AEC Q101中文版及內(nèi)容解讀（正文部分）

AEC-Q101文件名稱是

FAILURE MECHANISM BASED STRESS TEST QUALIFICATION FOR DISCRETE SEMICONDUCTORS IN AUTOMOTIVE APPLICATIONS

翻譯過來是

基于失效機制對汽車領(lǐng)域應(yīng)用中分立半導(dǎo)體器件的認(rèn)證測試

AEC-Q101最新的版本是Rev_E，發(fā)布于2021年3月，文件比較新，當(dāng)前網(wǎng)上很難找到公開的中文翻譯版文檔。此篇翻譯和解讀，就是基于官方公開的英文版本為基礎(chǔ)。

AEC Q100是針對半導(dǎo)體集成電路，也就是把很多PN節(jié)做到一塊半導(dǎo)體芯片上組成復(fù)雜的功能，比如MCU、Digital、Analog、Mixed signal、SOC、存儲芯片等。

AEC Q101針對的半導(dǎo)體分立器件，就是在晶片上僅有單個或者少量的PN節(jié)組成?？煞譃楣β势骷c小信號器件，主要是整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、變頻等功能，功率器件可細(xì)分為二極管、晶體管與晶閘管，晶體管則可分為MOSFET(場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、雙極型晶體管與其它晶體管。)

1 適用范圍：

本文件定義了分立半導(dǎo)體器件(例如晶體管、二極管等)可靠性認(rèn)證的最低標(biāo)準(zhǔn)，包含應(yīng)力測試認(rèn)證要求和參考的試驗標(biāo)準(zhǔn)。本文件并不代表可以免除供應(yīng)商公司內(nèi)部質(zhì)量認(rèn)證計劃的責(zé)任。此外，本文件不免除供應(yīng)商滿足本文件范圍之外的任何用戶要求。在本文檔中，“用戶”被定義為在生產(chǎn)中研發(fā)或應(yīng)用分立半導(dǎo)體部件的任何公司。用戶有責(zé)任確認(rèn)和驗證證實符合本文件的所有測試和評估數(shù)據(jù)。

1.1 目標(biāo)

本規(guī)范的目的是確定一種產(chǎn)品能夠通過規(guī)定的各項驗證測試，因而可以預(yù)測該產(chǎn)品在實際應(yīng)用中可以達(dá)到一定水平的質(zhì)量及可靠性。

1.2 參考文件

各個參考文件的更新和修訂也將自動生效，后續(xù)的驗證計劃將會自動使用這些參考文件的更新版本。

1.2.1 軍工等級標(biāo)準(zhǔn)

MIL-STD-750半導(dǎo)體器件的試驗方法

1.2.2 工業(yè)等級標(biāo)準(zhǔn)

UL-STD-94 器件和電器中零件的塑料材料可燃性測試

JEDEC JESD-22 封裝器件可靠性試驗方法

J-STD-002 元件引腳、端子、接線片、端子和導(dǎo)線的可焊性試驗

J-STD-020 非密封固態(tài)表面貼裝器件的濕度/回流靈敏度分類

JESD22-A113 可靠性測試前對非密封表面安裝器件的預(yù)處理

J-STD-035 非密封封裝電子元件的聲學(xué)掃描測試

1.2.3 汽車等級標(biāo)準(zhǔn)

AEC-Q001 部件平均測試指南

AEC-Q005 無鉛產(chǎn)品測試要求

AEC-Q006 使用銅(Cu)線鏈接部件的認(rèn)證要求

AEC-Q101-001人體模型(HBM)靜電放電(ESD)測試

AEC-Q101-003 綁線鍵合剪切試驗

AEC-Q101-004 多種混合試驗方法

?無鉗位感應(yīng)開關(guān)

