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異步電路與同步電路的區(qū)別,異步和同步拓?fù)涞膬?yōu)點和缺點

科技觀察員 ? 來源:apogeeweb ? 作者:apogeeweb ? 2023-07-04 16:57 ? 次閱讀

什么是異步和同步電路?

異步電路

如果高MOSFET與低MOSFET同步,我們可以在一些應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)它們被稱為直接開關(guān)管,即高端和低側(cè)MOSFET。

同步電路

同步是一種新技術(shù),它使用MOSFET(一種具有非常低導(dǎo)通電阻的特殊功率元件)來代替整流二極管,然后降低整流器損耗。它可以大大提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的效率,并且沒有由肖特基勢壘引起的閾值電壓。功率MOSFET是一種電壓控制器件,在導(dǎo)通狀態(tài)下具有線性電壓電流特性。當(dāng)功率MOSFET用作整流器時,柵極電壓必須與整流電壓的相位同步才能實現(xiàn)整流功能,因此稱為同步整流器。

異步電路與同步電路的區(qū)別

上部和下部晶體管都使用場效應(yīng)晶體管的電路是同步的,并且只有一個上部晶體管(開關(guān)管)的電路是異步的。例如,看這兩個降壓電路,如下圖所示:初級功率電平的功率開關(guān)是我們常見的如圖2所示,下部反激二極管變成開關(guān),稱為異步場效應(yīng)晶體管(FET),如圖3所示。

也就是說,圖2顯示了一個異步電路,圖3顯示了一個同步電路。

pYYBAGSj3u-AeGBGAABdsQ7TV2Y033.png

再比如:

外圍有一個控制器,上面有兩個上下MOS晶體管,上部晶體管可以用作功率晶體管,下部晶體管可以用作同步FET,因此我們可以說它是一個同步Buck電路。

pYYBAGSj3uuAegHUAAJZO-kFaOc202.png

異步和同步拓?fù)涞膬?yōu)點和缺點

異步拓?fù)涞膬?yōu)點和缺點

當(dāng)輸出電流變化時,二極管的壓降非常恒定。

當(dāng)反激二極管處于正向?qū)l件且輸出電流變化時,二極管的正向壓降是恒定的。鍺管的壓降為0.2-0.3 V,硅管的壓降為0.7 V。

效率低

考慮到二極管的壓降是恒定的,當(dāng)流過二極管的電流非常大時,盡管非常低的輸出電壓可以得到令人印象深刻的高值乘以電流。此時,二極管的小壓降會導(dǎo)致相當(dāng)大的功率耗散,這使得電路的效率在高電流下下降。

它更便宜

每個人都知道,在相同條件下(在同一類型的襯底上),二極管必須比MOSFET便宜。如果一個是普通的MOSFET,另一個是碳化硅襯底二極管,或者一個是低壓MOSFET,另一個是高壓二極管,那么二極管不一定比MOSFET便宜。

可以使用高輸出電壓

它更適合高輸入電壓,因為如果輸出電壓比較高,那么在正向?qū)J较露O管的壓降比例會很小,對效率的影響也會降低。此外,由于其電路結(jié)構(gòu)相對簡單,不需要額外的控制電路,生產(chǎn)過程將相對簡單。

同步拓?fù)涞膬?yōu)點和缺點

MOSFET 的壓降相對較低

MOSFET有一個非常重要的參數(shù),導(dǎo)通電阻Rds導(dǎo)通,大多非常小,在毫歐級,所以MOSFET導(dǎo)通后的壓降非常低。

高效率

在相同條件下,MOSFET的壓降遠(yuǎn)小于正向?qū)J较碌钠胀ㄐぬ鼗O管,因此在恒流條件下,MOSFET的功率損耗遠(yuǎn)小于二極管。因此,使用MOSFET比使用二極管更有效。

需要額外的控制電路

MOSFET需要增加一個額外的驅(qū)動電路來同步上下MOSFET,而非同步二極管自然整流,不需要額外的控制電路。因此,與異步電路相比,同步電路將更加復(fù)雜。

成本更高

一般來說,MOSFET的價格高于二極管,而MOSFET需要驅(qū)動電路或驅(qū)動IC,因此同步電路的制造成本比非同步電路貴,工藝也更復(fù)雜。

在同步和異步類型之間進(jìn)行選擇

效率

在了解了兩者的優(yōu)點和缺點之后,我們?nèi)绾巫龀鲞x擇?好吧,如果你想提高效率,并且不介意更高的成本,那么同步類型是你最好的選擇。就像我已經(jīng)說過的,mosfet可以給你效率,因為它的損耗低,但它確實更昂貴和昂貴。

成本

異步電路使用飛輪二極管,飛輪二極管比MOSFET便宜,并且不需要額外的控制電路,因此在元件材料成本和生產(chǎn)成本方面要便宜得多。因此,如果效率不是您的優(yōu)先事項,異步類型對您來說也是一個不錯的選擇。

可靠性

要考慮的另一件事是可靠性。異步類型肯定比同步類型更可靠,因為MOSFET不可能是理想的開關(guān),無論如何,它都有導(dǎo)通/關(guān)斷時間。因此,如果上、下三極管的死區(qū)時間控制不好,會造成上部晶體管的關(guān)斷時間與下部晶體管的導(dǎo)通時間重疊,產(chǎn)生直通電流,并會燒毀MOSFET。

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