如今,許多市場都受益于碳化硅(SiC)技術(shù)所帶來的優(yōu)勢,尤其是汽車行業(yè)。相對于傳統(tǒng)硅(Si)組件,SiC 的性能更高,使系統(tǒng)的開關(guān)速度、工作溫度、功率密度、整體效率更高,同時功耗更低。Wolfspeed SiC 器件產(chǎn)品組合涵蓋廣泛的功率水平和應(yīng)用場景,從用于低功率的分立器件產(chǎn)品,到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸以及優(yōu)化尺寸的高功率模塊產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)了功率連續(xù)性。EAB450M12XM3 是此大功率模塊器件產(chǎn)品系列的最新成員。
Wolfspeed 功率模塊產(chǎn)品線包括 WolfPACK 模塊,這些模塊提供符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的無基板式封裝,工作電壓和電流分別高達(dá) 1.2 kV 和 200 A。更高功率的模塊采用優(yōu)化程度更高的封裝,適用于要求苛刻的應(yīng)用場景。該組合中的所有模塊都旨在實(shí)現(xiàn)相同的目標(biāo),即,最大限度地提高功率密度、簡化布局/組裝、實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展的系統(tǒng)和平臺、最大限度降低人工和系統(tǒng)組件成本,同時提供最高級別的可靠性。
Module Type | Wolfpack WolfPACK? | Leadframe with Baseplate | ||
---|---|---|---|---|
Platform |
FM/GM Industry Standard |
BM Industry Standard |
XM Wolfspeed Standard |
HM Wolfspeed Standard |
MOSFET Gen | Gen 3 | Gen 2/Gen 3 | Gen 3 | Gen 3 |
Voltage | 1.2kV | 1.2 kV/1.7kV | 1.2 kV/1.7kV | 1.2 kV/1.7kV |
Current | <200A | <600A | <500A | <800A |
Qual Level | Industrial | Industrial/Harsh Environment | Industrial / Automotive | Industrial |
Recommended Applications | PV, Energy Storage, Low Cost Industrial Apps, Off-Board Charger | Rail Aux Power, Broad Industrial | Heavy Equipment/Performance Drivetrain Inverter, UPS, Off-Board Chargers | Test Equipment, Fast Charging Off-Board Chargers |
圖2:Wolfspeed功率模塊產(chǎn)品組合
XM3 系列
XM3 半橋模塊充分利用 SiC 的優(yōu)勢,同時保持簡單、可擴(kuò)展特性且具有成本效益的尺寸,其重量和體積僅為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 62 毫米對等產(chǎn)品的一半。這些 XM3 模塊可最大限度提高功率密度,同時盡可能降低回路電感和開關(guān)損耗。此外,它們還配備低電感母線互連、集成式溫度傳感器、配置電壓采樣引腳,以及具有增強(qiáng)功率循環(huán)能力的高可靠性功率基板。此封裝可實(shí)現(xiàn) 175 ?C 最高結(jié)溫,高可靠性氮化硅(SiN4)基板確保了在極端條件下的機(jī)械強(qiáng)度。封裝為易模組化和可擴(kuò)展性而設(shè)計(jì),寄生電感低至6.5 nH(與類似模塊相比,最多可將電感減少 50%)。因此,XM3 非常適合用于各種苛刻的惡劣條件,如牽引驅(qū)動器、直流快速充電機(jī)和汽車測試設(shè)備等汽車應(yīng)用場景。與 SemiTrans 3 或 EconoDual 等類似功率模塊相比,內(nèi)置領(lǐng)先SiC技術(shù)的XM3封裝可以使系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加緊湊,而且兩種功率模塊具有相似的額定電壓和電流(在 1,200 V 時高達(dá) 450 A)。
EAB450M12XM3
