復(fù)雜的電子環(huán)境
汽車(chē)、工業(yè)和航空電子設(shè)備所處的供電環(huán)境非常復(fù)雜,在這種惡劣的供電環(huán)境中運(yùn)行,需要具備對(duì)抗各種浪涌傷害的能力。以汽車(chē)電子系統(tǒng)供電應(yīng)用為例,該系統(tǒng)不但需要滿足高可靠性要求,還需要應(yīng)對(duì)相對(duì)不太穩(wěn)定的電池電壓,具有一定挑戰(zhàn)性;與車(chē)輛電池連接的電子和機(jī)械系統(tǒng)的差異性,也可能導(dǎo)致標(biāo)稱12 V電源出現(xiàn)大幅電壓偏移。
事實(shí)上,在一定時(shí)間段內(nèi),12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V,且可能出現(xiàn)+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態(tài)電壓在汽車(chē)和工業(yè)系統(tǒng)是常見(jiàn)的,可以持久從微秒到幾百毫秒,這將帶來(lái)巨大的能量。這其中有些浪涌和瞬變?cè)谌粘J褂弥谐霈F(xiàn),其他則是因?yàn)楣收匣蛉藶殄e(cuò)誤導(dǎo)致。
無(wú)論起因?yàn)楹危鼈儗?duì)汽車(chē)電子系統(tǒng)造成的損害難以診斷,修復(fù)成本也很高昂。為避免出現(xiàn)故障風(fēng)險(xiǎn),系統(tǒng)內(nèi)的電子器件,要么本身必須具備承受這些浪涌的能力,要么就必須被謹(jǐn)慎得保護(hù)起來(lái)。
圖1 工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)常見(jiàn)的浪涌形式
傳統(tǒng)的應(yīng)對(duì)方式
傳統(tǒng)的過(guò)電壓(OV)和過(guò)流(OC)保護(hù)系統(tǒng)往往包括:用于過(guò)濾低能量尖峰的電容器和電感、用于過(guò)電壓保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)、用于直流過(guò)流保護(hù)的保險(xiǎn)絲、用于電池反向保護(hù)的系列二極管等。
圖2 傳統(tǒng)保護(hù)架構(gòu)
盡管這些器件也在不斷改進(jìn),但這些分立的解決方案體積龐大、不夠精密,并且在持續(xù)故障期間會(huì)燒斷保險(xiǎn)絲,可能引起以下這些更大范圍的停機(jī)和故障:
(1)吸收同樣的能量,分立器件需要更大的體積。
(2)參數(shù)離散,例如同樣是SMB封裝的78V TVS,其齊納擊穿電壓的范圍可達(dá)1V。
(3)持續(xù)或直流的瞬變,可能會(huì)燒斷保險(xiǎn)絲或TVS,需要人工維修。
(4)用于反向保護(hù)而串聯(lián)在功率通路上的二極管,會(huì)增加損耗并且?guī)?lái)熱的問(wèn)題。
ADI的革新技術(shù)——SURGE STOPPER
技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Alex Yang介紹了ADI的革新技術(shù)——SURGE STOPPER。
SURGE STOPPER能夠?qū)崿F(xiàn)怎樣的功能呢?
