WD4000國(guó)產(chǎn)晶圓幾何形貌量測(cè)設(shè)備通過非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV、BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷?？蓪?shí)現(xiàn)砷化鎵
2024-03-15 09:22:08
領(lǐng)帶，這可是當(dāng)年半導(dǎo)體弄潮兒的標(biāo)配。
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集成電路史上最著名的10個(gè)人
于是，第一個(gè)半導(dǎo)體時(shí)代誕生了——集成器件制造商時(shí)代
2024-03-13 16:52:37
想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
擁有能夠在高頻下高功率運(yùn)行的半導(dǎo)體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢(shì)，但有一個(gè)主要缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力：缺乏 P -類型。
2024-02-29 10:26:32
89 近日，金融分析師奈斯泰德（Dan Nystedt）公布了2023年全球半導(dǎo)體制造商的營(yíng)收數(shù)據(jù)，其中臺(tái)積電以693億美元的業(yè)績(jī)首次超越英特爾和三星電子，登頂全球最大半導(dǎo)體制造商的位置。這一成就標(biāo)志著臺(tái)積電經(jīng)過36年的努力，終于在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中嶄露頭角，成為行業(yè)的領(lǐng)頭羊。
2024-02-23 17:34:01544 WD4000無圖晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)是通過非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷?？杉嫒莶煌馁|(zhì)
2024-02-21 13:50:34
半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。
2024-02-19 16:43:38220 1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。
2024-01-13 17:17:561042 WD4000無圖晶圓幾何形貌測(cè)量設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種
2024-01-10 09:27:32396 WD4000半導(dǎo)體晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2024-01-09 09:08:07
近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)域的杰出表現(xiàn)，榮獲兩項(xiàng)權(quán)威大獎(jiǎng)：“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”和“中國(guó)GaN功率器件十強(qiáng)”。這一榮譽(yù)充分展示了安世半導(dǎo)體作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者的強(qiáng)大實(shí)力，以及其在三代半領(lǐng)域的深厚積累。
2024-01-03 15:46:13403 后，這些芯片也將被同時(shí)加工出來。
材料介質(zhì)層參見圖3，芯片布圖上的每一層圖案用不同顏色標(biāo)示。對(duì)應(yīng)每一層的圖案，制造過程會(huì)在硅晶圓上制做出一層由半導(dǎo)體材料或介質(zhì)構(gòu)成的圖形。本文把這些圖形層稱之為材料介質(zhì)
2024-01-02 17:08:51
近日，中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部公示《2023年新一代信息技術(shù)典型產(chǎn)品、應(yīng)用和服務(wù)案例（第一批）名單》，兆馳半導(dǎo)體憑借智能制造、數(shù)字化管理的創(chuàng)新實(shí)踐和突出貢獻(xiàn)，成功入選，是對(duì)企業(yè)實(shí)力與產(chǎn)品品質(zhì)的肯定，更是兆馳半導(dǎo)體智能制造的成果體現(xiàn)。
2023-12-28 16:47:18364 氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，氮化鎵半導(dǎo)體芯片和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片的組成
2023-12-27 14:58:24424 鎵（GaN）半導(dǎo)體： 氮化鎵是一種二元復(fù)合半導(dǎo)體（由氮和鎵元素構(gòu)成），具有較大的禁帶寬度（3.4電子伏特）。它是一個(gè)具有六方晶系結(jié)構(gòu)的材料，并且具有較高的熱穩(wěn)定性和寬溫度范圍的應(yīng)用特性。 碳化硅（SiC）半導(dǎo)體： 碳化硅是
2023-12-27 14:54:18326 隨著科技的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)成為了推動(dòng)各行各業(yè)進(jìn)步的重要力量。而半導(dǎo)體晶圓制造作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，其效率和質(zhì)量的提升對(duì)于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展起著決定性的作用。在這個(gè)高度競(jìng)爭(zhēng)的行業(yè)中，如何提升制造
2023-12-22 13:01:31182 
TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對(duì)晶圓表面的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量。通過晶圓的測(cè)溫點(diǎn)了解特定位置晶圓的真實(shí)溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過程中晶圓發(fā)生的溫度
2023-12-21 08:58:53
