0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心:著力打造一流的產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)

MEMS ? 來源:MEMS ? 2023-06-19 14:55 ? 次閱讀

導(dǎo)語:

2021年3月,科技部正式復(fù)函支持蘇州市建設(shè)國家生物藥技術(shù)創(chuàng)新中心、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心、國家新一代人工智能創(chuàng)新發(fā)展試驗(yàn)區(qū)(以下簡稱“一區(qū)兩中心”)。

同年4月,蘇州市“一區(qū)兩中心”建設(shè)推進(jìn)大會召開,會上發(fā)布了“一區(qū)兩中心”若干意見及有關(guān)產(chǎn)業(yè)政策,作為主要實(shí)施地的蘇州工業(yè)園區(qū)提出了相關(guān)建設(shè)愿景?!耙粎^(qū)兩中心”揭牌啟動(dòng)。

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(以下簡稱“國創(chuàng)中心”)獲批建設(shè)兩年以來,瞄準(zhǔn)國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求,以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命,進(jìn)一步推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,形成立足長三角、輻射全國的技術(shù)融合點(diǎn)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。

截至目前,園區(qū)已集聚相關(guān)企業(yè)超1100家,相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)模超1400億元,在積極服務(wù)國家戰(zhàn)略的同時(shí),為提升園區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力提供了關(guān)鍵支撐。

加強(qiáng)基礎(chǔ)研究,攻堅(jiān)核心技術(shù)

國創(chuàng)中心聚焦第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用方向,重點(diǎn)突破材料、器件、工藝和裝備技術(shù)瓶頸,實(shí)現(xiàn)在電力電子微波射頻光電子領(lǐng)域的應(yīng)用突破,增強(qiáng)我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新能力和主導(dǎo)力。

目前,國創(chuàng)中心承擔(dān)省級以上重大研發(fā)項(xiàng)目7項(xiàng),組織“揭榜掛帥”項(xiàng)目3個(gè),在大尺寸氮化鎵材料制備等領(lǐng)域取得重大突破,形成了以“設(shè)備輔材-襯底外延-器件”為核心、以“下游應(yīng)用”為支撐的完整產(chǎn)業(yè)鏈,并在國際上率先突破了6英寸單晶襯底等一批前沿技術(shù)。

重大項(xiàng)目的申報(bào)、“揭榜掛帥”的實(shí)施,強(qiáng)化突出企業(yè)創(chuàng)新主體地位,形成了以企業(yè)為主體、市場為導(dǎo)向、產(chǎn)學(xué)研用深度融合的技術(shù)創(chuàng)新體系,營造了科研攻關(guān)能者上的創(chuàng)新生態(tài)。目前,國創(chuàng)中心已培育支撐蘇州納維、晶湛半導(dǎo)體、漢驊半導(dǎo)體、度亙激光、芯三代半導(dǎo)體等代表性企業(yè),著力從創(chuàng)新源頭發(fā)力,培育產(chǎn)業(yè)發(fā)展新動(dòng)能。

完善科研平臺,建強(qiáng)創(chuàng)新載體

面向關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向,國創(chuàng)中心打造了一批具有公共屬性的、覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的、開放的科研平臺,暢通創(chuàng)新生態(tài)鏈,促進(jìn)第三代半導(dǎo)體整體科技水平提升。

2022年1月,國創(chuàng)中心研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地開工,這是園區(qū)打造第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新高地、產(chǎn)業(yè)集群的重大基礎(chǔ)設(shè)施,將有力支撐第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)和科技成果轉(zhuǎn)化。

2022年6月,面向關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向,國創(chuàng)中心新啟動(dòng)氮化鎵同質(zhì)外延技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵功率微波技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示巨集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心聯(lián)合研發(fā)中心、硅基氮化鎵材料聯(lián)合研發(fā)中心等8家聯(lián)合研發(fā)中心。同時(shí),國創(chuàng)中心首支規(guī)模3億元基金-蘇州荷塘創(chuàng)芯基金同期簽約成立,專門用于國創(chuàng)中心項(xiàng)目孵化。