表 1 列出了 EAB450M12XM3 模塊的最大參數(shù)(摘自數(shù)據(jù)表)。
Symbol | Parameter | Min. | Typ. | Max. | Unit |
---|---|---|---|---|---|
VDSmax | Drain-Source Voltage | 1200 | V | ||
VGSmax | Gate-Source Voltage, Maximum Value | -8 | +19 | V | |
VGSop | Gate-Source Voltage, Recommended Operating Value | -4 | +15 | V | |
IDS | DC Continuous Drain Current, TC = 25 °C | 450 | A | ||
IDS | DC Continuous Drain Current, TC = 90 °C | 409 | A | ||
ISDBD | DC Source-Drain Current (Body Diode), TC = 25 °C | 225 | A | ||
IDS pulsed | Maximum Pulsed Drain-Source Current | 900 | A | ||
TVJ op | Maximum Virtual Junction Temperature under Switching Conditions | -40 | 175 | °C |
表 1:EAB450M12XM3 最大參數(shù)
亮點(diǎn)包括1200 VDS max 450 A連續(xù)漏極電流和175 ?C虛擬結(jié)溫(在開關(guān)期間),這些特性都已經(jīng)過設(shè)計(jì)驗(yàn)證。下面的表2中列出了MOSFET特性(每個橋臂)的摘要。
Symbol | Parameter | Min. | Typ. | Max. | Unit |
---|---|---|---|---|---|
VBR DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 | V | ||
VGS th | Gate Threshold Voltage | 1.8 | 2.5 | 3.6 | V |
IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | 5 | 500 | μA | |
IGSS | Gate-Source Leakage Current | 0.05 | 1.3 | μA | |
RDS on | Drain-Source On-State Resistance (MOSFET Only), TJ = 25 °C | 2.6 | 3.7 | mΩ | |
RDS on | Drain-Source On-State Resistance (MOSFET Only), TJ = 175 °C | 4.6 | mΩ | ||
gfs | Transconductance, TJ= 25 °C | 355 | S | ||
gfs | Transconductance, TJ= 175 °C | 360 | S | ||
EOn |
Turn-On Switching Energy, Tj= 25°C Tj= 125°C Tj= 175°C |
11.0 11.7 13.0 |
mJ | ||
EOff |
Turn-Off Switching Energy, Tj= 25°C Tj= 125°C Tj= 175°C |
10.1 11.3 12.1 |
mJ | ||
RG int | Internal Gate Resistance | 2.5 | Ω | ||
Ciss | Input Capacitance | 38 | nF | ||
Coss | Output Capacitance | 1.5 | nF | ||
Crss |
Reverse Transfer Capacitance |
90 | pF | ||
QGS | Gate to Source Charge | 355 | nC | ||
QGD | Gate to Drain Charge | 500 | nC | ||
QG | Total Gate Charge | 1300 | nC | ||
RTH JC | FET Thermal Resistance, Junction to Case | 0.110 | 0.145 | °C/W |
表 2:EAB450M12XM3 MOSFET 特性
上表中值得注意的參數(shù)包括 25 ?C 條件下的極低 RDS(on)值 2.6 mΩ 和低結(jié)殼熱阻值 0.110 ?C/W。
MOSFET 的體二極管的正向電壓值為 4.7 V,恢復(fù)時間值為 52 ns。這一快速恢復(fù)時間和低恢復(fù)損耗特性大幅提高了 MOSFET 在開關(guān)期間的性能。
