關(guān)于高數(shù)值孔徑EUV和曲線光掩模等燈具的討論

半導(dǎo)體芯科技編譯

來源：Silicon Semiconductor

eBeam Initiative已完成第12屆年度eBeam Initiative杰出人物調(diào)查。

來自半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)（包括光掩模、電子設(shè)計(jì)自動化（EDA）、芯片設(shè)計(jì)、設(shè)備、材料、制造和研究）的47家公司的行業(yè)知名人士參與了今年的調(diào)查。

80%的受訪者認(rèn)為，到2028年，將有多家公司在大批量制造（HVM）中廣泛采用高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)，與去年調(diào)查中報(bào)告的比例相同。此外，與去年的調(diào)查相比，對前沿掩模商能夠處理曲線掩模需求的信心增加了一倍，而87%的人預(yù)測前沿掩模至少可以處理有限數(shù)量的曲線掩模。

今年的杰出人物調(diào)查中增加了新問題，評估人們對EUV和非EUV前沿掩模和圖案的看法。70%的人表示曲線逆光刻技術(shù)（ILT）對于非EUV前沿節(jié)點(diǎn)非常有用，而75%的人同意2納米、0.33 NA EUV需要該技術(shù)。預(yù)計(jì)通過光化測試檢查EUV掩模的百分比將在三年內(nèi)翻一番，從2023年的加權(quán)平均30%增加到2026年的63%。此外，95%的人同意需要多光束掩模寫入機(jī)來寫入EUV掩模 。

近日，專家小組在與加州蒙特雷SPIE光掩模技術(shù) + EUV光刻會議聯(lián)合舉辦的eBeam Initiative活動中討論燈具調(diào)查的完整結(jié)果。

杰出人物調(diào)查（2023年7月進(jìn)行）的其他亮點(diǎn)

? 83%的受訪者預(yù)測，2023年掩模收入將增加或保持不變，盡管SEMI預(yù)測掩模市場將收縮3%

? 82%的人預(yù)測，到2027年，高數(shù)值孔徑EUV將首先用于HVM

? 71%的人認(rèn)為，高數(shù)值孔徑EUV的最小掩模尺寸將為20 nm或以下

? 大多數(shù)受訪者預(yù)測，未來三年用于多光束掩模寫入機(jī)（77%）和掩模檢測（63%）的僅193i設(shè)備采購量將會增加

? 83%的受訪者認(rèn)為，“非EUV前沿”（193i光刻達(dá)到經(jīng)濟(jì)可行性實(shí)際極限的節(jié)點(diǎn)）在>5 nm 至14 nm范圍內(nèi)

eBeam Initiative的管理公司贊助商D2S首席執(zhí)行官Aki Fujimura表示：“年度eBeam Initiative杰出人物調(diào)查的參與者是一群獨(dú)特的半導(dǎo)體內(nèi)部人士，他們對塑造該行業(yè)的市場和技術(shù)趨勢有著敏銳的洞察力。在過去幾年中，調(diào)查指出曲線ILT的使用增加是EUV和193i的主要趨勢。今年的調(diào)查結(jié)果表明，人們對曲線掩模（包括非EUV 前沿節(jié)點(diǎn)）仍然充滿信心，并且存在在更關(guān)鍵層使用ILT的趨勢。得益于多光束掩模寫入和GPU加速，現(xiàn)在可以實(shí)現(xiàn)曲線掩模。曲線掩模展示了諸如工藝窗口增加高達(dá)100%等優(yōu)勢，表明它們可以成為將當(dāng)前光刻技術(shù)擴(kuò)展到更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的解決方案的一部分?！?/p>

審核編輯 黃宇