2022年11月,國創(chuàng)中心與中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院合作共建的三微電子總部大樓落成開業(yè),將打造國際一流的第三代半導(dǎo)體研發(fā)中心、先進(jìn)微系統(tǒng)組裝中心、高端芯片研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化高地。

2022年12月,國創(chuàng)中心材料生長創(chuàng)新平臺和器件工藝平臺完工,建成全鏈條研發(fā)支撐平臺,突破材料創(chuàng)新關(guān)鍵共性技術(shù)和工藝關(guān)鍵環(huán)節(jié),實(shí)現(xiàn)裝備、技術(shù)、人才的源頭供給。

目前,國創(chuàng)中心與全國知名高校、院所、企業(yè)設(shè)立17個(gè)聯(lián)合研發(fā)中心,建立了比肩國際一流科研機(jī)構(gòu)的公共服務(wù)平臺,以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命,產(chǎn)學(xué)研協(xié)同推動(dòng)科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化與產(chǎn)業(yè)化,為區(qū)域產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供源頭技術(shù)供給。

此外,國創(chuàng)中心成立長三角第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟等開放合作平臺,充分調(diào)動(dòng)各類創(chuàng)新主體的積極性,形成國家第三代半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)、人才培養(yǎng)以及信息交流的共享創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò),形成跨區(qū)域、跨行業(yè)、跨學(xué)科、跨領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力。

打造人才高地,鍛造硬核力量

國創(chuàng)中心以高起點(diǎn)、高標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)結(jié)構(gòu)合理的高層次創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才團(tuán)隊(duì),形成一支年齡結(jié)構(gòu)合理、學(xué)歷層次高、專業(yè)覆蓋面廣、技術(shù)力量雄厚、產(chǎn)學(xué)研聯(lián)系緊密的科研隊(duì)伍。

國創(chuàng)中心組建了由中國科學(xué)院院士郝躍等10位院士領(lǐng)銜的技術(shù)專家委員會,匯聚了國內(nèi)外技術(shù)前沿的一流科學(xué)家、學(xué)科領(lǐng)軍人才和科研團(tuán)隊(duì),梳理產(chǎn)業(yè)長遠(yuǎn)發(fā)展必須解決的技術(shù)難題,組織上下游團(tuán)隊(duì)協(xié)力攻關(guān)。

目前,國創(chuàng)中心已吸引30余位國內(nèi)外高層次領(lǐng)軍人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè),形成規(guī)模300人的核心科研團(tuán)隊(duì)。

拉開集群大幕,堅(jiān)持自立自強(qiáng)

當(dāng)前,國創(chuàng)中心圍繞國家戰(zhàn)略需求和國際產(chǎn)業(yè)競爭焦點(diǎn),瞄準(zhǔn)產(chǎn)業(yè)前沿引領(lǐng)技術(shù)和關(guān)鍵共性技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用,著力打造一流的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)。

下一步,國創(chuàng)中心將持續(xù)以關(guān)鍵共性技術(shù)攻關(guān)為核心使命,強(qiáng)化政策引領(lǐng)和機(jī)制體制創(chuàng)新,夯實(shí)產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ),支持創(chuàng)新主體引培、公共技術(shù)服務(wù)平臺建設(shè)、高端人才引育等,營造更優(yōu)質(zhì)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài),全面推進(jìn)科技自立自強(qiáng),加快我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體技術(shù)

    關(guān)注

    3

    文章

    237

    瀏覽量

    60665
  • 人工智能
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1789

    文章

    46652

    瀏覽量

    237070

原文標(biāo)題:國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心:著力打造一流的產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    江西薩瑞微榮獲"2024全國第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)"稱號

    快速發(fā)展創(chuàng)新實(shí)力在2024全國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會上,江西薩瑞微電子科技有限公司榮獲"20
    的頭像 發(fā)表于 10-31 08:09 ?171次閱讀
    江西薩瑞微榮獲&amp;quot;2024全國<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造最佳新銳企業(yè)&amp;quot;稱號

