一周芯聞：硅片國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)，但規(guī)劃產(chǎn)能或過(guò)高過(guò)熱

1. 硅片國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)，但規(guī)劃產(chǎn)能或過(guò)高過(guò)熱

半導(dǎo)體用硅片產(chǎn)品包括硅拋光片、SOI硅片、外延片、退火片、返拋片、研磨片、NTD硅等。目前主流為12英寸（占比65%）、8英寸（占比28%）。2016-2020年增長(zhǎng)率在20%~30%。全球前五大廠商壟斷了92%的市場(chǎng)份額，寡頭壟斷的形成是不斷積累、不斷兼并的結(jié)果。據(jù)報(bào)道，環(huán)球晶已同意以37.5億歐元（45.3億美元）收購(gòu)德國(guó)同業(yè)世創(chuàng)（Siltronic），合并后的企業(yè)將成為全球12英寸硅晶圓市場(chǎng)中第二大生產(chǎn)業(yè)者，而若以營(yíng)收計(jì)，將成為全球最大硅晶圓業(yè)者。

半導(dǎo)體晶圓制造材料的產(chǎn)業(yè)態(tài)勢(shì)，供應(yīng)高度壟斷，供方商高度集中，單一半導(dǎo)體材料只有少數(shù)幾家可以提供。同時(shí)，先進(jìn)制程的晶圓公司越來(lái)越少，對(duì)新供應(yīng)商而言，試線機(jī)會(huì)少。因?yàn)榫A大廠對(duì)供應(yīng)商的選擇慎之又慎，上線的機(jī)會(huì)少之又少。國(guó)際供應(yīng)商的態(tài)度和服務(wù)不盡如人意，國(guó)內(nèi)晶圓線有很強(qiáng)的國(guó)產(chǎn)替代需求。而目前國(guó)內(nèi)供應(yīng)商必須要解決的關(guān)鍵問(wèn)題是產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。

國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上8-12英寸硅片有效供給較少，于是大硅片項(xiàng)目遍地開(kāi)花。近幾年國(guó)內(nèi)硅片項(xiàng)目總投資1580億，國(guó)內(nèi)12英寸大硅片生產(chǎn)線項(xiàng)目（含擬在建）達(dá)到561萬(wàn)片/月，產(chǎn)能規(guī)劃4倍于國(guó)內(nèi)晶圓線，規(guī)劃產(chǎn)能或可滿(mǎn)足全球供給。

2. 士蘭微12英寸產(chǎn)線正式投產(chǎn)

12月21日，士蘭微官微發(fā)布消息稱(chēng)，其公司位于廈門(mén)的12英寸芯片生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。

士蘭微電子12英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資170億元，由廈門(mén)士蘭集科微電子有限公司負(fù)責(zé)實(shí)施運(yùn)營(yíng)。項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)兩條以功率半導(dǎo)體芯片、MEMS傳感器芯片為主要產(chǎn)品的12英寸特色工藝功率半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線。

士蘭微電子第一條12英寸特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目總建筑面積約25萬(wàn)平方米，總投資70億元，分二期。

第一條12英寸產(chǎn)線，總投資70億元，工藝線寬90納米，計(jì)劃月產(chǎn)8萬(wàn)片。本次投產(chǎn)的產(chǎn)線就是其中的一期項(xiàng)目，總投資50億元，規(guī)劃月產(chǎn)能4萬(wàn)片；項(xiàng)目二期將繼續(xù)投資20億元，規(guī)劃新增月產(chǎn)能4萬(wàn)片。

第二條12英寸生產(chǎn)線預(yù)計(jì)總投資100億元，將建設(shè)工藝線寬65納米至90納米的12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線。

此前預(yù)計(jì)項(xiàng)目一期投產(chǎn)后，年銷(xiāo)售額將超過(guò)10億元。二期項(xiàng)目建成后，年生產(chǎn)總值可達(dá)40—50億元。

士蘭微表示，廈門(mén)12英寸芯片生產(chǎn)線的投產(chǎn)，進(jìn)一步夯實(shí)了士蘭微電子IDM策略，進(jìn)一步提升了企業(yè)的整體競(jìng)爭(zhēng)力，有利于更好地通過(guò)芯片設(shè)計(jì)研發(fā)與工藝技術(shù)平臺(tái)研發(fā)，不斷豐富產(chǎn)品群，進(jìn)一步推動(dòng)企業(yè)邁上新的臺(tái)階。

