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EAB450M12XM3簡介:Wolfspeed首款車規(guī)級碳化硅功率模塊

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:wolfspeed ? 作者:wolfspeed ? 2023-05-20 15:25 ? 次閱讀

如今,許多市場都受益于碳化硅(SiC)技術(shù)所帶來的優(yōu)勢,尤其是汽車行業(yè)。相對于傳統(tǒng)硅(Si)組件,SiC 的性能更高,使系統(tǒng)的開關(guān)速度、工作溫度、功率密度、整體效率更高,同時功耗更低。Wolfspeed SiC 器件產(chǎn)品組合涵蓋廣泛的功率水平和應(yīng)用場景,從用于低功率的分立器件產(chǎn)品,到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸以及優(yōu)化尺寸的高功率模塊產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)了功率連續(xù)性。EAB450M12XM3 是此大功率模塊器件產(chǎn)品系列的最新成員。

Wolfspeed 功率模塊產(chǎn)品線包括 WolfPACK 模塊,這些模塊提供符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的無基板式封裝,工作電壓和電流分別高達(dá) 1.2 kV 和 200 A。更高功率的模塊采用優(yōu)化程度更高的封裝,適用于要求苛刻的應(yīng)用場景。該組合中的所有模塊都旨在實(shí)現(xiàn)相同的目標(biāo),即,最大限度地提高功率密度、簡化布局/組裝、實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展的系統(tǒng)和平臺、最大限度降低人工和系統(tǒng)組件成本,同時提供最高級別的可靠性。

Module Type Wolfpack WolfPACK? Leadframe with Baseplate
Platform FM/GM
Industry Standard
BM
Industry Standard
XM
Wolfspeed Standard
HM
Wolfspeed Standard
MOSFET Gen Gen 3 Gen 2/Gen 3 Gen 3 Gen 3
Voltage 1.2kV 1.2 kV/1.7kV 1.2 kV/1.7kV 1.2 kV/1.7kV
Current <200A <600A <500A <800A
Qual Level Industrial Industrial/Harsh Environment Industrial / Automotive Industrial
Recommended Applications PV, Energy Storage, Low Cost Industrial Apps, Off-Board Charger Rail Aux Power, Broad Industrial Heavy Equipment/Performance Drivetrain Inverter, UPS, Off-Board Chargers Test Equipment, Fast Charging Off-Board Chargers

圖2:Wolfspeed功率模塊產(chǎn)品組合

XM3 系列

XM3 半橋模塊充分利用 SiC 的優(yōu)勢,同時保持簡單、可擴(kuò)展特性且具有成本效益的尺寸,其重量和體積僅為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 62 毫米對等產(chǎn)品的一半。這些 XM3 模塊可最大限度提高功率密度,同時盡可能降低回路電感和開關(guān)損耗。此外,它們還配備低電感母線互連、集成式溫度傳感器、配置電壓采樣引腳,以及具有增強(qiáng)功率循環(huán)能力的高可靠性功率基板。此封裝可實(shí)現(xiàn) 175 ?C 最高結(jié)溫,高可靠性氮化硅(SiN4)基板確保了在極端條件下的機(jī)械強(qiáng)度。封裝為易模組化和可擴(kuò)展性而設(shè)計(jì),寄生電感低至6.5 nH(與類似模塊相比,最多可將電感減少 50%)。因此,XM3 非常適合用于各種苛刻的惡劣條件,如牽引驅(qū)動器、直流快速充電機(jī)和汽車測試設(shè)備等汽車應(yīng)用場景。與 SemiTrans 3 或 EconoDual 等類似功率模塊相比,內(nèi)置領(lǐng)先SiC技術(shù)的XM3封裝可以使系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加緊湊,而且兩種功率模塊具有相似的額定電壓和電流(在 1,200 V 時高達(dá) 450 A)。

EAB450M12XM3

表 1 列出了 EAB450M12XM3 模塊的最大參數(shù)(摘自數(shù)據(jù)表)。

Symbol Parameter Min. Typ. Max. Unit
VDSmax Drain-Source Voltage 1200 V
VGSmax Gate-Source Voltage, Maximum Value -8 +19 V
VGSop Gate-Source Voltage, Recommended Operating Value -4 +15 V
IDS DC Continuous Drain Current, TC = 25 °C 450 A
IDS DC Continuous Drain Current, TC = 90 °C 409 A
ISDBD DC Source-Drain Current (Body Diode), TC = 25 °C 225 A
IDS pulsed Maximum Pulsed Drain-Source Current 900 A
TVJ op Maximum Virtual Junction Temperature under Switching Conditions -40 175 °C

表 1:EAB450M12XM3 最大參數(shù)

亮點(diǎn)包括1200 VDS max 450 A連續(xù)漏極電流和175 ?C虛擬結(jié)溫(在開關(guān)期間),這些特性都已經(jīng)過設(shè)計(jì)驗(yàn)證。下面的表2中列出了MOSFET特性(每個橋臂)的摘要。