?介質(zhì)完整性

?破壞性物理分析

AEC-Q101-005帶電器件模型(CDM)靜電放電(ESD)測試

AEC-Q101-006 12V系統(tǒng)智能電源器件短路可靠性表征

1.2.4 其他參考資料

IATF16949

1.2.5 已取消的試驗內(nèi)容

AEC-Q101-002Machine Model (MM) Electrostatic Discharge (ESD) Test

由于文件過時，而從JEDEC標(biāo)準(zhǔn)中移除。HBM和CDM幾乎涵蓋了所有已知的與靜電相關(guān)的故障機制。

1.3 定義

1.3.1 AEC Q101認(rèn)證

根據(jù)本文件中的要求，成功完成并通過對應(yīng)認(rèn)證測試并做好規(guī)范記錄的情況下，允許供應(yīng)商聲稱該部件是“通過AEC-Q101認(rèn)證”的。供應(yīng)商在與用戶達(dá)成一致的情況下，可以在樣品數(shù)量和測試條件低于本文件要求的情況下進行鑒定。然而，這部分認(rèn)證結(jié)果不能被視為通過“AEC-Q101認(rèn)證”，直到這些在未滿足本規(guī)范的要求已成功完成。請注意，AEC-Q101認(rèn)證沒有“認(rèn)證資質(zhì)”，也沒有AEC官方運行的認(rèn)證委員會來進行產(chǎn)品認(rèn)證。

根據(jù)本規(guī)范，分立半導(dǎo)體的最低環(huán)境溫度范圍應(yīng)為- 40°C至+125°C。

通過銅線鍵合的部件必須要符合AEC-Q006文件中規(guī)定的要求。針對銅線鍵合產(chǎn)品應(yīng)使用AEC-Q006中的測試要求取代本文檔中的測試要求。除銅線之外的所有其他產(chǎn)品測試均按AEC Q101文檔內(nèi)容進行(見表2中的注3)。

1.3.2 產(chǎn)品應(yīng)用的認(rèn)可性

產(chǎn)品應(yīng)用的認(rèn)可被定義為客戶同意在他們的應(yīng)用中使用某器件產(chǎn)品，但客戶如何承認(rèn)產(chǎn)品應(yīng)用的方式并不在本文檔的范圍。

1.3.3 專用術(shù)語

在本文件中，“Part部件”指與“Device器件”或“Component組件”(即，單個二極管，晶體管，壓敏電阻等)相同的實體，其Die芯片在塑料模具化合物中成型或未成型(即金屬罐晶體管，玻璃二極管等)，具有可焊接端子用于板連接。以裸片或晶圓形式交付的分立器件芯片使用適當(dāng)?shù)妮d體或臨時封裝來進行認(rèn)證以符合Q101的要求。

2 通用要求

2.1 各種文件要求的優(yōu)先級

如果本規(guī)范的要求與任何其他文件的要求發(fā)生沖突，則適用以下優(yōu)先順序:

a.采購訂單

b.特殊同意零件規(guī)格

c.本文檔

d.本文檔1.2節(jié)中的參考文件

e.供應(yīng)商規(guī)格書

對于根據(jù)本規(guī)范被認(rèn)為合格的部件，采購訂單和/或特定產(chǎn)品規(guī)格要求不能放棄或減損本文件的要求。

2.2通用數(shù)據(jù)的使用以滿足認(rèn)證和重復(fù)認(rèn)證要求

鼓勵使用通用(家族)數(shù)據(jù)來簡化認(rèn)證/再認(rèn)證的過程。如果考慮使用通用數(shù)據(jù)，必須基于以下標(biāo)準(zhǔn):

a.表2所列零件的資質(zhì)要求。

b.與零件各特性和制造工藝相關(guān)的具體要求矩陣，如表3所示。

c.附錄1中規(guī)定的家組準(zhǔn)則的定義。

d.可以代表正常總體的隨機樣本。

e.使用產(chǎn)品/工藝家族中最差的零件做為認(rèn)證樣品。（最嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品或者最復(fù)雜的產(chǎn)品）

附錄1定義了將各部件分組為家族的標(biāo)準(zhǔn)，目的是考慮來自所有家族成員的數(shù)據(jù)對所討論部件的約束是等效的、通用并可接受的。

適當(dāng)注意這些認(rèn)證家庭的方法指南，可以積累并適用于家組產(chǎn)品其他部分的信息。這些信息可用于證明部件家族系列的一般可靠性，并最大限度地減少對特定部件的認(rèn)證測試流程的需求。這可以通過對代表認(rèn)證產(chǎn)品家族“四個角Corners”的一系列零件進行認(rèn)證來實現(xiàn)(例如，最高/最低電壓，最大/最小Die等)。

