國(guó)芯思辰|國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS2MC和Flash混合存儲(chǔ)方案的氨氣檢測(cè)儀

氨氣檢測(cè)儀可以快速測(cè)定在工業(yè)燃燒、農(nóng)業(yè)養(yǎng)殖以及日常生活中氨氣濃度，檢測(cè)儀提供的數(shù)據(jù)，包括多采樣點(diǎn)的氨氣濃度值、采樣通道和時(shí)間報(bào)警信息以及檢測(cè)儀系統(tǒng)自身的參數(shù)信息等。

如何記錄更準(zhǔn)確全面的信息，以及如何在惡劣環(huán)境中長(zhǎng)時(shí)間保存數(shù)據(jù)，為查找分析記錄提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)，成為氨氣檢測(cè)儀的關(guān)鍵技術(shù)，具體來說就是要求儀器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)具有訪問速度快、讀寫次數(shù)多、容量大、存儲(chǔ)器工作穩(wěn)定的特點(diǎn)?；谶@些特點(diǎn)，本文介紹了基于國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC和Flash混合的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案。

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC芯片性能特點(diǎn)如下：

1、PB85RS2MC支持SPI串行接口，最大25MHz工作頻率，可滿足主控芯片快速通信需求；

2、采用SOP8小封裝，節(jié)省PCB板設(shè)計(jì)空間，便于布局；

3、任何扇區(qū)編程擦除周期典型值達(dá)100萬次，數(shù)據(jù)保留年限典型值25年，可充分滿足產(chǎn)品可靠性要求；

4、最大功耗為5mA，最大待機(jī)電流僅僅10μA，可有效降低功耗，延長(zhǎng)檢測(cè)儀電池使用時(shí)間；

5、PB85RS128配置為16,384×8位，通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，和SRAM不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，有效提高數(shù)據(jù)的安全性。

6、PB85RS128的工作電壓為2.7V至3.6V，待機(jī)功耗僅有7μA，完全滿足系統(tǒng)低功耗需求，而且工作環(huán)境溫度范圍是-40℃至85℃，在更多場(chǎng)景下使用也能保證數(shù)據(jù)讀寫的的穩(wěn)定性。

7、兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）

在本系統(tǒng)的鐵電存儲(chǔ)器和Fash混合結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)中，鐵電存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)系統(tǒng)改寫頻繁的實(shí)時(shí)濃度數(shù)據(jù)，短時(shí)間的報(bào)警記錄信息，以及報(bào)警閾值和通信配置等系統(tǒng)參數(shù)，確保需要頻繁讀寫或者快速調(diào)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在鐵電存儲(chǔ)器中。

Flash作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)，讀寫次數(shù)有限不能頻繁讀寫主要用來存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器中轉(zhuǎn)存過來的歷史數(shù)據(jù)和報(bào)警記錄。只有當(dāng)鐵電存儲(chǔ)器中相應(yīng)的濃度數(shù)據(jù)和報(bào)警記錄緩存區(qū)滿時(shí)才執(zhí)行轉(zhuǎn)存操作，避免每次更新數(shù)據(jù)都對(duì)Fash執(zhí)行一次擦寫操作。

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