圖3 浪涌抑制器在汽車(chē)中的應(yīng)用
其功能的核心,就是能夠保護(hù)負(fù)載端的電子系統(tǒng)免受高壓沖擊。并且在電涌施加在系統(tǒng)前端時(shí),能夠確保系統(tǒng)不間斷運(yùn)行。當(dāng)系統(tǒng)的前端供電出現(xiàn)持續(xù)的或是直流故障時(shí),能夠斷開(kāi)負(fù)載連接,直至前端供電重新正常,保護(hù)系統(tǒng)自動(dòng)恢復(fù)供電。另一方面,假如后級(jí)出現(xiàn)故障,例如過(guò)載和短路,那么SURGE STOPPER也同樣可以保護(hù)前端供電不會(huì)被故障的負(fù)載所拖垮,可以干凈利落地切斷故障通道直至其恢復(fù)正常。
在實(shí)現(xiàn)核心功能的基礎(chǔ)上,SURGE STOPPER在設(shè)計(jì)中考慮了很多細(xì)節(jié)。例如,工程師可以對(duì)嵌位電壓進(jìn)行高精度的微調(diào),而不需要被動(dòng)地去TVS選型表中選出最接近自己需求的器件。這樣既便于工程師設(shè)計(jì)的更改和迭代,也可以最大限度地減少過(guò)度設(shè)計(jì),降低成本。
根據(jù)市場(chǎng)需求,ADI革新性地針對(duì)浪涌問(wèn)題研發(fā)了三類(lèi)產(chǎn)品,包括:線性浪涌抑制器,開(kāi)關(guān)浪涌抑制器,以及防護(hù)控制器。除此之外,ADI仍在不斷嘗試用新的思路解決浪涌問(wèn)題。
線性浪涌抑制器
在正常運(yùn)行期間,一個(gè)線性浪涌抑制器完全打開(kāi)MOSFET的溝道,為負(fù)載電流提供一個(gè)低電阻路徑。
當(dāng)輸入電源電壓出現(xiàn)波動(dòng)時(shí),輸出電壓會(huì)被線性地調(diào)節(jié)到一個(gè)由電阻分壓器設(shè)置的安全電壓,從而實(shí)現(xiàn)保護(hù)后級(jí)負(fù)載電路的目的。
在保護(hù)狀態(tài)下,后級(jí)電路會(huì)保持工作狀態(tài)。
圖4 線性浪涌抑制器
開(kāi)關(guān)浪涌抑制器
在正常運(yùn)行期間,開(kāi)關(guān)浪涌抑制器完全打開(kāi)外部MOSFET,讓功率順利通過(guò)保護(hù)級(jí),從而為后級(jí)負(fù)載供電。
當(dāng)輸入電壓浪涌發(fā)生時(shí),立刻切換工作模式,將外部MOSFET作為一個(gè)高效率的BUCK穩(wěn)壓器的一部分,通過(guò)限制輸出電壓和電流來(lái)保護(hù)關(guān)鍵的下游組件。
在保護(hù)狀態(tài)下,后級(jí)電路會(huì)保持工作狀態(tài)。
圖5 開(kāi)關(guān)浪涌抑制器
保護(hù)控制器
保護(hù)控制器在供電電壓出現(xiàn)異常時(shí)立即斷開(kāi)連接,從而達(dá)到保護(hù)后級(jí)電路的目的。
在保護(hù)狀態(tài)下,后級(jí)電路會(huì)停止工作。
以LTC4368為例,它可以實(shí)現(xiàn)過(guò)壓(OV)、欠壓(UV)、過(guò)流(OC)、反向輸入(RI)四種保護(hù),基本覆蓋了應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)會(huì)出現(xiàn)的各種工況,為后級(jí)電路提供了完善的保護(hù)解決方案。
圖6 LTC4368框圖
產(chǎn)品舉例
Alex分享了ADI的一款線性浪涌抑制器LT4363。
圖7 LT4363的電路架構(gòu)
LT4363簡(jiǎn)介
它能通過(guò)控制一個(gè)外部N溝道MOSFET的柵極,以在過(guò)壓過(guò)程中(比如:汽車(chē)應(yīng)用中的負(fù)載突降情況)調(diào)節(jié)輸出電壓。輸出被限制在一個(gè)安全的數(shù)值上,從而允許負(fù)載持續(xù)運(yùn)作。
LT4363還監(jiān)視SNS和OUT引腳之間的壓降,以防止遭受過(guò)流故障的影響。
不管在哪種故障條件下,定時(shí)器的起動(dòng)均與 MOSFET 應(yīng)力成反比。在定時(shí)器終止操作之前,F(xiàn)LT 引腳將被拉至低電平,以發(fā)出“即將斷電”的警告。如果該條件一直持續(xù),則 MOSFET 將關(guān)斷。在復(fù)位之前,LT4363-1 保持關(guān)斷,而LT4363-2則在一個(gè)冷卻周期之后重新起動(dòng)。
兩個(gè)高精度比較器能監(jiān)視輸入電源的過(guò)壓(OV)和欠壓(UV)情況。當(dāng)電壓低于UV門(mén)限時(shí),外部MOSFET保持關(guān)斷狀態(tài)。假如輸入電源電壓高于OV門(mén)限,則不允許MOSFET重新接通??梢圆捎帽硨?duì)背MOSFET來(lái)代替肖特基二極管以提供反向輸入保護(hù),從而減少壓降和功率損失。一個(gè)停機(jī)引腳負(fù)責(zé)將停機(jī)期間的靜態(tài)電流減小至7μA以下。
