R課堂 | 600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS?產(chǎn)品陣容又增新品

*1：截至2022年3月18日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)

*2：此前發(fā)布的PrestoMOS已實(shí)現(xiàn)
*3：與TO-220FM同等封裝產(chǎn)品的比較

在工業(yè)設(shè)備和白色家電領(lǐng)域，要求進(jìn)一步提升產(chǎn)品效率，這也就對(duì)功率半導(dǎo)體提出了進(jìn)一步降低功率損耗的強(qiáng)烈需求。PrestoMOS R60xxVNx系列是對(duì)以往的PrestoMOS改進(jìn)后的Super Junction MOSFET，不僅保持了PrestoMOS的特點(diǎn)——超快反向恢復(fù)時(shí)間，還進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻。

保持業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

PrestoMOS R60xxVNx系列通過(guò)采用ROHM新工藝降低了單位面積的導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)時(shí)間之間存在此消彼長(zhǎng)的權(quán)衡關(guān)系，該系列產(chǎn)品在保持以往PrestoMOS已實(shí)現(xiàn)的業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間的同時(shí)，還成功地將導(dǎo)通電阻降低多達(dá)20%（與TO-220FM同等封裝的同等普通產(chǎn)品比較）。導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)時(shí)間性能的比較結(jié)果如下圖所示。

實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快的反向恢復(fù)時(shí)間，開(kāi)關(guān)損耗更低

通常，當(dāng)工藝向更微細(xì)的方向發(fā)展時(shí)，“導(dǎo)通電阻”等基本性能會(huì)得到改善，但“反向恢復(fù)時(shí)間”特性會(huì)變差。PrestoMOS R60xxVNx系列不僅實(shí)現(xiàn)了比同等普通產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻，還利用ROHM自有的高速技術(shù)保持住了以往PrestoMOS已實(shí)現(xiàn)的105ns業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間（與TO-220FM同等封裝產(chǎn)品比較）。超快反向恢復(fù)時(shí)間可減少功率損耗，與同等普通產(chǎn)品相比，開(kāi)關(guān)時(shí)的功率損耗可降低約17%。

下表中列出了此次發(fā)布的PrestoMOS R60xxVNx系列的7款機(jī)型和開(kāi)發(fā)中的產(chǎn)品。另外，后面還列出了新增兩款機(jī)型的高速開(kāi)關(guān)型R60xxYNx系列的亮點(diǎn)和產(chǎn)品陣容。為了便于客戶根據(jù)應(yīng)用需求選用合適的產(chǎn)品，ROHM正在致力于打造更加豐富的產(chǎn)品陣容。

PrestoMOS R60xxVNx系列產(chǎn)品陣容

測(cè)試條件：導(dǎo)通電阻60mΩ級(jí)產(chǎn)品、環(huán)境溫度25℃、輸入電壓220V、輸出電壓400V、L=500μH、頻率70kHz、關(guān)斷時(shí)的VDS過(guò)沖條

輸出功率（W）

☆: 開(kāi)發(fā)中
※封裝名稱采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。（ ）內(nèi)表示ROHM封裝名，〈 〉內(nèi)表示GENERAL代碼。

高速開(kāi)關(guān)型R60xxYNx系列的亮點(diǎn)和產(chǎn)品陣容

漏極電流密度更高，導(dǎo)通電阻顯著降低

與以往產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了40%，Ron×Qgd降低了30%

這些性能的提升將非常有助于提高電源效率