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一款擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的基于第一性原理的輸運(yùn)軟件

鴻之微 ? 來源:鴻之微 ? 作者:鴻之微 ? 2022-08-16 10:27 ? 次閱讀

Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過程,是目前國內(nèi)唯一一款擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的基于第一性原理的輸運(yùn)軟件??深A(yù)測材料的電流 - 電壓特性、電子透射幾率等眾多輸運(yùn)性質(zhì)。

迄今為止,Nanodcal 已成功應(yīng)用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導(dǎo)體電子器件設(shè)計等重要研究課題中,并將逐步推廣到更廣闊的電子輸運(yùn)性質(zhì)研究的領(lǐng)域。

本期將給大家介紹Nanodcal自旋器件1.1的內(nèi)容。

1. 自旋器件

1.1. 自旋極化原子鏈的透射譜

碳不具有天然磁性,但當(dāng)鏈中的原子間距足夠大且不過大時,電子基態(tài)實際上是自旋極化的。該系統(tǒng)當(dāng)然是高度人為的,而且這種選擇也只是出于說明方法的目的。本教程的模型結(jié)構(gòu)如下:

bbc18be0-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

1.1.1. Device Studio建立一維碳鏈模型

(1)雙擊圖標(biāo)DeviceStudio快捷方式”打開軟件;

(2)選擇Create a new ProjectOK文件名:C atomic chain,保存類型:ProjectFiles(*.hpf)→保存即可;

(3)點擊Build→Crystal,構(gòu)建晶格并添加C原子,其中a=b=12 ?.c=2.9 ?,α=β=γ=90°,C原子位于晶格中心,點擊PreviewBuild,如圖:

bbdd7fda-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

構(gòu)建單個C原子晶胞圖形界面

Tip: 沿A和B方向采用周期性邊界條件,因此我們使用較大的a = 12?晶胞矢量來最大程度地減少沿著A和B的鏈重復(fù)圖像之間的靜電相互作用。

(4)點擊BuildRedefine Crystal,在c方向上擴(kuò)胞18倍,PreviewBuild

bc0223bc-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

擴(kuò)胞的圖形界面

(5)點擊按鈕Convert to Device,設(shè)置左右電極的長度為-77,點擊PreviewBuild,得到1D碳原子鏈器件模型,如圖:

bc2269d8-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

晶體轉(zhuǎn)換為器件的圖形界面

(6)點擊SimulatorNanodcalSCF CalculationGeneratefile,設(shè)置參數(shù)并生成自洽計算所需的輸入文件。

1.1.2. 計算自旋平行透射譜

現(xiàn)在,利用Nanodcal對自旋平行態(tài)下的器件進(jìn)行NEGF-DFT計算,并為該自旋構(gòu)型計算電子透射譜。本節(jié)將以碳-碳-碳(C-C-C)體系為例, 講 Two-probe 體系電子自洽計算,分為以下三個步驟:(1)電極的自洽計算;(2)中心區(qū)的自洽計;(3)電子透射譜的計算。

Notes: 碳-碳-碳體系采用完全相同的左、右電極,故只需對其中一個電極進(jìn)行自洽計算。

1.1.2.1. 電極自洽計算

(1) 準(zhǔn)備輸入文件 結(jié)構(gòu)文件、參數(shù)文件:scf.input;基組文件:C_LDA_DZP?.nad

%%What quantities should be calculatedcalculation.name = scf%Basic settingcalculation.occupationFunction.temperature = 100calculation.realspacegrids.E_cutoff = 80 Hartreecalculation.xcFunctional.Type = LDA_PZ81calculation.k_spacegrids.number = [ 1 1 100 ]'system.centralCellVectors = [[12 0 0]' [0 12 0]' [0 0 7]']system.spinType = CollinearSpin%Iteration controlcalculation.SCF.monitoredVariableName={'rhoMatrix','hMatrix','totalEnergy','bandEnergy','gridCharge','orbitalCharge','spinPolar'}calculation.SCF.convergenceCriteria = {1e-04,1e-04,[],[],[],[],[]}calculation.SCF.maximumSteps = 200calculation.SCF.mixMethod = Pulaycalculation.SCF.mixRate = 0.1calculation.SCF.mixingMode = Hcalculation.SCF.startingMode = H%calculation.SCF.donatorObject = NanodcalObject.mat%Basic setsystem.neutralAtomDataDirectory = '../'system.atomBlock = 3AtomType OrbitalType X Y Z SpinPolarizationC       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      7.25000000      0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      4.35000000      0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      1.45000000      0.5end

