手持式電子產(chǎn)品PCB的設(shè)計(jì)趨勢(shì)

為手持式電子產(chǎn)品Battery Power Rail量身打造的ESD/Surge防護(hù)方案手持式電子產(chǎn)品PCB的設(shè)計(jì)趨勢(shì) --- 小，還要更小

因物聯(lián)網(wǎng)為日常生活所帶來(lái)的便捷，為使電子產(chǎn)品的使用及攜帶上更為便利，各產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師亦持續(xù)挑戰(zhàn)在更小的PCB空間與更高的電子電路集成度之下完成更完備的產(chǎn)品功能。如日常生活常見(jiàn)的手機(jī)、智能穿戴裝置、無(wú)線(xiàn)耳機(jī)、電子煙，甚至是未來(lái)備受矚目的AR眼鏡，皆以使用0201小封裝的元件作為電子線(xiàn)路設(shè)計(jì)的主流，甚至是更高集成度的System-in-Package (SiP)應(yīng)用亦已屬常見(jiàn)。

Battery Power Rail的ESD/Surge防護(hù)需求

每當(dāng)用戶(hù)將電子產(chǎn)品Power on時(shí)，Power Rail上時(shí)常會(huì)出現(xiàn)Power Spike。抑或如使用者拆裝電池時(shí)，也會(huì)使電子產(chǎn)品的Battery Power Rail暴露在外在靜電干擾甚至被破壞的風(fēng)險(xiǎn)之中，因此各產(chǎn)品研發(fā)工程師在設(shè)計(jì)自家產(chǎn)品時(shí)，皆會(huì)針對(duì)此種突波(ESD、Surge Spike)做妥防護(hù)設(shè)計(jì)以提升產(chǎn)品可靠度。并且于產(chǎn)品工程階段時(shí)進(jìn)行IEC61000-4-2靜電防護(hù)驗(yàn)證以及IEC61000-4-5EOS測(cè)試，以嚴(yán)苛的突波仿真結(jié)果來(lái)確保產(chǎn)品本身能適應(yīng)用戶(hù)所身處的各種環(huán)境。

圖一：Power Switch-on時(shí)遭遇Surge Spike案例

針對(duì)不同國(guó)家的氣候環(huán)境，電子業(yè)界面臨的挑戰(zhàn)

為使電子產(chǎn)品銷(xiāo)售到不同的國(guó)家能適應(yīng)當(dāng)?shù)貧夂驐l件，各品牌廠皆會(huì)以較嚴(yán)苛的測(cè)試條件來(lái)模擬使用者身處環(huán)境所可能遭遇的突波類(lèi)型。常見(jiàn)的如手機(jī)產(chǎn)品于設(shè)計(jì)時(shí)多會(huì)考慮要銷(xiāo)售至氣候較干燥或是電力電源較為不穩(wěn)定的環(huán)境，因此在設(shè)計(jì)驗(yàn)證階段時(shí)多會(huì)針對(duì)Battery Power Rail及USB Charger VBUS 進(jìn)行較為嚴(yán)苛的IEC61000-4-5EOS測(cè)試，以預(yù)防產(chǎn)品在環(huán)境較嚴(yán)苛的區(qū)域引起較高的不良返修。為通過(guò)High Level IEC61000-4-5EOS測(cè)試，產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師常會(huì)挑選TVS置于Battery Power Rail及USB Charger VBUS處，使得ESD及Surge Spike由外部進(jìn)來(lái)時(shí)即被TVS所擋下。然而，因手持式電子產(chǎn)品受局限的PCB面積，市面上小封裝TVS元件因受Die Size的局限往往無(wú)法承受高浪涌電流。這也使產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師必須考慮挑選更大封裝的TVS元件以通過(guò)嚴(yán)苛的EOS測(cè)試，即必須在產(chǎn)品PCB面積大小及ESD/Surge高耐受度之間做取舍。如何能同時(shí)符合占用少PCB面積及高ESD/Surge耐受度，時(shí)常成為工程師于產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)的難題。

ESD/Surge Protection Device for Battery Power Rail --- Design Scenario

理想的TVS for Battery Power Rail不僅要具備高浪涌耐受電流，為達(dá)到更低功耗(Power Consumption)以提供電子產(chǎn)品更高的電池續(xù)航力，Leakage Current (逆向漏電流)亦是重要的指標(biāo)參數(shù)。而除了TVS自身的耐受度以及漏電流之外，對(duì)于TVS而言最重要的參數(shù)仍屬于箝制電壓(Clamping Voltage)。為了確保TVS發(fā)揮良好的保護(hù)能力，選擇TVS時(shí)仍應(yīng)最先保證箝制電壓要夠低，如此一來(lái)即可避免TVS在未受損的狀況下，受保護(hù)的主芯片于靜電沖擊的當(dāng)下仍遭損毀的情況發(fā)生， 失去了添加ESD防護(hù)元件的目的。

許多工程師在挑選Battery Power Rail的TVS元件時(shí)，為預(yù)防各電池電壓不穩(wěn)定所帶來(lái)TVS誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)，會(huì)選擇更高VRWM 的TVS以預(yù)留電壓余裕。但是更高VRWM的方案即代表更高VBD (崩潰電壓)及Vclamp(箝制電壓)的表現(xiàn)，在規(guī)格設(shè)計(jì)上如何同時(shí)具備操作電壓余裕及良好的TVS箝制電壓，亦常常使工程師陷入兩難。