通用數(shù)據(jù)的來源應(yīng)來自供應(yīng)商認(rèn)證的測試實驗室，可以包括內(nèi)部供應(yīng)商資格、用戶特定資格和供應(yīng)商的工藝過程監(jiān)控。提交的通用數(shù)據(jù)必須滿足或超過表2中規(guī)定的測試條件。表1提供了如何應(yīng)用現(xiàn)有零件測試數(shù)據(jù)來減少認(rèn)證所需的批次數(shù)量的要求。每個零件提交認(rèn)證數(shù)據(jù)時必須對單個用戶零件的規(guī)格進行電氣特性描述，不允許使用通用特性描述數(shù)據(jù)。用戶的決定將是是否接受通用數(shù)據(jù)而不是指定零件測試數(shù)據(jù)的最終權(quán)威要求。

表1 產(chǎn)品認(rèn)證/重復(fù)認(rèn)證批次需求

表2定義了一組測試驗證內(nèi)容，新產(chǎn)品認(rèn)證或者關(guān)于產(chǎn)品設(shè)計或工藝變更的再認(rèn)證都必須考慮這些測試內(nèi)容。

表3定義了對該產(chǎn)品提出的任何更改都必須考慮的對應(yīng)認(rèn)證測試矩陣。表3對于與工藝變更相關(guān)的新認(rèn)證和重新認(rèn)證都是相同的。此表是一個測試內(nèi)容集，供應(yīng)商和用戶應(yīng)將其作為討論有關(guān)認(rèn)證/再認(rèn)證所需測試項目的基準(zhǔn)。供應(yīng)商有責(zé)任提出并記錄為什么不去執(zhí)行其中定義的任何測試內(nèi)容的理由。

2.3 測試認(rèn)證樣品

2.3.1 批次需求

批次數(shù)量需求列于表

2.3.2生產(chǎn)要求

所有待認(rèn)證的產(chǎn)品應(yīng)在用于大批量生產(chǎn)現(xiàn)場的工裝夾具和工藝設(shè)備上生產(chǎn)出來，這些設(shè)備將用于未來支持產(chǎn)品按預(yù)計產(chǎn)量交付。（編者注：就是說認(rèn)證樣品必須來自大批量相同的生產(chǎn)線和設(shè)備）

2.3.3 認(rèn)證樣品的重復(fù)使用

已用于無損認(rèn)證試驗的產(chǎn)品可用于其他認(rèn)證測試。除工程分析外，已用于破壞性認(rèn)證試驗的部件不得再用于其他用途。

2.3.4 樣品數(shù)量要求

用于認(rèn)證測試的樣品數(shù)量與提交的通用數(shù)據(jù)結(jié)果，必須與表2中定義的最小樣品數(shù)量和接受標(biāo)準(zhǔn)相一致。

如果供應(yīng)商選擇提交通用數(shù)據(jù)進行認(rèn)證/重復(fù)認(rèn)證，則必須報告通用數(shù)據(jù)具體的測試條件和結(jié)果?，F(xiàn)有的適用通用數(shù)據(jù)應(yīng)首先滿足上述的要求和2.3節(jié)中對應(yīng)表2中的每項要求。如果通用數(shù)據(jù)不滿足這些要求，則應(yīng)進行產(chǎn)品全部認(rèn)證測試。

供應(yīng)商必須將待認(rèn)證的特定樣品或可接受的通用樣品進行任意組合，總數(shù)量至少為3批× 77件/批。

2.3.5 通用數(shù)據(jù)可接受的時間限制

通用數(shù)據(jù)的可接受性沒有時間限制，使用下面的圖表可以使用其中適當(dāng)?shù)目煽縼碓磾?shù)據(jù)。這些數(shù)據(jù)必須來自于附錄1中定義的特定產(chǎn)品或相同系列中的某個產(chǎn)品。潛在的通用數(shù)據(jù)來源可以包括任何該客戶的特殊認(rèn)證數(shù)據(jù)(保留客戶名稱)、工藝過程變更認(rèn)證和周期可靠性監(jiān)視數(shù)據(jù)(參見下圖1)。

通用數(shù)據(jù)的可接受性沒有時間限制，只要將符合要求的可靠性數(shù)據(jù)提交給用戶進行評估即可。使用下面的圖表，可以使用符合要求的可靠性數(shù)據(jù)來源。該數(shù)據(jù)必須來自附錄1中定義的特定產(chǎn)品或同一資質(zhì)家族中的某個產(chǎn)品。潛在的通用數(shù)據(jù)來源可能包括任何特定于用戶的數(shù)據(jù)(保留用戶名)、過程變更的驗證和定期可靠性監(jiān)控數(shù)據(jù)(參見圖1)。