(2)自洽計算 在Device Studio的Project窗口中,右擊scf.input,RunRun即開始自洽計算

1.1.2.2. 中心區(qū)自洽計算

(1)準(zhǔn)備輸入文件:結(jié)構(gòu)文件、參數(shù)文件scf.input;基組文件C_LDA_DZP?.nad

%%What quantities should be calculatedcalculation.name = scf%Basic settingcalculation.occupationFunction.temperature = 100calculation.realspacegrids.E_cutoff = 80 Hartreecalculation.xcFunctional.Type = LDA_PZ81calculation.k_spacegrids.number = [ 1 1 1 ]'%Description of electrodesystem.numberOfLeads = 2system.typeOfLead1 = leftsystem.voltageOfLead1 = 0system.objectOfLead1 = ../LeftElectrode/NanodcalObject.matsystem.spinDirectionOfLead1 = [0 0 1]system.typeOfLead2 = rightsystem.voltageOfLead2 = 0system.spinDirectionOfLead2 = [0 0 1]system.objectOfLead2 = ../RightElectrode/NanodcalObject.mat%Contour integral%calculation.complexEcontour.lowestEnergyPoint = 1.5 Hartreecalculation.complexEcontour.numberOfPoints = 40calculation.realEcontour.interval = 0.0272114calculation.realEcontour.eta = 0.0272114system.centralCellVectors = [[12 0 0]' [0 12 0]' [0 0 34.8]']system.spinType = CollinearSpin%Iteration controlcalculation.SCF.monitoredVariableName={'rhoMatrix','hMatrix','totalEnergy','bandEnergy','gridCharge','orbitalCharge','spinPolar'}calculation.SCF.convergenceCriteria = {1e-04,1e-04,[],[],[],[],[]}calculation.SCF.maximumSteps = 200calculation.SCF.mixMethod = Pulaycalculation.SCF.mixRate = 0.05calculation.SCF.mixingMode = Hcalculation.SCF.startingMode = H%calculation.SCF.donatorObject = NanodcalObject.mat%Basic setsystem.neutralAtomDataDirectory = '../'system.atomBlock = 12AtomType OrbitalType X Y Z SpinPolarizationC       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      33.35000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      24.65000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      15.95000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      7.25000000      0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      30.45000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      21.75000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      13.05000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      4.35000000      0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      27.55000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      185000000       0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      10.15000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      1.45000000      0.5end

(2)自洽計算

在Device Studio的Project窗口中,右擊scf.inputRunRun即開始自洽計算會產(chǎn)生以下輸出文件:log.txt、NanodcalObject.mat、TotalEnergy.mat、Temporarydata

自洽收斂后,我們就可以計算體系的各種物理性質(zhì)。

小貼士:做電極自洽時,周期方向K點取多(10左右),輸運(yùn)方向K點取較多,真空方向K點取1;做中心區(qū)自洽時,周期方向K點取多(10左右),輸運(yùn)和真空方向K點取1;做Transmission計算時,周期方向K點取很多(100以上),輸運(yùn)和真空方向K點取1。

備注一:關(guān)于電極自洽輸運(yùn)方向取多

(1)當(dāng)電極是一維體系時,此處K點建議取到100;

(2)當(dāng)電極是二維和三維材料時,此處K點可取10左右。

初學(xué)者可以根據(jù) Nanodcal 自動默認(rèn)的k-spacegrids.number值來進(jìn)行設(shè)置。做法是先將自洽計算輸入文件中calculation.k_spacegrids.number一行注釋掉, 再進(jìn)行自洽計算。計算結(jié)束后,讀取 Nanodcal 自動給出的 k-space grid numbers 即可。

1.1.2.3. 電子透射譜計算
  • (1)在中心區(qū)自洽計算的基礎(chǔ)上,準(zhǔn)備輸入文件Transmission.input操作如下:

