TEM小室在電磁兼容測試中的應(yīng)用

從2018年開始，電動車、車聯(lián)網(wǎng)等ADAS的普及速度加快，尤其在自駕車的帶動下，半導(dǎo)體的封裝技術(shù)愈來愈先進，但新的封裝方式也讓車用零件可靠度方面有了更多的挑戰(zhàn)。

我司最新推出的TEM小室可以用來測量來自被測件EUT或集成電路PCB的輻射敏感度和傳導(dǎo)抗擾度的試驗，其頻率可以達到8GHz。其駐波比可以到達1.3，傳輸衰減比小于0.3dB。

源于被測件EUT的發(fā)射場通過小室的發(fā)射模進行耦合，并以此在室的一個端口耦合到一個電壓。用TEM小室進行輻射騷擾測量的優(yōu)點：由于它是在一個屏蔽室內(nèi)進行的，因此把可能感應(yīng)到的環(huán)境電壓降到了極低的水平，一般地講也就是測量設(shè)備的本底噪聲，TEM小室的兩端呈錐形向通用的同軸器件過渡，一頭連接同軸線到測試接收機，另一頭連接匹配負載，如下圖所示。

TEM小室的外導(dǎo)體頂端有一個方形開口用于安裝測試電路板。其中,集成電路的一側(cè)安裝在小室內(nèi)側(cè)，互連線和外圍電路的一側(cè)向外。這樣做使測到的輻射發(fā)射主要來源于被測的IC芯片。受測芯片產(chǎn)生的高頻電流在互連導(dǎo)線上流動,那些焊接引腳、封裝連線就充當(dāng)了輻射發(fā)射天線。

當(dāng)測試頻率低于TEM小室的一階高次模頻率時，只有主模TEM模傳輸，此時TEM小室端口的測試電壓與騷擾源的發(fā)射大小有較好的定量關(guān)系，因此,可用此電壓值來評定集成電路芯片的輻射發(fā)射大小。

用TEM小室的測試方法是：為了保證重復(fù)性，環(huán)境溫度保持于18℃～28℃；測試環(huán)境的背景電磁噪聲至少低于最低極限線值6dB；在測試之前，集成電路應(yīng)使用適當(dāng)?shù)某绦蚣虞d并處于穩(wěn)定狀態(tài)；待測集成電路的供電特性應(yīng)符合集成電路制造商要求。

用TEM小室的測試步驟：

第一步：按測試布置進行環(huán)境溫度及背景電磁噪聲測試，此時待IC不上電；

第二步：待測IC上電，并進行功能測試，需要對IC的軟件加載，并一直到其處于穩(wěn)定狀態(tài)；

第三步：對待測IC進行輻射發(fā)射測量；

第四步：將待測IC與測試夾具旋轉(zhuǎn)90o，重復(fù)第三步測試，直至四個可能的方向均完成輻射發(fā)射測量。

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