設(shè)計(jì)要點(diǎn)
過(guò)壓故障
在過(guò)壓情況發(fā)生時(shí),LT4363會(huì)通過(guò)控制MOSFET柵極電壓,使得MOSFET工作在可 變電阻區(qū),以保證輸出電壓采樣引腳FB上的電壓維持在1.275V。從而達(dá)到,將電壓嵌位在我們所設(shè)定的電壓上的目的。同時(shí),如果過(guò)電壓現(xiàn)象持續(xù)存在,則定時(shí)器會(huì)控制MOSFET關(guān)閉。
過(guò)流故障
當(dāng)出現(xiàn)短路或過(guò)流情況,LT4363會(huì)控制GATE引腳,以限制SNS和OUT引腳之間電流檢測(cè)電壓為50 mV。在輸出嚴(yán)重短路的情況下(一般指輸出電壓低于2V),電流檢測(cè)門(mén)限會(huì)由原來(lái)的50 mV降低至25mV,以降低MOSFET上的功率應(yīng)力。如果故障仍然持續(xù),則定時(shí)器會(huì)控制MOSFET關(guān)閉。
MOSFET的選型
LT4363通過(guò)驅(qū)動(dòng)一個(gè)N溝道MOSFET來(lái)導(dǎo)電負(fù)載電流。MOSFET的重要參數(shù)是導(dǎo)通電阻RDS(ON),漏源極電壓的最大值V(BR)DSS、柵極閾值電壓V(BR)GS以及SOA。
V(BR)DSS漏源極電壓的最大值
V(BR)DSS漏源極電壓的最大值必須高于最高電源電壓。如果在出現(xiàn)輸出短路接地或在過(guò)壓事件期間,MOSFET的源漏極會(huì)承受全部供電電壓。
V(BR)GS柵極驅(qū)動(dòng)電壓
對(duì)于VCC供電在9V以上的應(yīng)用,通用型的所需的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍在10V和16V之間;對(duì)于VCC供電在9V以下的應(yīng)用,N溝道MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,不能低于4.5V。
MOSFET的SOA
SOA(Safe Operation Area)是所有MOSFET中的一個(gè)參數(shù),以圖標(biāo)形式體現(xiàn)在規(guī)格書(shū)中。其中體現(xiàn)出相關(guān)聯(lián)的三個(gè)參數(shù)的關(guān)系:Vds、Id,以及時(shí)間T。以典型應(yīng)用的中的N-MOSFET:FDB33N25為例:
圖8 場(chǎng)效應(yīng)管FDB33N25 的SOA曲線
在選擇MOSFET的SOA時(shí),必須考慮所有故障條件下的情況;
在正常工作中,溝道是完全開(kāi)著的,所以損耗在MOSFET上的功率非常小;
在出現(xiàn)過(guò)壓或是過(guò)流故障時(shí),GATE引腳就會(huì)開(kāi)始控制MOSFET上DS兩端所承受的電壓或是流過(guò)MOSFET的電流。此時(shí)高電壓和大電流會(huì)同時(shí)存在于MOSFET當(dāng)中,因此必須謹(jǐn)慎地依照SOA數(shù)據(jù)來(lái)確定故障定時(shí)器的設(shè)置。
結(jié)語(yǔ)
LT4363只是ADI眾多浪涌抑制控制器系列中的一款,在汽車(chē)、工業(yè)等復(fù)雜供電環(huán)境中,世健提供的ADI浪涌抑制器能夠幫助產(chǎn)品抵御惡劣的供電環(huán)境,讓產(chǎn)品具備對(duì)抗各種浪涌傷害的能力,為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航。
原文標(biāo)題:【有獎(jiǎng)問(wèn)答】ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航
文章出處:【微信公眾號(hào):Excelpoint世健】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
-
二極管
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
9537瀏覽量
165593 -
電子器件
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
582瀏覽量
32045 -
浪涌抑制器
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
54瀏覽量
22981
原文標(biāo)題:【有獎(jiǎng)問(wèn)答】ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航
文章出處:【微信號(hào):Excelpoint世健,微信公眾號(hào):Excelpoint世健】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論