淺談QFN成熟封裝技術(shù)

經(jīng)過多年積累，長電科技目前可為全球客戶提供多樣化的封裝技術(shù)解決方案，包括Lead Frame打線封裝、Laminate打線封裝、fcBGA倒裝封裝、fcCSP倒裝封裝、SiP系統(tǒng)級封裝、WLCSP/eWLB/ECP等扇入型/扇出型晶圓級封裝、PoP堆疊封裝、2.5D/3D芯片堆疊封裝、以及XDFOIChiplet系列晶圓級封裝等技術(shù)。

在持續(xù)發(fā)力先進封裝技術(shù)的同時，長電科技也不斷推動傳統(tǒng)封裝技術(shù)的先進化，使其滿足日益多元化的應用需求。

以四方扁平無引腳（QFN）封裝為例，作為一種基于引腳框架的塑封芯片級封裝（CSP），長電科技QFN可為客戶提供對尺寸、重量以及熱性能和電氣性能具有高要求的解決方案。QFN的電氣連接是通過位于元件底部的焊盤連接到PCB表面實現(xiàn)的。QFN封裝已被證明可成功用于許多應用，例如無線手機、電源管理、模擬基帶和藍牙設備。長電科技的QFN和雙扁平無引線（DFN）封裝產(chǎn)品包括QFNs、QFNp、VQFN、WQFN、UQFN、XQFN、QFNp-dr和QFNs-mr。

長電科技針對QFN后道可以采用沖壓或封裝成品切割方式。沖壓分離是在封裝流程的最后把塑封過的封裝體通過沖壓的方式從整條框架上分離出來，而以陣列式排布的封裝體可以通過封裝體切割的方式在最終的切割工序里把單顆的元器件分離出來。

QFNp是一種通過沖壓方式分離的封裝方式，具有薄、輕的外形和出色的散熱性能。QFNp提供比傳統(tǒng)引線框架封裝更緊湊、性能更高且更具成本效益的解決方案，尤其適用于移動和手持應用。

QFNp-dr是一種沖壓方式的雙排封裝，具有在更小的面積中可顯著增加I/O引腳數(shù)量。提高QFNp-dr性能的關鍵是在其具有兩排交錯I/O的引線框架設計中帶有裸露芯片焊盤的引腳用于芯片接地和改進的熱性能。

封裝切割方式的多排QFN（QFNs-mr）封裝是通過切割形成的封裝體并呈現(xiàn)出正方形或者長方形的LGA形式。通過使用切割制造工藝，在相同的封裝尺寸中可以以多層形式為客戶提供更多I/O數(shù)量。

技術(shù)亮點

沖壓或者成品切割方式

產(chǎn)品封裝尺寸從1.0×1.3mm到12×12mm

引腳數(shù)量從4到156

引腳間距：0.40、0.50、0.65和0.80mm

提供引腳數(shù)量、引腳間距定制化

產(chǎn)品封裝厚度：0.45、0.55、0.75、0.85和0.90mm

提供金線或銅線鍵合

多晶片（die）封裝

提供JEDEC定義的多種厚度選擇（V、W、U、X）

產(chǎn)品重量減少33%（16L TSSOP vs. 16L QFN）

產(chǎn)品尺寸占用電路板面積減少50%（16L TSSOP vs. 16L QFN）

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長電科技擁有持續(xù)優(yōu)化的量產(chǎn)解決方案，依托全員參與，持續(xù)改善的方針，不斷提升技術(shù)水平，從而提升客戶產(chǎn)品開發(fā)速度，助力其市場開拓。

審核編輯 ：李倩