內(nèi)置 NTC 溫度傳感器的額定電阻為 4.7 kΩ,容差為 ±1% (ΔR/R),能夠提供高精度的溫度保護(hù)功能。熱監(jiān)控功能對于實(shí)現(xiàn)高可靠性至關(guān)重要,因此,通過這種實(shí)時反饋功能,可以幫助設(shè)計(jì)人員優(yōu)化控制技術(shù)。
此外,專用開爾文漏極引腳可實(shí)現(xiàn)用于柵極驅(qū)動器過流保護(hù)的直接電壓采樣,在高速開關(guān)時,這大幅減少了由雜散電感造成的額外電壓引起的誤差。
原理、引腳和性能圖
輸出特性展示了在較高結(jié)溫條件下運(yùn)行時 VDS和 RDS(on)的增加情況,并顯示了 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)提供的低 RDS(on)溫度系數(shù)。圖 8顯示了瞬態(tài)熱阻和正向偏置安全工作區(qū)。如應(yīng)用說明 CPWR-AN29 中所示,必須通過適當(dāng)?shù)陌惭b和散熱來管理該模塊的溫度。CRD300DA12E-XM3參考設(shè)計(jì)包括3個EAB450M12XM3模塊,CRD600DA12E-XM3包括6個EAB450M12XM3模塊,這些參考設(shè)計(jì)展示了一個完整的優(yōu)化組合,其中包括模塊、散熱裝置、母線、柵極驅(qū)動器、電壓/電流傳感器和控制器??梢栽谀K的數(shù)據(jù)表中查看更多性能和時序圖。
參考設(shè)計(jì)和支持工具
功率密度為 32 kW/L [CRD300DA12E-XM3]的 CRD300DA12E-XM3 300 kW 高性能三相逆變器十分有用,可幫助您開始實(shí)施適用于各種應(yīng)用場景的三相配置。它具有 XM3 系列模塊的諸多優(yōu)點(diǎn),包括緊湊尺寸/輕量、更高功率密度、高效率、超低損耗和低散熱設(shè)計(jì)要求,所有這些特性都降低了系統(tǒng)級成本。該設(shè)計(jì)的直流母線電壓為 800 V(最大 900 V),電流為 360 A。此外,還包括一個 Wieland MicroCool CP3012-XP 冷板,用于熱管理(并降低結(jié)熱阻),該冷板專門針對 SiC 的高熱通量進(jìn)行了優(yōu)化。
KIT-CRD-CIL12N-XM3是一個評估平臺,使設(shè)計(jì)人員能夠在發(fā)生電感負(fù)載開關(guān)事件時準(zhǔn)確測量 Wolfspeed XM3 功率模塊的電壓和電流波形。這使得可以在精確的測試條件下計(jì)算開關(guān)損耗能量,以動態(tài)地評估模塊,并便于進(jìn)行模塊內(nèi)比較操作。它對應(yīng)的柵極驅(qū)動器是直接安裝的雙通道隔離柵極驅(qū)動器,已專門針對 XM3 功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。
此外,SpeedFit 2.0 設(shè)計(jì)模擬器有助于加速設(shè)計(jì)過程,其模擬結(jié)果基于計(jì)算的損耗、估計(jì)的結(jié)溫和實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù),適用于從簡單降壓/升壓轉(zhuǎn)換器到完全雙向圖騰柱 PFC 設(shè)計(jì)的各種常見拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這有助于驗(yàn)證滿足應(yīng)用場景的模塊和器件,同時為不同的器件和配置提供真正的比較性能。
總結(jié)
概括而言,符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的 EAB450M12XM3 半橋全 SiC 模塊中包括具有優(yōu)化的散熱設(shè)計(jì)的高功率密度封裝,可滿足各種應(yīng)用場景(如電機(jī)和牽引驅(qū)動器、車輛快速充電機(jī)和汽車測試設(shè)備)的要求。設(shè)計(jì)人員能在一個易于使用的封裝中實(shí)現(xiàn) SiC 的各種優(yōu)勢(高開關(guān)頻率、低損耗、更高功率和額定溫度以及更佳效率和可靠性)。該封裝提供的端子設(shè)計(jì),可以直接連接母排,而無需折彎或套管,實(shí)現(xiàn)了簡單的低電感設(shè)計(jì)。其它與 EAB450M12XM3 相配合的車規(guī)級元器件可以通過新設(shè)立的 Power Applications Forum 查詢。
審核編輯:郭婷
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