0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC,用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

瑞薩電子 ? 來(lái)源:瑞薩電子 ? 2023-02-02 11:09 ? 次閱讀

新品速遞

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)宣布,推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)(EV)逆變器IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET高壓功率器件。

柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車(chē)逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄?lái)自MCU的控制信號(hào),并將這些信號(hào)傳遞至高壓域,快速開(kāi)啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車(chē)輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kVrms(kV均方根)隔離器,比上一代產(chǎn)品(R2A25110KSP)的2.5kVrms隔離器更高,可支持耐壓高達(dá)1200V的功率器件。此外,全新驅(qū)動(dòng)IC擁有150V/ns(納秒)或更高的CMTI(共模瞬態(tài)抗擾度)性能,在滿足逆變器系統(tǒng)所需的高電壓和快速開(kāi)關(guān)速度的同時(shí),帶來(lái)可靠的通信與更強(qiáng)的抗噪能力。新產(chǎn)品在小型SOIC16封裝中實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)器的基本功能,使其成為低成本變頻器系統(tǒng)的理想選擇。

RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產(chǎn)品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。除適用于牽引逆變器外,該柵極驅(qū)動(dòng)器IC還非常適合采用功率半導(dǎo)體的各類(lèi)應(yīng)用,如車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器。為助力開(kāi)發(fā)商將產(chǎn)品迅速推向市場(chǎng),瑞薩推出xEV逆變器套件解決方案,該方案將柵極驅(qū)動(dòng)IC與MCU、IGBT和電源管理IC相結(jié)合,并計(jì)劃在2023年上半年發(fā)布包含新柵極驅(qū)動(dòng)IC的版本。

xEV逆變器套件解決方案

瑞薩電子汽車(chē)模擬應(yīng)用特定業(yè)務(wù)部副總裁大道昭表示:“瑞薩很高興面向車(chē)載應(yīng)用推出具有高隔離電壓和卓越CMTI性能的第二代柵極驅(qū)動(dòng)IC。我們將繼續(xù)推動(dòng)針對(duì)電動(dòng)車(chē)輛的應(yīng)用開(kāi)發(fā),打造能減少電力損失并滿足用戶系統(tǒng)高水平功能安全性的解決方案?!?/span>

RAJ2930004AGM柵極驅(qū)動(dòng)IC的

關(guān)鍵特性

隔離能力

耐受隔離電壓:3.75kVrms

CMTI(共模瞬態(tài)抗擾度):150V/ns

柵極驅(qū)動(dòng)能力

輸出峰值電流:10A

保護(hù)/故障檢測(cè)功能

片上有源米勒鉗制

軟關(guān)斷

過(guò)流保護(hù)(DESAT保護(hù))

欠壓鎖定(UVLO)

故障反饋

工作溫度范圍

-40至125°C(Tj:最高150°C)

該產(chǎn)品將通過(guò)實(shí)現(xiàn)高成本效益的逆變器來(lái)推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)采用率的提升,從而最大限度減少對(duì)環(huán)境的影響。

供貨信息

RAJ2930004AGM柵極驅(qū)動(dòng)IC現(xiàn)可提供樣片,并計(jì)劃在2024年第一季度量產(chǎn)。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 驅(qū)動(dòng)IC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    295

    瀏覽量

    33718
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2732

    瀏覽量

    62360
  • 瑞薩電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    37

    文章

    2828

    瀏覽量

    72120
  • 柵極驅(qū)動(dòng)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    182

    瀏覽量

    23096
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    柵極驅(qū)動(dòng)ic和源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)ic選型看哪些參數(shù)

    一、柵極驅(qū)動(dòng)IC與源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)IC和源極在電子
    的頭像 發(fā)表于 10-07 16:20 ?352次閱讀

    柵極驅(qū)動(dòng)ic和源極的區(qū)別在哪

    柵極驅(qū)動(dòng)IC是一種集成電路,用于控制功率MOSFETIGBT的開(kāi)關(guān)行為。它負(fù)責(zé)提供適當(dāng)?shù)?/div>
    的頭像 發(fā)表于 09-18 09:45 ?462次閱讀

    使用隔離式 IGBTSiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的 HEV/EV 牽引逆變器設(shè)計(jì)指南

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用隔離式 IGBTSiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的 HEV/EV 牽引
    發(fā)表于 09-11 14:21 ?0次下載
    使用隔離式 <b class='flag-5'>IGBT</b> 和 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>器的 HEV/<b class='flag-5'>EV</b> 牽引<b class='flag-5'>逆變器</b>設(shè)計(jì)指南

    英飛凌推出新款雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC

    英飛凌近期推出的EiceDRIVER? 2ED314xMC12L系列,是一款專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)Si MOSFETIGBTSiC
    的頭像 發(fā)表于 09-03 14:55 ?516次閱讀

    igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件

    IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:48 ?731次閱讀

    什么是柵極驅(qū)動(dòng)器?柵極驅(qū)動(dòng)器的工作原理

    的信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓、高電流的脈沖來(lái)控制MOSFETIGBT柵極,從而提高這些器件的性能、可靠性和使用壽命。柵極驅(qū)動(dòng)器在現(xiàn)代電力
    的頭像 發(fā)表于 07-19 17:15 ?7808次閱讀

    柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的原理是什么

    柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片是一種用于控制功率電子器件(如
    的頭像 發(fā)表于 06-10 17:23 ?1278次閱讀

    Littelfuse發(fā)布IX4352NE低側(cè)SiC MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)

    近日,Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這款
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:34 ?689次閱讀

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:26 ?760次閱讀

    用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)

    :LFUS)是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFETIGBT
    發(fā)表于 05-23 11:23 ?749次閱讀
    <b class='flag-5'>用于</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>和高功率<b class='flag-5'>IGBT</b>的IX4352NE低側(cè)<b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>器

    如何更好地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件?

    IGBT驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門(mén)極
    的頭像 發(fā)表于 05-13 16:10 ?528次閱讀

    意法半導(dǎo)體推出新型功率MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)

    意法半導(dǎo)體(ST)近日推出了一系列功率MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性,還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性
    的頭像 發(fā)表于 03-12 10:54 ?730次閱讀

    基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)方案

    適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對(duì)比
    發(fā)表于 01-26 10:25 ?450次閱讀
    基于<b class='flag-5'>SiC</b>功率模塊的高效<b class='flag-5'>逆變器</b>設(shè)計(jì)方案

    隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN)

    報(bào)告內(nèi)容包含: 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)
    發(fā)表于 12-18 09:39 ?503次閱讀
    隔離式<b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>器的演變(<b class='flag-5'>IGBT</b>/<b class='flag-5'>SiC</b>/GaN)

    ROHM推出新型BD2311NVX-LB柵極驅(qū)動(dòng)IC

    ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB柵極驅(qū)動(dòng)IC。該器件可實(shí)現(xiàn)納秒 (ns) 級(jí)的柵極
    的頭像 發(fā)表于 11-14 15:04 ?936次閱讀