圖1 通用數(shù)據(jù)的時間流程和可接受的標(biāo)準(zhǔn)

需要注意的是：一些工藝制程改變（如Die減小）將會影響通用數(shù)據(jù)的使用，以至于這些改變之前得到的認(rèn)證數(shù)據(jù)就不能作為通用數(shù)據(jù)接受使用。

2.3.6 應(yīng)力前測試和應(yīng)力后測試的要求（測試要求）

所有認(rèn)證項目應(yīng)力測試前和應(yīng)力測試后的產(chǎn)品都必須在室溫下按照指定用戶產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)格書中定義的電氣特性進行測試。

（編者注：原則上要進行和生產(chǎn)線上測試設(shè)備完全一致的測試，以確保驗證前后的產(chǎn)品性能）

2.4應(yīng)力測試后驗證失敗的定義

認(rèn)證測試失敗定義為器件表現(xiàn)出以下任何情況:

a.不符合用戶器件需求規(guī)格或?qū)?yīng)的供應(yīng)商器件規(guī)格書中定義的電氣性能測試限值。最低要求的試驗參數(shù)應(yīng)符合附錄5中規(guī)定。

b.環(huán)境試驗完成后，每次試驗的測試值沒有保持在初始±20%的范圍。對于低于100nA的漏電流，測試機的精度可能會導(dǎo)致無法對初始讀數(shù)進行分析。

對于使用RDSon≤2.5 mOhm產(chǎn)品的IOL、PTC和TC測試，RDSon的漂移允制值為≤0.5 mOhm。

僅對于擊穿電壓，只有當(dāng)最終讀數(shù)在規(guī)格書最大值的20%以內(nèi)時，初始測量值的＞20%的漂移被認(rèn)為是故障。

（編者注：也就是說擊穿電壓，應(yīng)力實驗后允許測試值比規(guī)格書范圍高20%，而其他項目不可以高出規(guī)格書范圍，這就是此條存在的意義，但是仍然不能比初始值偏離20%以上。）

c.允許的泄漏電流極限值，對于濕度相關(guān)試驗不超過初始值的10倍，對于所有其他試驗不超過初始值的5倍。

僅對于mosfet，對于0h測試值＜10nA (IGSS和IDSS)，施加應(yīng)力后的允許值為測試100nA，其他測試項目為50nA。

d.由于環(huán)境試驗而出現(xiàn)器件外部物理損壞的任何部件。

超過上述要求的樣品想通過認(rèn)證必須得到供應(yīng)商的證明和用戶的批準(zhǔn)。如果故障原因(由制造商和用戶同意)是由于操作不當(dāng)或ESD引起的，則可以不認(rèn)為是產(chǎn)品故障，但應(yīng)作為認(rèn)證數(shù)據(jù)記錄提交。

2.5 通過認(rèn)證/再認(rèn)證的標(biāo)準(zhǔn)

通過表1中規(guī)定的所有適用的認(rèn)證測試項目，對指定產(chǎn)品進行獨立驗證測試(使用文件指定的最小樣本量并且結(jié)果零故障)或展示可接受的產(chǎn)品家族通用數(shù)據(jù)(使用附錄1中定義的產(chǎn)品家族定義指南和對應(yīng)的所需批次數(shù)量及樣本數(shù)量)，根據(jù)本文件的標(biāo)準(zhǔn)確定該樣品認(rèn)證合格。

未達(dá)到本文件所要求的測試驗收標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，要求供應(yīng)商完善的確定并提供失效根本原因，實施糾正措施并進行驗證，以向用戶保證失效故障機制已被分析透徹和控制。在確定失效的根本原因并確認(rèn)糾正和預(yù)防措施是有效的之前，不應(yīng)認(rèn)為該產(chǎn)品通過了認(rèn)證測試。如果使用的通用數(shù)據(jù)中包含任何故障或者失效，則該數(shù)據(jù)不能作為通用數(shù)據(jù)使用，除非供應(yīng)商已對故障情況采取了糾正措施。在提交相關(guān)數(shù)據(jù)后，用戶可以要求供應(yīng)商證明糾正措施的有效性。

強烈建議進行徹底的分析，以檢測在抽樣總體之外產(chǎn)生行為或響應(yīng)的被測試部件上的潛在組件弱點，即使這些部件仍然在接受標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)。