3. 青島半導(dǎo)體高端封測(cè)項(xiàng)目主廠房順利封頂

12月22日，位于中日（青島）地方發(fā)展合作示范區(qū)的青島半導(dǎo)體高端封測(cè)項(xiàng)目主廠房順利封頂。

青島西海岸新區(qū)國(guó)際招商消息顯示，青島半導(dǎo)體高端封測(cè)項(xiàng)目總投資10億元，是2020年青島市、區(qū)兩級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目。

4月15日，通過(guò)網(wǎng)上“云簽約”，項(xiàng)目落地中日（青島）地方發(fā)展合作示范區(qū)，主要運(yùn)用世界領(lǐng)先的高端封裝技術(shù)，封裝目前需求量快速增長(zhǎng)的5G、人工智能等應(yīng)用芯片。

據(jù)介紹，該項(xiàng)目從開(kāi)工到主廠房封頂用時(shí)176天，為2021年生產(chǎn)設(shè)備安裝和投產(chǎn)打下良好基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)了當(dāng)年簽約、當(dāng)年落地、當(dāng)年開(kāi)工、當(dāng)年封頂。

4. 國(guó)內(nèi)首臺(tái)新一代大尺寸集成電路硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備成功試產(chǎn)

12月23日，由西安理工大學(xué)和西安奕斯偉設(shè)備技術(shù)有限公司共同研制的國(guó)內(nèi)首臺(tái)新一代大尺寸集成電路硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備在西安實(shí)現(xiàn)一次試產(chǎn)成功。

據(jù)科技日?qǐng)?bào)指出，2018年起，西安理工大學(xué)劉丁教授團(tuán)隊(duì)與西安奕斯偉建立了促進(jìn)成果轉(zhuǎn)化、支撐產(chǎn)業(yè)發(fā)展的緊密協(xié)作關(guān)系。雙方發(fā)揮各自的技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，以開(kāi)發(fā)新一代大尺寸集成電路硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備及核心工藝為目標(biāo)，針對(duì)7-20nm集成電路芯片要求，開(kāi)展技術(shù)攻關(guān)。

雙方共同研制的面向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的硅單晶生長(zhǎng)成套設(shè)備按照集成電路硅單晶材料的要求，成功生長(zhǎng)出直徑300mm，長(zhǎng)度2100mm的高品質(zhì)硅單晶材料。實(shí)現(xiàn)了采用自主研發(fā)的國(guó)產(chǎn)技術(shù)裝備，拉制成功大尺寸、高品質(zhì)集成電路級(jí)硅單晶材料的重大突破并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

這一成果的取得，達(dá)到了基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究相互支撐，產(chǎn)學(xué)研協(xié)同合作、解決國(guó)家重大需求的明確目標(biāo)，充分體現(xiàn)重大科技成果轉(zhuǎn)化應(yīng)用，為加快解決我國(guó)產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的“卡脖子”問(wèn)題提供有力支撐的突出作用。

5. 華芯投資換帥，孫曉東任總裁

據(jù)財(cái)新網(wǎng)報(bào)道，12月23日，華芯投資管理有限責(zé)任公司（下稱(chēng)華芯投資）總裁路軍已于近期調(diào)回國(guó)家開(kāi)發(fā)銀行總行，其職位將由孫曉東接任。這是華芯投資2014年成立以來(lái)的首次換帥。

天眼查信息顯示，華芯投資成立于2014年8月27日，法定代表人樊海斌。國(guó)家開(kāi)發(fā)銀行全資子公司國(guó)開(kāi)金融有限責(zé)任公司出資45%，是國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的唯一管理人，負(fù)責(zé)基金的投資運(yùn)作。

路軍現(xiàn)任國(guó)開(kāi)新能源創(chuàng)始人、法人代表，國(guó)開(kāi)金融有限責(zé)任公司副總裁，曾任國(guó)家開(kāi)發(fā)銀行上海市分行副行長(zhǎng)、投資業(yè)務(wù)局產(chǎn)業(yè)整合創(chuàng)新處處長(zhǎng)、江蘇省分行客戶(hù)處處長(zhǎng)等職。

國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一期成立于2014年9月，規(guī)模超過(guò)人民幣1300億元，投資期為5年，回收期亦為5年。二期成立于2019年10月，規(guī)模超過(guò)2000億元，是支持國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。

6. 證監(jiān)會(huì)同意銀河微電科創(chuàng)板IPO注冊(cè)

12月23日，據(jù)證監(jiān)會(huì)同意銀河微電的科創(chuàng)板首次公開(kāi)發(fā)行股票注冊(cè)，銀河微電及其承銷(xiāo)商將分別與上海證券交易所協(xié)商確定發(fā)行日程，并陸續(xù)刊登招股文件。

