半導(dǎo)體行業(yè)之晶圓制造與封裝概述（二）

芯片的術(shù)語(yǔ)

下圖中描述了一個(gè)中等規(guī)模集成(MSI)/雙極顯微照片集成電路。選擇整合的水平，以便一些表面細(xì)節(jié)可以看到。高密度電路的元件非常小，以至于它們?cè)谡麄€(gè)芯片的顯微照片上無(wú)法區(qū)分。

該芯片的特點(diǎn)是:1、雙極晶體管；2、電路編號(hào)；3、粘接墊，可以將芯片連接到封裝中；4、粘在鍵合pad上的的污物墊；5、金屬表面“布線”；6。劃片道；7、無(wú)關(guān)聯(lián)的組件；8、掩膜對(duì)齊標(biāo)記；9、電阻器

基本晶圓制造操作

有許多的電路是混合電路和集成電路。ic是基于一個(gè)小數(shù)量的晶體管結(jié)構(gòu)構(gòu)成(主要是雙極或金屬氧化物硅[MOS])結(jié)構(gòu)和制造工藝。汽車(chē)行業(yè)就是一個(gè)典型的例子。這個(gè)行業(yè)生產(chǎn)的產(chǎn)品種類(lèi)繁多，從轎車(chē)到推土機(jī)。然而，金屬成形、焊接、噴漆等過(guò)程都是所有工廠都有的。在工廠內(nèi)部，這些基本流程應(yīng)用不同的方式生產(chǎn)不同產(chǎn)品。

微芯片制造也是如此。四種基本操作是通過(guò)測(cè)序來(lái)生產(chǎn)特定的微芯片?；镜牟僮饔蟹謱樱瑘D形化，激活劑和熱處理。下圖是(MOS)硅柵的截面圖晶體管。它說(shuō)明了如何使用和排序這些基本操作來(lái)創(chuàng)建現(xiàn)實(shí)生活中的半導(dǎo)體器件。

分層

分層是在晶圓片表面添加薄層的操作。一個(gè)如下圖中對(duì)簡(jiǎn)單MOS晶體管結(jié)構(gòu)的檢查顯示了一些已添加到晶圓片表面的層。這些層可以是絕緣體，半導(dǎo)體或?qū)w。它們由不同的材料制成，生長(zhǎng)在不同的地方，通過(guò)各種方法沉積的。

各種技術(shù)被用于生長(zhǎng)二氧化硅層和沉積(如下圖所示)。常見(jiàn)的沉積技術(shù)是物理沉積氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、蒸發(fā)、濺射、分子束，外延，分子束外延和原子層沉積(ALD)。電鍍是在高密度上鍍金的一種方法集成電路。下圖列出了常用的層材料和分層過(guò)程。每個(gè)過(guò)程的細(xì)節(jié)將在過(guò)程章節(jié)中解釋。角色的不同結(jié)構(gòu)中的層將在后續(xù)的章節(jié)中解釋。

圖形化

圖形化是一系列步驟，其結(jié)果是去除圖像的選定部分添加面層(如下圖所示)。去除后，層的圖案留在晶片表面。所去除的材料可以以層中的孔或孔的形式存在，只剩下一個(gè)島。

這種圖案化的過(guò)程被稱為掩模，掩模，光刻和顯微光刻。在晶圓制造過(guò)程中晶體管、二極管、電容器、電阻器和金屬的各種物理部件晶圓片表面和內(nèi)部形成導(dǎo)電系統(tǒng)。這些部分被創(chuàng)建一次一層，通過(guò)在表面上放一層和使用留下特定形狀的圖案加工過(guò)程。模式操作的目標(biāo)是以所需的精確尺寸(特征尺寸)創(chuàng)建所需的形狀電路設(shè)計(jì)，并將它們定位在晶圓表面上的適當(dāng)位置和其他層的關(guān)系。

圖形化是四種基本操作中最關(guān)鍵的。此操作將設(shè)置設(shè)備的關(guān)鍵尺寸。圖案制作過(guò)程中的錯(cuò)誤可能會(huì)導(dǎo)致扭曲或錯(cuò)位的圖案，導(dǎo)致電氣故障的設(shè)備或電路。模式的錯(cuò)誤放置可能會(huì)產(chǎn)生同樣的壞結(jié)果。另一個(gè)問(wèn)題是缺陷。圖案制作是一種高科技版的攝影，但它是在難以置信的小尺寸。在工藝步驟中可能引入污染缺陷。這個(gè)污染問(wèn)題被放大了，因?yàn)閳D案在最先進(jìn)的晶圓制造工藝過(guò)程中，在晶圓上執(zhí)行30次或更多次操作。

審核編輯：劉清