)及分析反映表面質(zhì)量的2D、3D參數(shù)。廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。WD
2023-12-20 11:22:44
2023年12月15日，中國(guó)-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-12-15 16:44:11462 在本系列第二篇文章中，我們主要了解到半導(dǎo)體封裝的作用。這些封裝的形狀和尺寸各異，保護(hù)和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。在這篇文章中，我們將帶您了解半導(dǎo)體封裝的不同分類，包括制造半導(dǎo)體封裝所用材料的類型、半導(dǎo)體封裝的獨(dú)特制造工藝，以及半導(dǎo)體封裝的應(yīng)用案例。
2023-12-14 17:16:52442 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 ，半導(dǎo)體器件在制造和組裝過程中會(huì)發(fā)生靜電感應(yīng)，當(dāng)導(dǎo)線接地時(shí)，內(nèi)部電場(chǎng)將發(fā)生巨大變化，放電電流將流過電路，從而導(dǎo)致靜電擊穿。
對(duì)于這種靜電損壞的半導(dǎo)體器件非常嚴(yán)重，請(qǐng)確保在釋放電流之前，清除這些靜電荷
2023-12-12 17:18:54
GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場(chǎng)最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 09:28:15913 
晶圓測(cè)溫系統(tǒng)tc wafer晶圓表面溫度均勻性測(cè)溫晶圓表面溫度均勻性測(cè)試的重要性及方法 在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓的表面溫度均勻性是一個(gè)重要的參數(shù)
2023-12-04 11:36:42
隨著科技的飛速發(fā)展，功率半導(dǎo)體已經(jīng)深入到我們生活的各個(gè)領(lǐng)域。從我們?nèi)粘Ｊ褂玫募译?，到環(huán)保出行的電動(dòng)汽車，再到航空航天領(lǐng)域的飛機(jī)和宇宙飛船，都離不開功率半導(dǎo)體。下面介紹的就是市場(chǎng)上功率半導(dǎo)體制造商中的領(lǐng)導(dǎo)者。
2023-11-27 14:53:24233 
建立半導(dǎo)體工廠需要大面積的土地、大量的能源以及高精度的機(jī)械設(shè)備。由于芯片工廠的復(fù)雜性不斷增加，美國(guó)國(guó)會(huì)為提升國(guó)家的技術(shù)獨(dú)立性，已經(jīng)撥款超過500億美元用于美國(guó)國(guó)內(nèi)芯片生產(chǎn)的提升。半導(dǎo)體工廠是一個(gè)巨大的資源黑洞，數(shù)不清的資源都向其在涌入，其中水資源也是半導(dǎo)體工廠極其需要的。
2023-11-18 11:11:00421 
WD4000系列半導(dǎo)體晶圓幾何形貌自動(dòng)檢測(cè)機(jī)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR
2023-11-06 10:47:07
氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來簡(jiǎn)單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN基藍(lán)光半導(dǎo)體激光器的發(fā)展.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-31 11:13:51
0 WD4000半導(dǎo)體晶圓表面三維形貌測(cè)量設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示
2023-10-23 11:05:50
鎵或GaN芯片，這是一種硬核半導(dǎo)體，能夠承受比標(biāo)準(zhǔn)硅芯片更高的電壓和溫度。 其芯片用于全球智能手機(jī)、汽車和通信技術(shù)。 該公司表示，新資金將幫助他們提高制造水平并改進(jìn)芯片，從而改進(jìn)依賴其產(chǎn)品的技術(shù)。 GlobalFoundries的Ezra Hall表示：“幫助電動(dòng)汽車走得更遠(yuǎn)，或者讓家中的太陽能電
2023-10-20 10:31:17391 
使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。
2023-10-20 09:59:40707 
WD4000半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI
2023-10-19 11:08:24
WD4000無圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW
2023-10-18 09:09:00
近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
半導(dǎo)體制造是現(xiàn)代微電子技術(shù)的核心，涉及一系列精細(xì)、復(fù)雜的工藝步驟。下面我們將詳細(xì)解析半導(dǎo)體制造的八大關(guān)鍵步驟：
2023-09-22 09:05:191719 
半導(dǎo)體劃片工藝是半導(dǎo)體制造過程中的重要步驟之一，主要用于將大尺寸的晶圓切割成小片，以便進(jìn)行后續(xù)的制造和封裝過程。以下是一些半導(dǎo)體劃片工藝的應(yīng)用：晶圓劃片：在半導(dǎo)體制造過程中，需要將大尺寸的晶圓切割成
2023-09-18 17:06:19394 
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)洌试陂_關(guān)頻率超過 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
我們可以根據(jù)材料導(dǎo)電性的強(qiáng)弱將材料分為三類：導(dǎo)體，絕緣體和半導(dǎo)體。
2023-09-15 10:28:451526 
氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。。GaN材料的研究和應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是發(fā)展微電子器件和光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。
