1、前言
電子元器件之一電容種類繁多,而陶瓷電容是用得最多種類,沒有之一,因此硬件工程師必須熟練的掌握其特性。
作為一個(gè)工作多年的硬件工程師,筆者結(jié)合自身經(jīng)驗(yàn),通過查閱各種資料,針對(duì)硬件設(shè)計(jì)需要掌握的重點(diǎn)及難點(diǎn),總結(jié)了此文檔。通過寫文檔,目的是能夠使自己的知識(shí)更具有系統(tǒng)性,溫故而知新,同時(shí)也希望對(duì)讀者有所幫助,大家一起學(xué)習(xí)和進(jìn)步。
2、電容的定義
2.1 電容的本質(zhì)
兩個(gè)相互靠近的導(dǎo)體,中間夾一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì),這就構(gòu)成了電容器。當(dāng)電容器的兩個(gè)極板之間加上電壓時(shí),電容器就會(huì)儲(chǔ)存電荷。
2.2 電容量的大小
電容器的電容量在數(shù)值上等于一個(gè)導(dǎo)電極板上的電荷量與兩個(gè)極板之間的電壓之比。電容器的電容量的基本單位是法拉(F)。在電路圖中通常用字母C表示電容元件。
電容量的大小公式:
:兩極板間介質(zhì)的介電常數(shù)
S:兩極板間的正對(duì)面積
k:靜電常數(shù),等于k=8.987551×10^9N·m^2/C^2
d:兩極板間的距離
化簡(jiǎn)后的公式是:
想使電容容量大,有三種方法:
①使用介電常數(shù)高的介質(zhì)
②增大極板間的面積
③減小極板間的距離。
3、MLCC陶瓷電容物理結(jié)構(gòu)
MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitors)是片式多層陶瓷電容器英文縮寫。是由印好電極(內(nèi)電極)的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來,經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片,再在芯片的兩端封上金屬層(外電極),從而形成一個(gè)類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體,故也叫獨(dú)石電容器。
可以看到,內(nèi)部電極通過一層層疊起來,來增大電容兩極板的面積,從而增大電容量。
陶瓷介質(zhì)即為內(nèi)部填充介質(zhì),不同的介質(zhì)做成的電容器的特性不同,有容量大的,有溫度特性好的,有頻率特性好的等等,這也是為什么陶瓷電容有這么多種類的原因。
4、陶瓷電容的基本參數(shù)
4.1 電容的單位
電容的基本單位是:F(法),此外還有μF(微法)、nF、pF(皮法),由于電容F的容量非常大,所以我們看到的一般都是μF、nF、pF的單位,而不是F的單位。
它們之間的具體換算如下:
1F=1000000μF
1μF=1000nF=1000 000pF
4.2 電容容量
常用陶瓷電容容量范圍:0.5pF~100uF。
實(shí)際生產(chǎn)的電容的陶瓷容量值也是離散的,常用電容容量如下表:
陶瓷電容容量從0.5pF起步,可以做到100uF,并且根據(jù)電容封裝(尺寸)的不同,容量也會(huì)不同。
選購電容器不能一味的選擇大容量,選擇合適的才是正確的,例如0402電容可以做到10uF/10V,0805的電容可以做到47uF/10V,但是為了好采購、成本低,一般都不會(huì)頂格選電容。
一般推薦0402選4.7uF-6.3V,0603選22uF/6.3,0805選47uF/6.3V,其它更高耐壓需要對(duì)應(yīng)降低容量。
滿足要求的情況下,選擇主要就看是否常用,價(jià)格是否低廉。
4.3 額定電壓
陶瓷電容常見的額定電壓有:2.5V、4V、6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、200V、250V、450V、500V、630V、1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV等等。
4.4 電容類型
同介質(zhì)種類由于它的主要極化類型不一樣,其對(duì)電場(chǎng)變化的響應(yīng)速度和極化率亦不一樣。在相同的體積下的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。介質(zhì)材料劃按容量的溫度穩(wěn)定性可以分為兩類,即Ⅰ類陶瓷電容器和Ⅱ類陶瓷電容器, NPO屬于Ⅰ類陶瓷,而其他的X7R、X5R、Y5V、Z5U等都屬于Ⅱ類陶瓷。
MLCC陶瓷電容主要分為2大類:高節(jié)介電常數(shù)型和溫度補(bǔ)償型
國內(nèi):風(fēng)華FH、宇陽科技EYANG、信昌電陶PSA、三環(huán)CCTC等等。村田muRata、松下PANASONIC、三星SAMSUNG、太誘TAIYO YUDEN、TDK、威世VISHAY、國巨YAGEO等等。4.5
5、陶瓷電容的特點(diǎn)
5.1 電容實(shí)際電路模型
電容作為基本元器件之一,實(shí)際生產(chǎn)的電容都不是理想的,會(huì)有寄生電感,等效串聯(lián)電阻存在,同時(shí)因?yàn)殡娙輧蓸O板間的介質(zhì)不是絕對(duì)絕緣的,因此存在數(shù)值較大的絕緣電阻。
所以,實(shí)際的電容模型等下如下圖:
5.2 阻抗-頻率特性
根據(jù)上述電容模型,我們可以得到電容的復(fù)阻抗公式:
實(shí)際陶瓷電容的絕緣電阻時(shí)非常大的,是兆歐姆級(jí)別的,所以R遠(yuǎn)大于,所以簡(jiǎn)化公式為:
其中為容抗,為感抗,為等效串聯(lián)電阻。很容易看出,在頻率比較低(比較小)的時(shí)候,容抗遠(yuǎn)大于感抗,電容主要成容性,在頻率比較高的時(shí)候,電容主要呈感性。
而當(dāng),即諧振的時(shí)候,阻抗等于等效串聯(lián)電阻,此時(shí)阻抗達(dá)到最小值,如果是用來濾波的話,此時(shí)效果最好。
某村田10uF電容的阻抗頻率曲線如下圖:
注意,這個(gè)坐標(biāo)系是對(duì)數(shù)坐標(biāo)系,縱軸為復(fù)阻抗的模。
5.3 諧振頻率
從上小節(jié)可知,電容在諧振頻率處阻抗最低,濾波效果最好,那么各種規(guī)格的電容的諧振頻率是多少呢?