用戶要求的任何本文件未規(guī)定的特殊可靠性測試或條件應(yīng)由供應(yīng)商和用戶共同商定，并且其他測試內(nèi)容并不妨礙產(chǎn)品通過本文件規(guī)定的資格測試項目。

2.6 備選檢測要求

任何與表2中所列的測試要求和條件的偏差都超出了本文檔的范圍。偏差(例如，其他的加速測試方法)必須向AEC說明，以供考慮并納入本文件的未來版本進行補充修訂。

更多信息請參見附錄7:AEC-Q101和任務(wù)剖面文件的使用。

3 認(rèn)證和再認(rèn)證

3.1 新產(chǎn)品的認(rèn)證

新產(chǎn)品認(rèn)證的應(yīng)力測試要求和相應(yīng)的測試條件如表2所示。對于每一項認(rèn)證，供應(yīng)商必須提供所有這些測試的數(shù)據(jù)報告，無論是待認(rèn)證器件的應(yīng)力測試結(jié)果還是可接受的通用數(shù)據(jù)，供應(yīng)商都必須保留所有的數(shù)據(jù)結(jié)果。

同時也應(yīng)該對同類系列/家族的器件驗證結(jié)果進行復(fù)審，以確保在這個系列/家族中沒有存在共性的失效機理。無論何時使用通用數(shù)據(jù)，都必須由供應(yīng)商證明并得到用戶批準(zhǔn)。對于每個產(chǎn)品的認(rèn)證，供應(yīng)商必須向要求產(chǎn)品認(rèn)證的用戶提供認(rèn)證的設(shè)計、實施和認(rèn)證結(jié)果。見附錄2。

3.2 產(chǎn)品發(fā)生變更后的重新認(rèn)證

當(dāng)供應(yīng)商對產(chǎn)品或制程作出了調(diào)整變更，從而影響了（或潛在影響）產(chǎn)品的外形、兼容性、功能、質(zhì)量和可靠性時（見表3的指導(dǎo)原則），該產(chǎn)品就需要重新認(rèn)證。

3.2.1 制程改變通知

供應(yīng)商需要滿足客戶對產(chǎn)品/制程變更的要求。

3.2.2 需要重新認(rèn)證的變更

上述提到的產(chǎn)品任何變更，都需要執(zhí)行表2中所列的對應(yīng)測試內(nèi)容，并使用表3確定重復(fù)認(rèn)證測試計劃。表3應(yīng)該用作確定變更需要執(zhí)行哪些測試項目或是否可以為這些測試提交等效的通用數(shù)據(jù)的指南。

3.2.3 通過重新認(rèn)證的標(biāo)準(zhǔn)

如果第一次認(rèn)證失敗，應(yīng)分析所有失敗的根本原因，并按要求制定糾正和預(yù)防措施。如果用戶批準(zhǔn)了對應(yīng)的產(chǎn)品控制措施，并建立和驗證了糾正和預(yù)防措施，并且可以證明產(chǎn)品通過了重新認(rèn)證，則可以授予該產(chǎn)品或產(chǎn)品家族“認(rèn)證”。

3.2.4 使用方（客戶）的認(rèn)可

如果一個變更不會影響產(chǎn)品的工作溫度等級，但是會影響其使用時的性能。如果客戶對制程改變有單獨的授權(quán)許可，這種許可方式則超出了本文件的范圍。

3.3 認(rèn)證測試計劃

要求供應(yīng)商與每個用戶進行認(rèn)證計劃討論(根據(jù)需要)，以便在新產(chǎn)品的供應(yīng)商確定后，或在工藝變更前(見第3.2.2節(jié))盡快完成確認(rèn)一直的認(rèn)證測試計劃協(xié)議。認(rèn)證測試計劃，應(yīng)使用如附錄3所定義的標(biāo)準(zhǔn)方法，開展表2和表3所要求的測試。

4 認(rèn)證測試

4.1 通用測試

測試流程如圖2所示，測試細(xì)節(jié)要求如表2所示。并非所有測試項目都適用于所有器件。

例如，某些測試僅適用于密封封裝的器件，其他測試僅適用于功率MOSFET器件，等等。表2的“說明”欄和“附加要求”欄中說明了特定器件類型的適用測試。表2的“附加需求”列還用于突出顯示取代參考測試中描述的測試需求。