Symbol Parameter Min. Typ. Max. Unit
VBR DSS Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V
VGS th Gate Threshold Voltage 1.8 2.5 3.6 V
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current 5 500 μA
IGSS Gate-Source Leakage Current 0.05 1.3 μA
RDS on Drain-Source On-State Resistance (MOSFET Only), TJ = 25 °C 2.6 3.7
RDS on Drain-Source On-State Resistance (MOSFET Only), TJ = 175 °C 4.6
gfs Transconductance, TJ= 25 °C 355 S
gfs Transconductance, TJ= 175 °C 360 S
EOn Turn-On Switching Energy, Tj= 25°C
Tj= 125°C
Tj= 175°C
11.0
11.7
13.0
mJ
EOff Turn-Off Switching Energy, Tj= 25°C
Tj= 125°C
Tj= 175°C
10.1
11.3
12.1
mJ
RG int Internal Gate Resistance 2.5 Ω
Ciss Input Capacitance 38 nF
Coss Output Capacitance 1.5 nF
Crss Reverse Transfer Capacitance
90 pF
QGS Gate to Source Charge 355 nC
QGD Gate to Drain Charge 500 nC
QG Total Gate Charge 1300 nC
RTH JC FET Thermal Resistance, Junction to Case 0.110 0.145 °C/W

表 2:EAB450M12XM3 MOSFET 特性

上表中值得注意的參數(shù)包括 25 ?C 條件下的極低 RDS(on)值 2.6 mΩ 和低結(jié)殼熱阻值 0.110 ?C/W。

MOSFET 的體二極管的正向電壓值為 4.7 V,恢復(fù)時間值為 52 ns。這一快速恢復(fù)時間和低恢復(fù)損耗特性大幅提高了 MOSFET 在開關(guān)期間的性能。

內(nèi)置 NTC 溫度傳感器的額定電阻為 4.7 kΩ,容差為 ±1% (ΔR/R),能夠提供高精度的溫度保護(hù)功能。熱監(jiān)控功能對于實(shí)現(xiàn)高可靠性至關(guān)重要,因此,通過這種實(shí)時反饋功能,可以幫助設(shè)計(jì)人員優(yōu)化控制技術(shù)。

此外,專用開爾文漏極引腳可實(shí)現(xiàn)用于柵極驅(qū)動器過流保護(hù)的直接電壓采樣,在高速開關(guān)時,這大幅減少了由雜散電感造成的額外電壓引起的誤差。

原理、引腳和性能圖

輸出特性展示了在較高結(jié)溫條件下運(yùn)行時 VDS和 RDS(on)的增加情況,并顯示了 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)提供的低 RDS(on)溫度系數(shù)。圖 8顯示了瞬態(tài)熱阻和正向偏置安全工作區(qū)。如應(yīng)用說明 CPWR-AN29 中所示,必須通過適當(dāng)?shù)陌惭b和散熱來管理該模塊的溫度。CRD300DA12E-XM3參考設(shè)計(jì)包括3個EAB450M12XM3模塊,CRD600DA12E-XM3包括6個EAB450M12XM3模塊,這些參考設(shè)計(jì)展示了一個完整的優(yōu)化組合,其中包括模塊、散熱裝置、母線、柵極驅(qū)動器、電壓/電流傳感器控制器??梢栽谀K的數(shù)據(jù)表中查看更多性能和時序圖。

參考設(shè)計(jì)和支持工具

功率密度為 32 kW/L [CRD300DA12E-XM3]的 CRD300DA12E-XM3 300 kW 高性能三相逆變器十分有用,可幫助您開始實(shí)施適用于各種應(yīng)用場景的三相配置。它具有 XM3 系列模塊的諸多優(yōu)點(diǎn),包括緊湊尺寸/輕量、更高功率密度、高效率、超低損耗和低散熱設(shè)計(jì)要求,所有這些特性都降低了系統(tǒng)級成本。該設(shè)計(jì)的直流母線電壓為 800 V(最大 900 V),電流為 360 A。此外,還包括一個 Wieland MicroCool CP3012-XP 冷板,用于熱管理(并降低結(jié)熱阻),該冷板專門針對 SiC 的高熱通量進(jìn)行了優(yōu)化。

KIT-CRD-CIL12N-XM3是一個評估平臺,使設(shè)計(jì)人員能夠在發(fā)生電感負(fù)載開關(guān)事件時準(zhǔn)確測量 Wolfspeed XM3 功率模塊的電壓和電流波形。這使得可以在精確的測試條件下計(jì)算開關(guān)損耗能量,以動態(tài)地評估模塊,并便于進(jìn)行模塊內(nèi)比較操作。它對應(yīng)的柵極驅(qū)動器是直接安裝的雙通道隔離柵極驅(qū)動器,已專門針對 XM3 功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。

此外,SpeedFit 2.0 設(shè)計(jì)模擬器有助于加速設(shè)計(jì)過程,其模擬結(jié)果基于計(jì)算的損耗、估計(jì)的結(jié)溫和實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù),適用于從簡單降壓/升壓轉(zhuǎn)換器到完全雙向圖騰柱 PFC 設(shè)計(jì)的各種常見拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這有助于驗(yàn)證滿足應(yīng)用場景的模塊和器件,同時為不同的器件和配置提供真正的比較性能。

總結(jié)

概括而言,符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的 EAB450M12XM3 半橋全 SiC 模塊中包括具有優(yōu)化的散熱設(shè)計(jì)的高功率密度封裝,可滿足各種應(yīng)用場景(如電機(jī)和牽引驅(qū)動器、車輛快速充電機(jī)和汽車測試設(shè)備)的要求。設(shè)計(jì)人員能在一個易于使用的封裝中實(shí)現(xiàn) SiC 的各種優(yōu)勢(高開關(guān)頻率、低損耗、更高功率和額定溫度以及更佳效率和可靠性)。該封裝提供的端子設(shè)計(jì),可以直接連接母排,而無需折彎或套管,實(shí)現(xiàn)了簡單的低電感設(shè)計(jì)。其它與 EAB450M12XM3 相配合的車規(guī)級元器件可以通過新設(shè)立的 Power Applications Forum 查詢。

審核編輯:郭婷

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