1、光電子芯片、硅晶圓、半導(dǎo)體激光器巴條EL檢測(cè)
某些生產(chǎn)光電子芯片的公司,生產(chǎn)的光電子芯片,在注入低電流時(shí)就會(huì)發(fā)出近紅外波長(zhǎng)的光,但是,如何去判斷這個(gè)器件是好的還是壞的,能否達(dá)到合格要求呢?這時(shí)候就會(huì)用到近紅外相機(jī),在注入低電流時(shí),根據(jù)光電子芯片表面或者側(cè)面的發(fā)光情況,就可以判定該芯片是否有斷點(diǎn)、均勻性。硅基晶圓和半導(dǎo)體激光器巴條,在注入電流的時(shí)候,也會(huì)發(fā)光,這樣就可以判斷芯片是否有裂痕、斷線等情況。
圖1 多晶硅電致發(fā)光圖像
2.IC電路內(nèi)部檢測(cè)
另外,光具有一定的穿透性,什么是穿透性呢,就是我照射一束光在物體表面,但是光不僅僅停留在表面,也會(huì)深入到物體的內(nèi)部,穿透深度取決于材料,也和照射光的波長(zhǎng)有關(guān),一般波長(zhǎng)越長(zhǎng),穿透深度越深。
圖2 穿透深度示例
在某些半導(dǎo)體行業(yè)中,就可以用紅外光這種比較好的穿透性,去觀測(cè)物體內(nèi)部結(jié)構(gòu)。例如,生產(chǎn)IC電路的公司,可以用近紅外光去照射IC電路表面,光線可以穿過表面,進(jìn)入IC電路內(nèi)部,IC電路內(nèi)部反射回的光,用近紅外相機(jī)去觀測(cè),就可以看到內(nèi)部是否有裂痕、空鼓等。
圖3 鍵合晶圓內(nèi)部空鼓檢測(cè)
3.倒裝芯片(Flip chip)標(biāo)記點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)檢查
我們手機(jī)、電腦等電子設(shè)備中有大量的芯片,這種芯片在結(jié)構(gòu)上并不是一層,而是很多很多層的疊加,例如芯片設(shè)計(jì)生產(chǎn)中常用的倒裝芯片(FC),芯片面朝下,芯片與基板或芯片與芯片之間,有設(shè)置的標(biāo)記點(diǎn)相互對(duì)應(yīng),標(biāo)記點(diǎn)錯(cuò)位則說明芯片生產(chǎn)沒有達(dá)到較為理想狀態(tài)。用這種芯片的檢測(cè),同樣可以使用近紅外光進(jìn)行穿透芯片內(nèi)部,再用近紅外相機(jī)去觀察反射回的光路,就可以看到多層芯片之間是否有位移。
圖4 標(biāo)記點(diǎn)示意圖
4.光通訊器件耦合情況判斷
在光通訊領(lǐng)域,一般使用的激光波長(zhǎng)為1550nm和1310nm,正好位于InGaAs相機(jī)的光譜響應(yīng)波段內(nèi),某些應(yīng)用需要將光從光纖耦合進(jìn)芯片或光波導(dǎo)的光回路中,從芯片或光波導(dǎo)的另外一端觀察輸出光的形貌及光強(qiáng)度,是圓形光斑還是其他光斑,可以用于判斷耦合情況及計(jì)算傳輸損耗。
圖5 1550nm半導(dǎo)體激光器光斑分析
審核編輯黃宇
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