2023-09-07 17:07:551783 
調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24365 
半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)垂直化分工格局，上游包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體制造設(shè)備等；中游為半導(dǎo)體生產(chǎn)，具體可劃分為芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試；半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下 游為各類終端應(yīng)用。
2023-08-29 16:24:59761 
半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)垂直化分工格局，上游包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體制造設(shè)備等；中游為半導(dǎo)體生產(chǎn)，具體可劃分為芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試；半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下 游為各類終端應(yīng)用。
2023-08-29 09:48:351809 
PFA花籃（PFA wafer Cassette） 又名 清洗花藍(lán) ，鐵氟龍卡匣 ， 鐵氟龍晶舟盒 ，鐵氟龍晶圓盒為承載半導(dǎo)體晶圓片/硅片
2023-08-29 08:57:51
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
高精度半導(dǎo)體芯片推拉力測(cè)試儀免費(fèi)測(cè)樣品半導(dǎo)體芯片測(cè)試是半導(dǎo)體制造過程中非常重要的一環(huán)。芯片測(cè)試流程：芯片測(cè)試一般分為兩個(gè)階段，一個(gè)是CP（Chip Probing）測(cè)試，也就是晶圓（Wafer）測(cè)試
2023-08-22 17:54:57
目前BGA封裝技術(shù)已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，相較于傳統(tǒng)的TSOP封裝，具有更小體積、更好的散熱性能和電性能。
在BGA封裝的植球工藝階段，需要使用到特殊設(shè)計(jì)的模具，該模具的開窗口是基于所需的實(shí)際焊球
2023-08-21 13:38:06
半導(dǎo)體技術(shù)在當(dāng)今社會(huì)已成為高科技產(chǎn)品的核心，而在半導(dǎo)體制造的各個(gè)環(huán)節(jié)中，銅憑借其出色的性能特點(diǎn)，已成為眾多工藝應(yīng)用的關(guān)鍵材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，銅主要被用于制造互連線路。在傳統(tǒng)的互連制造中，銅通常被用作通過化學(xué)氣相淀積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）技術(shù)沉積在金屬膜上。
2023-08-19 11:41:15738 半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過程劃分，半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體
2023-08-14 11:31:471207 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強(qiáng)型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱產(chǎn)品用途： 半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱特點(diǎn)：1．圓幅內(nèi)襯，不銹鋼圓幅型內(nèi)襯設(shè)計(jì)，可避免蒸氣潛熱直接沖擊試品。2．實(shí)驗(yàn)開始前之真空動(dòng)作可將原來箱內(nèi)之空氣抽出并吸入
2023-07-18 10:37:12
在半導(dǎo)體制造過程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:552897 
氮化鎵（GaN）是直接寬帶隙半導(dǎo)體材料，屬于第3代半導(dǎo)體。相較于硅、砷化鎵等，GaN的禁帶寬度更大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度更高，具有更高的電子飽和度和漂移速率、更強(qiáng)的抗輻照能力以及較強(qiáng)的化學(xué)穩(wěn)定性。其在可見光
2023-07-11 10:10:56158 二極管是最簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體器件，在本文中，我們將了解什么是半導(dǎo)體、摻雜的工作原理以及如何使用半導(dǎo)體制造二極管。但首先，讓我們仔細(xì)看看硅。硅是一種非常常見的元素，是沙子和石英中的主要元素。如果在元素周期表中查找“硅”，會(huì)發(fā)現(xiàn)它位于鋁旁邊，低于碳，高于鍺。
2023-07-06 11:13:55914 
晶圓測(cè)溫系統(tǒng)，晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對(duì)溫度控制的要求越來越高。熱電偶作為一種常用的溫度測(cè)量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文
2023-06-30 14:57:40
領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導(dǎo)體材料的核心技術(shù)之一，具有禁帶寬度高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、電子飽和速度高等優(yōu)勢(shì)。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關(guān)速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動(dòng)性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級(jí)6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
