòu)規(guī)格為 2.2uF 且額定電壓為 10V 的多層陶瓷電容器 (MLCC)。

除微型化外,更多的無(wú)源元件需要在更惡劣的環(huán)境中工作,需要滿足極端溫度、振動(dòng)等級(jí)、防塵和防水等性能指標(biāo)。高溫電容器技術(shù)正在迅速發(fā)展,尤其是對(duì)于那些耐高溫超過(guò) 200℃ 的堅(jiān)固元件。該技術(shù)的主要應(yīng)用包括汽車、航空航天以及石油和天然氣領(lǐng)域。

設(shè)備挑戰(zhàn)

電子設(shè)備將面臨新的壓力,需要重新設(shè)計(jì)或改造,以確保其能夠正確地滿足更高數(shù)據(jù)速率和功率的要求。

為了滿足消費(fèi)者對(duì)小型或超薄設(shè)備的期望,電子設(shè)備可能會(huì)變得更加復(fù)雜,組件技術(shù)的可靠性以及模塊化將變得必不可少。

數(shù)據(jù)速率的提高意味著設(shè)備溫度將變得更高,從而引發(fā)了對(duì)設(shè)備安全性的更多考慮,并需要更有效的配電和更長(zhǎng)的電池壽命。

原文標(biāo)題:5G 挑戰(zhàn):微型化

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原文標(biāo)題:5G 挑戰(zhàn):微型化

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