2017年度、2018年度、2019年度，銀河微電實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入分別為61,170.46萬(wàn)元、58,538.27萬(wàn)元、52,789.38萬(wàn)元，歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)（扣非后）分別為5,284.49萬(wàn)元、5,315.85萬(wàn)元、4,961.14萬(wàn)元。

銀河微電2019年技術(shù)人員共202人，占公司總員工比18.69%，2019年研發(fā)費(fèi)用為3,221.85萬(wàn)元，占營(yíng)收比為6.10%。

銀河微電表示，本次募集資金投向半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)提升項(xiàng)目及研發(fā)中心提升項(xiàng)目，依托公司現(xiàn)有的技術(shù)積累和生產(chǎn)能力，重點(diǎn)進(jìn)行超薄型光電耦合器、隔離驅(qū)動(dòng)光電耦合器、高密度封裝小信號(hào)器件、功率MOS器件、快恢復(fù)二極管芯片、ESD保護(hù)用TVS二極管芯片等新型分立器件產(chǎn)品及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)。

關(guān)于未來(lái)的發(fā)展目標(biāo)，銀河微電表示，公司將繼續(xù)實(shí)施技術(shù)創(chuàng)新，專(zhuān)注于半導(dǎo)體分立器件行業(yè)做精做強(qiáng)，進(jìn)一步拓寬產(chǎn)品種類(lèi)，提升產(chǎn)品性能，提高產(chǎn)品檔次；公司將繼續(xù)推進(jìn)結(jié)構(gòu)調(diào)整，堅(jiān)持縱向一體化發(fā)展戰(zhàn)略，全面優(yōu)化芯片和封測(cè)技術(shù)，增強(qiáng)生產(chǎn)柔性和效率，擴(kuò)大經(jīng)營(yíng)規(guī)模；公司將繼續(xù)堅(jiān)持市場(chǎng)導(dǎo)向，提升市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)能力，強(qiáng)化技術(shù)服務(wù)支撐，拓展國(guó)內(nèi)外中高端市場(chǎng)領(lǐng)域，全面提升公司的盈利能力。

7. 中芯國(guó)際回應(yīng)被列入“實(shí)體清單”

美國(guó)商務(wù)部網(wǎng)站當(dāng)?shù)貢r(shí)間12月18日發(fā)布消息宣稱(chēng)，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）將中國(guó)芯片制造商中芯國(guó)際（SMIC）列入“實(shí)體清單”。

美國(guó)商務(wù)部稱(chēng)，中芯國(guó)際被列入實(shí)體名單后，美國(guó)出口商必須申請(qǐng)?jiān)S可證才能向該公司銷(xiāo)售產(chǎn)品。公告中還指出，生產(chǎn)10納米工藝制程或以下半導(dǎo)體所需獨(dú)特物品的出口申請(qǐng)。

12月20日，中芯國(guó)際公告，關(guān)注到美國(guó)商務(wù)部以保護(hù)美國(guó)國(guó)家安全和外交利益為由，將公司及其部分子公司及參股公司列入“實(shí)體清單”；對(duì)用于10nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)（包括極紫外光技術(shù)）的產(chǎn)品或技術(shù)，美國(guó)商務(wù)部會(huì)采取“推定拒絕”的審批政策進(jìn)行審核。

公告如下：

2020年12月18日，中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中芯國(guó)際”或“公司”）關(guān)注到美國(guó)商務(wù)部以保護(hù)美國(guó)國(guó)家安全和外交利益為由，將中芯國(guó)際及其部分子公司及參股公司列入“實(shí)體清單”。

公司被列入“實(shí)體清單”后，根據(jù)美國(guó)相關(guān)法律法規(guī)的規(guī)定，針對(duì)適用于美國(guó)《出口管制條例》的產(chǎn)品或技術(shù)，供應(yīng)商須獲得美國(guó)商務(wù)部的出口許可才能向公司供應(yīng)；對(duì)用于10nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)（包括極紫外光技術(shù)）的產(chǎn)品或技術(shù)，美國(guó)商務(wù)部會(huì)采取“推定拒絕”（Presumption of Denial）的審批政策進(jìn)行審核；同時(shí)公司為部分特殊客戶(hù)提供代工服務(wù)也可能受到一定限制。

自2020年9月5日公司從媒體獲悉可能被美國(guó)商務(wù)部列入貿(mào)易黑名單以來(lái)，一直努力與美國(guó)政府相關(guān)部門(mén)溝通，以期得到公平、公正的對(duì)待。但遺憾的是，公司仍然被列入了“實(shí)體清單”。對(duì)此，中芯國(guó)際表示堅(jiān)決反對(duì)，并再次重申，公司自成立以來(lái)一貫恪守合規(guī)運(yùn)營(yíng)的原則，嚴(yán)格遵守生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)活動(dòng)所涉及相關(guān)國(guó)家和地區(qū)的法律法規(guī)，從未有任何涉及軍事應(yīng)用的經(jīng)營(yíng)行為。