最后則是TVS的方向性，因Battery Power Rail上為直流電壓，理想上會(huì)選擇單向TVS即能帶來(lái)更快的負(fù)向?qū)ㄋ俣燃案玫呢?fù)向箝制電壓。然而，早期電子產(chǎn)品于產(chǎn)線(xiàn)大量生產(chǎn)時(shí)偶然會(huì)遭遇0201小封裝元件SMT上件貼反的困擾，而迫使工程師于設(shè)計(jì)時(shí)妥協(xié)采用雙向TVS以避免該風(fēng)險(xiǎn)。也因?yàn)榇税l(fā)展趨勢(shì)，目前市面上0201小封裝TVS元件仍以雙向元件主導(dǎo)市場(chǎng)。而近年小封裝元件漸成市場(chǎng)主流，以及如0201小封裝Schottky Diode需求的迫使之下，SMT量產(chǎn)技術(shù)日漸成熟，在PCB板上的方向性記號(hào)以及IC卷帶與IC單體Marking標(biāo)示的多重輔助之下，漸漸已克服小封裝組件于SMT方向性的困擾。許多工程師在選擇TVS for Battery Power Rail時(shí)，即便是0201小封裝，仍堅(jiān)持采用單向組件以提供最佳的保護(hù)效果。

圖二：?jiǎn)蜗騎VS的優(yōu)勢(shì) --- Optimized Negative Clamping Voltage

茲整理ESD/Surge Protection Device for Battery Power Rail設(shè)計(jì)重點(diǎn)如下：

Amazing Optimized ESD Protection Solution for Battery Power Rail ---AZ5A16-01M

綜合上述，晶焱科技為Battery Power Rail應(yīng)用設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)合適的TVS Solution --- AZ5A16-01M，規(guī)格簡(jiǎn)介如下：

?Package: MCSP0603P2Y (0201)

?Directivity: Uni-Directional

?Reverse Stand-off Voltage: 6V

?ESD Clamping Voltage at 8kV: 9V

?System Level ESD Robustness (IEC61000-4-2): 30kV

?Surge Ipp (8/20μs): 20A

?Reverse Leakage Current: < 100nA ??

AZ5A16-01M不僅可提供4.5V、5V等Battery Power Rail良好的電壓余裕，同時(shí)更具備低逆向漏電特性以提供產(chǎn)品具備更佳的電池續(xù)航能力。而在享有此兩點(diǎn)優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，雖然具備較高的VRWM特性，卻仍未在箝制電壓特性上有所犧牲。AZ5A16-01M與目前市面上0201單向5V – 6V TVS產(chǎn)品相比仍具備更低的箝制電壓以提供最佳的保護(hù)效果，其單向特性更確保擁有優(yōu)化的負(fù)向保護(hù)效果。

圖三：AZ5A16-01M TLP Diagram --- ESD Clamping Voltage

圖四：AZ5A16-01M Surge Clamping Voltage

為提供小型手持式裝置更彈性的PCB空間規(guī)劃，AZ5A16-01M采用MCSP0603P2Y小封裝設(shè)計(jì)，并且為確保產(chǎn)品Battery Power Rail能通過(guò)高規(guī)格IEC61000-4-5EOS測(cè)試，AZ5A16-01M更具備業(yè)界最高等級(jí)Surge Robustness高達(dá)20A (8/20μs)。此規(guī)格能幫助工程師于設(shè)計(jì)時(shí)滿(mǎn)足小封裝及高Surge耐受能力，同時(shí)擺脫小PCB空間及高Surge耐受之間的Trade-off煩惱。

圖五：AZ5A16-01M Package & Pin Configuration

最后，AZ5A16-01M采用MCSP特殊封裝設(shè)計(jì)，雖與傳統(tǒng)CSP封裝同屬Wafer-level Package，MCSP封裝則更具備六面Coating層保護(hù)以提供更強(qiáng)的封裝結(jié)構(gòu)以及SMT上板推力能力，使AZ5A16-01M能在具備小封裝優(yōu)勢(shì)的同時(shí)仍能滿(mǎn)足品牌廠嚴(yán)格的SMT Push Strength Test測(cè)試規(guī)格。

圖六：MCSP封裝結(jié)構(gòu)

由于AZ5A16-01M針對(duì)Battery Power Rail所需的各項(xiàng)規(guī)格而量身訂作的特殊設(shè)計(jì)，能提供市場(chǎng)上愈來(lái)越多的IoT穿戴式產(chǎn)品更強(qiáng)的系統(tǒng)級(jí)ESD耐受能力，以及避免產(chǎn)品遭受EOS破壞而導(dǎo)致的不良返修，并同時(shí)能兼顧良好的電池續(xù)航力與Compact Device之PCB設(shè)計(jì)需求，借此解決產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師們于設(shè)計(jì)時(shí)可能遇到的兩難處境，加快產(chǎn)品導(dǎo)入市場(chǎng)的時(shí)程。

審核編輯：湯梓紅