下圖是村田常用電容的諧振頻率表:
頻率曲線如下圖:
5.4 等效串聯(lián)電阻ESR
從上小節(jié)可以看出,陶瓷的等效串聯(lián)電阻并不是恒定的,它是跟頻率有很大的關(guān)系。上述10uF電容在100hz的時(shí)候,ESR是3Ω,在700Khz的時(shí)候達(dá)到最小,ESR是3mΩ,相差了1000倍,是非常大的。
我們非常關(guān)心陶瓷電容的ESR到底是多大,特別用在開關(guān)電源的時(shí)候,需要用來計(jì)算紋波的大小。那么各中電容型號(hào)的ESR是多少呢?
下圖為村田普通電容的ESR表。
ES頻率曲線如下圖:
5.5 精度大小
相對(duì)于電阻的精度來說,電容的精度要低很多,以下是一般電容的精度。
同一類型的電容精度一般廠家會(huì)生產(chǎn)2~4種精度的檔次共選擇。
5.6溫度特性
不同類型的電容的工作溫度范圍是不同的、并且其容量隨溫度的變化也不同,相差非常大,如下表
在設(shè)計(jì)電路的時(shí)候,需要考慮不同電容的溫度系數(shù),按照使用場(chǎng)景選擇符合要求的電容。在一些對(duì)電容容量由要求的地方,就不能選擇Y或者Z系列的電容。
5.7直流偏壓特性
陶瓷電容的另外一個(gè)特性是其直流偏壓特性。
對(duì)于在陶瓷電容器中又被分類為高誘電率系列的電容器(X5R、X7R特性),由于施加直流電壓,其靜電容量有時(shí)會(huì)不同于標(biāo)稱值,因此應(yīng)特別注意。
例如,如下圖所示,對(duì)高介電常數(shù)電容器施加的直流電壓越大,其實(shí)際靜電容量越低。
容值越高的電容,直流偏壓特性越明顯,如47uF-6.3V-X5R的電容,在6.3V電壓處,電容量只有其標(biāo)稱值的15%左右,而100nF-6.3V-X5R的電容容值為其標(biāo)稱值的,如下圖。
那么,DC偏壓特性的原理是怎樣的呢?
陶瓷電容器中的高誘電率系列電容器,現(xiàn)在主要使用以BaTiO3 (鈦酸鋇) 作為主要成分的電介質(zhì)。
BaTiO3具有如下圖所示的鈣鈦礦(perovskite)形的晶體結(jié)構(gòu),在居里溫度以上時(shí),為立方晶體(cubic),Ba2+離子位于頂點(diǎn),O2-離子位于表面中心,Ti4+離子位于立方體中心的位置。
上圖是在居里溫度(約125℃)以上時(shí)的立方晶體(cubic)的晶體結(jié)構(gòu),在此溫度以下的常溫領(lǐng)域,向一個(gè)軸(C軸)延長(zhǎng),其他軸略微縮短的正方體(tetragonal)晶體結(jié)構(gòu)。
此時(shí),作為Ti4+離子在結(jié)晶單位的延長(zhǎng)方向上發(fā)生了偏移的結(jié)果,產(chǎn)生極化,不過,這個(gè)極化即使在沒有外部電場(chǎng)或電壓的情況下也會(huì)產(chǎn)生,因此,稱為自發(fā)極化(spontaneous polarization)。像這樣,具有自發(fā)極化,而且可以根據(jù)外部電場(chǎng)轉(zhuǎn)變自發(fā)極化的朝向的特性,被稱為強(qiáng)誘電型(ferro electricity)。
與單位體積內(nèi)的自發(fā)極化的相轉(zhuǎn)變相同的是電容率,可視為靜電容量進(jìn)行觀測(cè)。
當(dāng)沒有外加直流電壓時(shí),自發(fā)極化為隨機(jī)取向狀態(tài),但當(dāng)從外部施加直流電壓時(shí),由于電介質(zhì)中的自發(fā)極化受到電場(chǎng)方向的束縛,因此不易發(fā)生自發(fā)極化時(shí)的自由相轉(zhuǎn)變。其結(jié)果導(dǎo)致,得到的靜電容量較施加偏壓前低。
這就是當(dāng)施加了直流電壓后,靜電容量降低的原理。
此外,對(duì)于溫度補(bǔ)償用電容器 (CH、C0G特性等) ,以常誘電性陶瓷作為主要原料,靜電容量不因直流電壓特性而發(fā)生變化。
5.8 漏電流和絕緣電阻
陶瓷電容絕緣電阻比較大,漏電流小。
絕緣電阻主要與容量有關(guān),容量越大,漏電流越大,下面列出村田的幾種普通電容的絕緣電阻表格,可供參考。
盡管陶瓷電容的漏電流不大,但是大電容的電容量也達(dá)到了微安級(jí)別,如果是做超低功耗的產(chǎn)品的話,也需要好好選擇一些絕緣電阻大的電容
6、常見問題
6.1 機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致電容失效
陶瓷電容最坑的失效就是短路了,一旦陶瓷電容短路,產(chǎn)品無法正常使用,危害非常大,那么造成短路失效的原因是什么呢?