經(jīng)公司初步評(píng)估，該事項(xiàng)對(duì)公司短期內(nèi)運(yùn)營(yíng)及財(cái)務(wù)狀況無(wú)重大不利影響，對(duì)10nm及以下先進(jìn)工藝的研發(fā)及產(chǎn)能建設(shè)有重大不利影響，公司將持續(xù)與美國(guó)政府相關(guān)部門(mén)進(jìn)行溝通，并視情況采取一切可行措施，積極尋求解決方案，力爭(zhēng)將不利影響降到最低。

中芯國(guó)際將根據(jù)后續(xù)事件的發(fā)展情況，嚴(yán)格遵守相關(guān)規(guī)則，及時(shí)履行信息披露義務(wù)，敬請(qǐng)廣大投資者及時(shí)關(guān)注公司公告，注意投資風(fēng)險(xiǎn)。

8. 臺(tái)積電230億元美國(guó)建廠計(jì)劃獲批

據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電投資35億美元(約合人民幣230億元)赴美建廠的計(jì)劃得到了有關(guān)部門(mén)的正式批準(zhǔn)。

此前在12月11日，臺(tái)積電董事會(huì)內(nèi)部通過(guò)了這一項(xiàng)目。

臺(tái)積電計(jì)劃在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城建設(shè)一座300mm晶圓廠，2021年動(dòng)工，2023年裝機(jī)試產(chǎn)，2024年上半年規(guī)模投產(chǎn)，直接部署目前最新的5nm工藝，規(guī)劃月產(chǎn)能2萬(wàn)片晶圓。

當(dāng)然到那個(gè)時(shí)候，5nm就不是最先進(jìn)的了，臺(tái)積電計(jì)劃2022年量產(chǎn)下一代3nm，2023年量產(chǎn)增強(qiáng)版的3nm Plus，2024年則有望量產(chǎn)2nm。

2020年5月，臺(tái)積電宣布，在美國(guó)聯(lián)邦政府、亞利桑那州政府的共同理解、承諾支持之下，有意于美國(guó)建設(shè)并運(yùn)營(yíng)一座先進(jìn)晶圓廠，將直接創(chuàng)造1600個(gè)高科技就業(yè)崗位。

2021-2029年期間，臺(tái)積電將為此工廠支出約120億美元。

9. 英特爾三家晶圓廠聚焦10納米制程

先前因?yàn)榧夹g(shù)瓶頸，延后多年才推出10納米制程的處理器龍頭英特爾，目前為了市場(chǎng)需求，旗下3座晶圓廠正在擴(kuò)大生產(chǎn)10納米制程芯片，以滿(mǎn)足需求。

據(jù)外媒《TechPowerUp》報(bào)導(dǎo)，為了應(yīng)付龐大的客戶(hù)需求，英特爾過(guò)去幾年將14納米和10納米等制程的產(chǎn)能增加一倍。不過(guò)，目前英特爾現(xiàn)在正將重點(diǎn)放在10納米制程產(chǎn)能擴(kuò)大。

現(xiàn)階段，英特爾旗下包括美國(guó)俄勒岡州、亞利桑那州，以及以色列等地的3座晶圓廠都在加速生產(chǎn)10納米制程的芯片。

英特爾高級(jí)副總裁兼制造與運(yùn)營(yíng)總經(jīng)理KeyvanEsfarjani表示，過(guò)去3年英特爾的晶圓產(chǎn)能翻了一倍，這是一項(xiàng)重大投資。

接下來(lái)，英特爾將繼續(xù)投資晶圓廠的產(chǎn)能，以確保能跟上客戶(hù)日益成長(zhǎng)的需求。10納米制程的進(jìn)展也非常順利，目前全球3座晶圓廠正在加速生產(chǎn)10納米制程芯片。

報(bào)導(dǎo)指出，2020年期間，英特爾終于推出延宕已久的10納米制程，生產(chǎn)包括第11代英特爾Core-i處理器，以及無(wú)線基地臺(tái)的Atom P5900芯片。

此外，英特爾還在10納米制程發(fā)展出SuperFin技術(shù)，英特爾直指可達(dá)成英特爾史上最大單節(jié)點(diǎn)內(nèi)芯片性能的增強(qiáng)功能，并提供與全節(jié)點(diǎn)提升相當(dāng)?shù)男阅芴嵘?/p>

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