OBC和低壓DC/DC的集成設(shè)計(jì)可以減小系統(tǒng)的體積;提高功率密度，降低成本。寬帶隙半導(dǎo)體器件GaN帶來了進(jìn)一步發(fā)展的機(jī)遇提高電動(dòng)汽車電源單元的功率密度
2023-06-16 06:22:42
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
6月8日勁拓股份有限公司，據(jù)最新調(diào)研紀(jì)要的
半導(dǎo)體舉行公共費(fèi)用和專用設(shè)備的
半導(dǎo)體硅晶片
制造設(shè)備，包括
半導(dǎo)體召開公共非先進(jìn)的成套
制造等生產(chǎn)階段的熱處理設(shè)備，
半導(dǎo)體硅晶片
制造設(shè)備是
半導(dǎo)體硅晶片生產(chǎn)過程中使用的?！?/div>
2023-06-09 10:57:21550 第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長(zhǎng)、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長(zhǎng)爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長(zhǎng)爐、MOCVD外延設(shè)備等。
2023-06-03 09:57:01787 
硅（Si）是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個(gè)例子。鍺（Ge）是另一種純半導(dǎo)體，用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成，包括砷化鎵 （GaAs）、氮化鎵 （GaN）、硅鍺 （SiGe） 和碳化硅 （SiC）。我們稍后將回到最后一項(xiàng)。
2023-05-24 11:26:141681 半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04478 
半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個(gè)單元，最后再進(jìn)行封裝和焊接，因此對(duì)晶圓切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測(cè)量，是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。
2023-05-09 14:12:38
（SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。什么是寬禁帶？物質(zhì)的導(dǎo)電需要
2023-05-06 10:31:461675 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個(gè)單元，最后再進(jìn)行封裝和焊接，因此對(duì)晶圓切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測(cè)量，是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。
2023-04-28 17:41:49
產(chǎn)業(yè)最強(qiáng)的品牌，獲得AA+評(píng)級(jí)。
臺(tái)積電有多強(qiáng)？
2022年全球市值十大的公司中，美國(guó)占了八家，因外兩家分別是沙特阿拉伯國(guó)家石油公司和臺(tái)積電。
臺(tái)積電公司目前屬于世界級(jí)一流水平的專業(yè)半導(dǎo)體制造公司
2023-04-27 10:09:27
JY-V620是一款集天線、放大器、控制器、紅外感應(yīng)于一體的半導(dǎo)體電子貨架RFID讀寫器，工作頻率134.2kHz，兼容TI系列玻璃管標(biāo)簽。工作時(shí)讀寫器通過紅外感應(yīng)FOUP晶圓盒，觸發(fā)天線讀取
2023-04-23 10:45:24
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：金屬氧化物半導(dǎo)體的制造 編號(hào)：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設(shè)計(jì)規(guī)則 ? 互補(bǔ)金屬氧化物
2023-04-20 11:16:00247 
系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。在半導(dǎo)體分立器件的細(xì)分領(lǐng)域，晶導(dǎo)微已成長(zhǎng)為獨(dú)角獸企業(yè)，根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件分會(huì)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，晶導(dǎo)微穩(wěn)壓、整流、開關(guān)二極管產(chǎn)品2020年在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)
2023-04-14 16:00:28
系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。在半導(dǎo)體分立器件的細(xì)分領(lǐng)域，晶導(dǎo)微已成長(zhǎng)為獨(dú)角獸企業(yè)，根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件分會(huì)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，晶導(dǎo)微穩(wěn)壓、整流、開關(guān)二極管產(chǎn)品2020年在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)
2023-04-14 13:46:39
第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-04-04 14:46:2912684 針對(duì)半導(dǎo)體制造工藝的UV-LED光源需求，虹科提供高功率的紫外光源解決方案，可適配步進(jìn)器和掩膜版設(shè)備，更換傳統(tǒng)工具中的傳統(tǒng)燈箱，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的半導(dǎo)體質(zhì)量控制。
2023-03-29 10:35:41710 
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