答案是機(jī)械應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力會(huì)產(chǎn)生裂紋,從而是電容容量變小或者是短路。
為什么會(huì)產(chǎn)生扭曲裂紋呢?這是由于貼片是焊接在電路板上的。對(duì)電路板施加過大的機(jī)械力、使得電路板彎曲或老化,從而產(chǎn)生了扭曲裂紋。
扭曲裂紋從下面的外部電極的一端延伸到上面的外部電極的話,容量就會(huì)下降,使得電路呈現(xiàn)出開路狀態(tài)(開放)。因此,即使裂紋不是十分嚴(yán)重,如果到達(dá)貼片內(nèi)部電極,焊劑中的有機(jī)酸和濕氣會(huì)通過裂紋的縫隙侵入,導(dǎo)致絕緣電阻性能降低。另外,電壓負(fù)荷會(huì)變高,電流的流量過大時(shí),最糟糕的情況會(huì)導(dǎo)致短路。
一旦出現(xiàn)了扭曲裂紋,是很難從外面將其去除的,因此為了防止裂紋的產(chǎn)生,應(yīng)當(dāng)控制不要施加過大的機(jī)械力。
一般電容封裝越大,越容易產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力失效。
6.1.2 機(jī)械應(yīng)力行為
那么,常見會(huì)出現(xiàn)應(yīng)力的行為有哪些呢?
①貼片原因:貼片機(jī)拾取電容力度過大,施力點(diǎn)不在中心,電容不平都可能碰壞電容。
②過量焊錫:當(dāng)溫度變化時(shí),過度的焊錫在貼片電容器上面產(chǎn)生很高的張力,從而是電容器斷裂,焊錫不足時(shí)又會(huì)使電容器從PCB上剝離。
③PCB彎曲:焊接到PCB板上后,PCB彎曲,拉動(dòng)瓷片電容,過應(yīng)力后損壞。
④跌落、碰撞:PCB/成品跌落導(dǎo)致振動(dòng)或變形,使電容受到機(jī)械應(yīng)力。
⑤手工焊接:突然加熱或冷卻導(dǎo)致張力比較大(解決辦法是先預(yù)熱)
6.1.3 PCB設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
電容放置方向平行于PCB彎曲方向,放置位置遠(yuǎn)離PCB大形變位置。避免電容在長(zhǎng)邊受力,如下圖,右邊的電容擺放就就左邊要好。
下圖PCB拼板,受力大小是:A》B、A》B、A》C、A》D
電容也需要遠(yuǎn)離螺絲孔、減小應(yīng)力。
6.2 嘯叫
一般溫度特性為X5R/B,X7R/R的高介電常數(shù)陶瓷電容器中,電介質(zhì)材料使用強(qiáng)介電性的鈦酸鋇系的陶瓷,具有壓電效應(yīng)。
在施加交流電壓時(shí),獨(dú)石陶瓷電容器貼片會(huì)發(fā)生疊層方向伸縮。因此電路板也會(huì)平行方向伸縮,而因電路板的振動(dòng)而產(chǎn)生了噪聲。貼片及電路板的振幅僅為1pm~1nm左右,但發(fā)出的聲響卻十分大。
其實(shí)幾乎無法聽到電容器本身發(fā)出的噪聲,但將其安裝于電路板后振動(dòng)會(huì)隨之增強(qiáng),振幅的周期也達(dá)到了人耳能夠聽到的頻率帶(20Hz~20kHz),所以聲音可通過人耳進(jìn)行識(shí)別。例如可聽到“ji----”、“ki----”“pi----”等聲響。
陶瓷電容器的“嘯叫”現(xiàn)象,其振動(dòng)變化僅為1pm~1nm左右,為壓電應(yīng)用產(chǎn)品的1/10至幾十分之一,非常之小,因此我們可以判斷這種現(xiàn)象對(duì)獨(dú)石陶瓷電容器本身及周圍元器件產(chǎn)生的影響,不存在可靠性問題。
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