  • 點擊SimulatorNanodcalAnalysisTransmission→->→Generatefiles

system.object = NanodcalObject.mat
calculation.name = transmission
calculation.transmission.kSpaceGridNumber = [ 1 1 1 ]'
calculation.transmission.energyPoints = -66     表示能量點的選取范圍是:-2到2 eV,間隔為 0.01 eV。
calculation.transmission.plot = true
calculation.control.xml = true

(2)在Device Studio的Project窗口中,右擊Transmission.input,RunRun即開始透射譜計算;

計算結(jié)束后,會產(chǎn)生以下輸出文件:Transmission.matTransmission.xml、Transmission.figCalculatedResults.mat和log.txt。

(3)輸出文件Transmission.xml在Device Studio中可視化分析,如圖:

bc4d2934-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

自旋平行態(tài)下的透射譜

上圖繪制了自旋向上(藍(lán)色)和自旋向下(紅色)的透射譜,并且它們之間存在顯著差異:在費(fèi)米能級處,自旋向下的透射率為零,自旋向上的透射率是3

1.1.3. 計算自旋反平行透射譜

現(xiàn)在,進(jìn)行自旋反平行態(tài)下的計算,并將透射譜與自旋平行情況進(jìn)行比較。已計算的自旋平行態(tài)將用作反平行態(tài)計算的初始猜想。

(1)自旋反平行態(tài)下的電極自洽計算與自旋平行態(tài)下的所有輸入文件一致;

(2)中心區(qū)自洽輸入文件scf.input與平行態(tài)下的區(qū)別在于以下參數(shù),其他參數(shù)一致

%Description of electrodesystem.numberOfLeads = 2system.typeOfLead1 = leftsystem.voltageOfLead1 = 0system.objectOfLead1 = ../LeftElectrode/NanodcalObject.matsystem.spinDirectionOfLead1 = [0 0 1]      %電極1的自旋方向system.typeOfLead2 = rightsystem.voltageOfLead2 = 0system.spinDirectionOfLead2 = [0 0 -1]      %電極2的自旋方向system.objectOfLead2 = ../RightElectrode/NanodcalObject.mat

(3)在中心區(qū)自洽計算的基礎(chǔ)上,進(jìn)行透射譜計算,方法與1.2.3小節(jié)相同。計算結(jié)束后,輸出文件Transmission.xml在Device Studio中可視化分析,如圖:

bc65e046-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

自旋反平行態(tài)下的透射譜

在這種情況下,正如器件的對稱性可預(yù)期的那樣,兩個自旋分量具有相同的透射譜。

(4)最后,處理數(shù)據(jù)得到自旋平行和反平行態(tài)下總的透射譜,如圖:

bc840544-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

自旋平行和反平行態(tài)下總的透射譜

由圖可知,在費(fèi)米能級附近,自旋平行態(tài)(藍(lán)色)的透射明顯大于反平行態(tài)(紅色)的透射。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:產(chǎn)品教程|Nanodcal自旋器件(自旋極化原子鏈的透射譜)

文章出處:【微信號:hzwtech,微信公眾號:鴻之微】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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    發(fā)展的產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,能承接國家重大、重點產(chǎn)業(yè)發(fā)展項目,具備自主知識產(chǎn)權(quán)能力,積極開展知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)和運(yùn)用,建立全面的知識產(chǎn)權(quán)管理制度和機(jī)制,具有知識產(chǎn)權(quán)綜合實力的企業(yè)。 拉普拉斯此次入選,表
    的頭像 發(fā)表于 11-16 14:27 ?501次閱讀

    帝奧微電子榮獲國家知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢企業(yè)

    發(fā)展的產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,能承接國家和省市重大、重點產(chǎn)業(yè)發(fā)展項目,具備自主知識產(chǎn)權(quán)能力,積極開展知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)和運(yùn)用,建立全面的知識產(chǎn)權(quán)管理制度和機(jī)制,具有知識產(chǎn)權(quán)綜合實力的企業(yè),是中國
    的頭像 發(fā)表于 11-15 09:34 ?436次閱讀
    帝奧微電子榮獲國家<b class='flag-5'>知識產(chǎn)權(quán)</b>優(yōu)勢企業(yè)