4.2 器件專項測試

必須對特定器件進行以下測試(即不允許使用家族數(shù)據(jù)代替這些測試):

a.靜電放電特性(表2，測試E3和E4)

b.參數(shù)驗證(表2,E2) - 供應(yīng)商必須證明該器件能夠滿足用戶指定的器件規(guī)格書中詳細(xì)規(guī)定的參數(shù)限制。

4.3 數(shù)據(jù)提交類型

提交給用戶的數(shù)據(jù)分為三類(表2中的數(shù)據(jù)類型列):

4.3.1 數(shù)據(jù)類型1 - Type 1

這些測試的數(shù)據(jù)(通用或特定)應(yīng)按照章節(jié)4.4定義內(nèi)容的開展，并包括在每次認(rèn)證提交的結(jié)果中。

4.3.2 數(shù)據(jù)類型2 - Type 2

封裝專項的測試數(shù)據(jù)不用包含在每個認(rèn)證報告中提交(如果封裝是新的除外)。在沒有重大變化的情況下，供應(yīng)商可以提交一份“完成文件”來代替這些數(shù)據(jù)，該文件引用了以前進行的封裝專項測試的成功完成情況。對于測試C2(物理尺寸)，應(yīng)參照適當(dāng)?shù)挠脩舴庋b規(guī)范完成文件。

4.3.3 數(shù)據(jù)類型3 - Type 3

重復(fù)認(rèn)證數(shù)據(jù)應(yīng)按照表3的要求包含在提交的認(rèn)證報告中。對于新零件，應(yīng)按照表2的要求在認(rèn)證測試報告中包含相關(guān)數(shù)據(jù)。供應(yīng)商在制定重復(fù)認(rèn)證計劃時，應(yīng)將這些測試項目視為新零件認(rèn)證(包括新封裝)或工藝變更提供測試支持依據(jù)的有用工具。供應(yīng)商有責(zé)任說明為什么不需要進行這些測試。

4.4 數(shù)據(jù)提交格式

應(yīng)按照附錄4的定義格式提交認(rèn)證測試數(shù)據(jù)報告。原始數(shù)據(jù)和直方圖應(yīng)要求提交給每個用戶。所有數(shù)據(jù)和文件(例如，未執(zhí)行測試的理由等)應(yīng)由供應(yīng)商按照IATF16949的要求進行維護。

4.5 無鉛元器件的測試要求

供應(yīng)商應(yīng)遵守AEC-Q005無鉛測試要求開展在引線/端子上的電鍍材料含有＜1000ppm重量的無鉛(Pb)器件。

圖2 Q101應(yīng)力測試流程圖

（通過上圖可以看出，Q101分位ABCDE，共計5組內(nèi)容，30項測試內(nèi)容，其中部分內(nèi)容是選其一開展就可以的）

下面是表格2的內(nèi)容：

表格中每列含義解讀：

Stress：應(yīng)力測試項目的名稱

ABV：應(yīng)力測試項目的名稱縮寫

#：應(yīng)力測試項目的編號

Notes：詳見下述Notes的含義

Sample Size/Lot：需求的樣品數(shù)量

Number of Lot：樣品批次數(shù)量

Accept Criteria: 接受標(biāo)準(zhǔn)

Test Method：測試方法（標(biāo)準(zhǔn)）

Additional Requirement：附加要求

Notes一列的含義：

A.對于參數(shù)驗證數(shù)據(jù)，有時可能用戶只要求進行一批Lot的驗證。如果后續(xù)用戶決定使用前一個用戶的資格認(rèn)證數(shù)據(jù)，后續(xù)用戶將負(fù)責(zé)驗證所使用的批次數(shù)量是否可接受。

B.如果提供的是通用(族)數(shù)據(jù)而不是專項器件的數(shù)據(jù)，則需要3批通用或?qū)ｍ椘骷臄?shù)據(jù)。

D.破壞試驗，零件不得重復(fù)用于認(rèn)證實驗或生產(chǎn)。

E.確保每個產(chǎn)品的導(dǎo)線尺寸都可以用樣本的尺寸來代表。

G.允許通用數(shù)據(jù)。參見2.3節(jié)。

H.僅用于密封封裝器件。項目#16至#19是作為順序測試來開展執(zhí)行的，以評估包含內(nèi)部空腔的封裝的機械完整性。注釋下面括號中的數(shù)字表示順序。

K.不適用于穩(wěn)壓二極管(齊納)

