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200W MOSFET放大器電路圖

CHANBAEK ? 來源:amplifiercircuit.net ? 作者:amplifiercircuit.net ? 2023-08-24 15:40 ? 次閱讀

該 200 瓦 MOSFET 放大器電路基于傳統(tǒng)圖解:對稱差分輸入級、共源共柵級驅(qū)動器和 MOSFET 輸出級。它很容易用通用組件構(gòu)建,而且價格便宜。該電路非常緊湊,由兩個子系統(tǒng)組成:控制級和輸出級。

wKgZomTnCUeAO3EXAABDUVdSlrY786.jpg

該電路的功率輸出為 8 歐姆時 200 Wrms 或 4 歐姆時 350 Wrms。失真度小于0.02%,阻尼因數(shù)大于300,信號/噪聲比112 dB(全功率下平衡),輸入靈敏度為1.2伏(200瓦/8歐姆)。

T5 和T6 周圍承載+/-1 mA 的電流源二極管D1至D6允許使用低噪聲型BC560C和BC550C晶體管,晶體管T7至T10是驅(qū)動級。電位器 P1 允許將每個輸出晶體管的靜態(tài)電流設(shè)置為 100 mA。

對稱功率委托給大型變壓器 625 VA、2 * 51 伏 + 橋式整流器和 4700 uF 電容器 6,從而為每軌提供 + 和 – 70 伏的輸出電壓。

筆記 :

電容器 C3 未在圖表和 PCB 上重現(xiàn)(這是正確的)。

晶體管 T9 和 T10 必須組裝在熱阻為 5° c/w 的共用散熱器上或輸出級散熱器上。

PCB 的接地點和揚(yáng)聲器接地點必須與 PSU 的 0 伏星形連接。

功率晶體管必須組裝在熱阻小于1°C/W的散熱器上。它們還必須使用云母絕緣體+導(dǎo)熱化合物或硅樹脂絕緣體與散熱器電絕緣。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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