紫光國芯成功研發(fā)基于DDR4的NVDIMM-N

我們知道，傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的，也就是必須維持通電才能保持?jǐn)?shù)據(jù)，一旦斷電就都沒了。

Intel創(chuàng)造了Optane傲騰持久內(nèi)存，做到了非易失性，也兼容DDR DIMM，但僅用于數(shù)據(jù)中心，和普通用戶無關(guān)。

現(xiàn)在，JEDEC固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會發(fā)布了DDR4 NVDIMM-P非易失內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，序列編號JESD304-4.01，也可以在斷電后不丟失數(shù)據(jù)，而且完全兼容DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。

根據(jù)規(guī)范，這種新內(nèi)存兼容普通的DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)、固件，可以最大程度減少對于現(xiàn)有設(shè)備、平臺的更改，同時為新內(nèi)存提供了低延遲接口，提高了易用性，未來也會兼容支持DDR5。

NVDIMM-P的新功能：

－ 持久性：操作系統(tǒng)能夠低延遲、高帶寬訪問非易失內(nèi)存。

－ 虛擬化的內(nèi)存：在DDR通道啟用盡可能多的內(nèi)存容量。

－ 大容量：支持?jǐn)U展的內(nèi)存尋址功能。

－ 支持即插即用：在電腦開機(jī)時可以直接插入標(biāo)準(zhǔn)的雙列內(nèi)存插槽，并立刻與同一總線上的DDR內(nèi)存交互操作。

NVDIMM-P的主要特征：

－ 與現(xiàn)有DDR通道完全兼容，包括物理接口、電氣性能、協(xié)議、時鐘。

－ 保證為下一代CPU插槽增加的針腳盡可能少。

－ 協(xié)議支持?jǐn)?shù)據(jù)讀取時的不確定延遲。

－ 確保數(shù)據(jù)在非易失內(nèi)存中的事務(wù)性操作。

－ 從NAND到DRAM多種延遲模式的支持（在模塊級別）。

－ 內(nèi)存本身具備高可靠性、鏈路錯誤保護(hù)功能。

事實(shí)上，NVDIMM是一個系列標(biāo)準(zhǔn)，除了這里說的NVDIMM-P，還有NVDIMM-F、NVDIMM-N、NVDIMM-H。

NVDIMM-F本質(zhì)上就是DDR接口的SSD固態(tài)盤，只使用NAND閃存，優(yōu)點(diǎn)是延遲低（納秒級別）、帶寬高（DDR4可超過200GT/s），不怕斷電，也不需要外接供電，但性能和DRAM仍然遠(yuǎn)不是一個級別。

NVDIMM-N混合使用DRAM、DRAM，在內(nèi)存條上集成NAND閃存，外接電源供電，斷電時將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移保存到NAND閃存中，重新來電后恢復(fù)到DRAM，但閃存只是個備份，正常工作時閑置無法使用。

有消息稱，紫光集團(tuán)旗下西安紫光國芯也成功研發(fā)出了一看基于DDR4的NVDIMM-N。

NVDIMM-P則是以上二者的結(jié)合，三星主導(dǎo)DDR4版本，美光主導(dǎo)DDR5版本。

NVDIMM-H正在研發(fā)，美國Netlist公司主導(dǎo)，類似NVDIMM-N，也是DRAM、NAND混合體，但硬件結(jié)構(gòu)差異較大。
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