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用

    隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 11:24 ?297次閱讀

    第三代半導(dǎo)體半導(dǎo)體區(qū)別

    半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì),是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展半導(dǎo)體材料經(jīng)歷
    的頭像 發(fā)表于 10-17 15:26 ?591次閱讀

    芯干線科技出席第三代半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇

    火熱的7月,火熱的慕尼黑上海電子展(electronica China)!2024年7月8日至9日,備受矚目的"第三代半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展
    的頭像 發(fā)表于 08-21 09:48 ?423次閱讀

    德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開工

    封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開工建設(shè)。 據(jù)悉,第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目是德高化成按照“十四五”發(fā)展戰(zhàn)略要求,結(jié)合國家半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 08-01 16:25 ?335次閱讀

    第二輪通知丨2024第2屆第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會暨展覽會

    大會主題? “芯”材料? 新領(lǐng)航 ? 主辦單位 中國生產(chǎn)力促進(jìn)中心協(xié)會新材料專業(yè)委員會 DT新材料 ? 聯(lián)合主辦 深圳市寶安區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會 ? 支持單位 第三代半導(dǎo)體
    發(fā)表于 07-31 14:55 ?472次閱讀
    第二輪通知丨2024第2屆<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>及先進(jìn)封裝<b class='flag-5'>技術(shù)創(chuàng)新</b>大會暨展覽會

    第三代半導(dǎo)體市場規(guī)模持續(xù)增長,2024慕尼黑上海電子展提供產(chǎn)業(yè)發(fā)展探討平臺

    近年來,我國信息技術(shù)得到迅猛發(fā)展第三代半導(dǎo)體作為其中的關(guān)鍵器件起著重要作用。政策方面國家出臺了
    發(fā)表于 05-23 14:59 ?217次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>市場規(guī)模持續(xù)增長,2024慕尼黑上海電子展提供<b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)</b><b class='flag-5'>發(fā)展</b>探討平臺

    2024北京(國際)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇即將召開

    第三代半導(dǎo)體是全球半導(dǎo)體技術(shù)研究和新的產(chǎn)業(yè)競爭焦點(diǎn),具有戰(zhàn)略性和市場性雙重特征,是推動(dòng)移動(dòng)通信、新能源汽車、高速列車、智能電網(wǎng)、新型顯示、通
    的頭像 發(fā)表于 05-20 10:15 ?740次閱讀
    2024北京(國際)<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>創(chuàng)新發(fā)展</b>論壇即將召開

    、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別

    在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三
    發(fā)表于 04-18 10:18 ?2666次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b>、二、<b class='flag-5'>三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的區(qū)別

    深圳第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌 重點(diǎn)布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線

    2月27日,深圳市第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌儀式在寶安石巖街道舉行。
    的頭像 發(fā)表于 03-07 16:48 ?726次閱讀

    高通第三代驍龍8榮獲GTI Awards移動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新突破獎(jiǎng)

    名單正式揭曉,其中,高通技術(shù)公司最新旗艦移動(dòng)平臺第三代驍龍8憑借其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和領(lǐng)先的市場表現(xiàn),榮獲了GTI Awards移動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新突破獎(jiǎng)。
    的頭像 發(fā)表于 03-01 09:31 ?693次閱讀

    第三代半導(dǎo)體龍頭涌現(xiàn),全鏈布局從國產(chǎn)化發(fā)展到加速出海

    第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢,在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月,第三代
    的頭像 發(fā)表于 01-04 16:13 ?1147次閱讀

    第三代半導(dǎo)體發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)

    芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場,自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間,芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新
    的頭像 發(fā)表于 12-26 10:02 ?879次閱讀

    ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

    半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的
    發(fā)表于 12-21 15:12 ?3050次閱讀
    ?<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

    是德科技第三代半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)測試方案亮相IFWS

    。 海內(nèi)外第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的知名專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)、投資機(jī)構(gòu)代表參與大會。中科院、北京大學(xué)、香港科技大學(xué)、英諾賽科、安光電等科研院所、企業(yè)代表圍繞第三代
    的頭像 發(fā)表于 12-13 16:15 ?742次閱讀
    是德科技<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>動(dòng)靜態(tài)測試方案亮相IFWS