L.只適用于含鉛部件。

M.僅適用于MOS和IGBT部件。

N.無損檢測，零件可用于其他認(rèn)證測試或用于生產(chǎn)。

O.僅用于穩(wěn)壓二極管(齊納)。

P.應(yīng)考慮是否將此測試項目應(yīng)用于智能電源器件或用等效的Q100測試代替。需要考慮的因素包括芯片上的邏輯/傳感量、預(yù)期的用戶應(yīng)用、開關(guān)速度、功耗和引腳數(shù)。

S.僅用于表面貼裝器件SMD。

T.在間歇工作壽命條件下測試二極管時，100度結(jié)溫增量可能無法實現(xiàn)。如果存在這種情況，應(yīng)進行功率溫度循環(huán)(A5 alt)測試，以取代間歇工作壽命(A5)測試，以確保發(fā)生適當(dāng)?shù)慕Y(jié)溫變化。所有其他器件應(yīng)使用間歇工作壽命A5。

U.僅對于這些測試，如果Die尺寸在等效封裝認(rèn)證的尺寸范圍內(nèi)，則可以使用未成型的引腳封裝形式(如IPAK)來檢驗裝入等效封裝的新Die(如DPAK)。

V. 對于雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)器件，每個方向的測試時間為試驗總時間的一半。

W.不需要對瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)部件開展。對于TVS部件，第4.2節(jié)中的PV數(shù)據(jù)將是在100%峰值脈沖功率(Pppm)已執(zhí)行到額定Ippm電流之后采集。

X.對于開關(guān)部件(例如，快速/超快整流器，肖特基)，用戶/供應(yīng)商規(guī)格書規(guī)定的額定結(jié)溫是指在開關(guān)模式應(yīng)用條件下。對于在開關(guān)模式器件上使用直流反向條件可能在HTRB中經(jīng)歷熱失控的器件，用戶/供應(yīng)商規(guī)格書中可能沒有規(guī)定額定直流反向電壓下的最大額定結(jié)溫，這些測試條件應(yīng)在認(rèn)證測試計劃/報告中說明。例:100V肖特基部件;施加100V, 把TA調(diào)整到最大TJ能力，而不使部件發(fā)生熱失控，所能達(dá)到的電壓值、TA和TJ將作為測試條件并在認(rèn)證測試計劃/報告中寫明。

Y 只用于晶閘管。

1 內(nèi)部鍵合線直徑小于等于5mil的MOSFET部件。

2 試驗A4A和A4Aalt不對銅線鍵合產(chǎn)品開展。請按照AEC-Q006的要求進行實驗。

3 需要按照AEC-Q006銅絲鍵合器件的要求執(zhí)行。

表2A 間隔工作壽命A5或功率溫度循環(huán)A5alt的時間要求

例1:一個能夠滿足開2分鐘/關(guān)4分鐘的封裝器件在△TJ≥100℃下需要10,000次[60,000/(2+4)]或在△TJ≥125℃下需要5,000次循環(huán)。

例2:一個能開1分鐘/關(guān)1分鐘的封裝在△TJ≥100℃下需要15000次循環(huán)，或在△TJ≥125℃下需要7500次循環(huán)。

X =零件從環(huán)境溫度達(dá)到所需的△Tj所需的最短時間。

Y =零件從所需的從△Tj冷卻到環(huán)境溫度所需的最小時間。

測試板上的儀器儀表、器件安裝方式和散熱方法將影響每個封裝的x和y。

表2B 基于J-STD-002標(biāo)準(zhǔn)對SnPb電鍍端子的可焊性要求C10

*注:無鉛端子的可焊性要求參見AEC-Q005無鉛產(chǎn)品驗證要求。

表3 工藝變更對應(yīng)的可選認(rèn)證內(nèi)容指導(dǎo)

其中：

A超聲波顯微鏡 B如果不是激光刻蝕 C僅針對引線框架電鍍變更 D僅針對引腳加工變更

E如果適用 F有限元分析 G玻璃化溫度 H僅針對密封器件 I早期失效率 J變化為銅線

L僅針對無鉛器件 M僅針對功率MOS/IGBT器件 P僅針對MOS管CV法 R擴展電阻屬性

S穩(wěn)定期的失效率 XX射線 0肖特基勢壘變化時適用 1如果綁線點受到影響

2驗證#2（封裝）之后 3僅針對邊緣變化 4僅針對氧化刻蝕 5源極或者溝道區(qū)域變化

6場終端變化 7鈍化處理變化 8接觸變化 9外延層變化