氮化鎵(GaN)是直接寬帶隙半導(dǎo)體材料,屬于第3代半導(dǎo)體。相較于硅、砷化鎵等,GaN的禁帶寬度更大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度更高,具有更高的電子飽和度和漂移速率、更強(qiáng)的抗輻照能力以及較強(qiáng)的化學(xué)穩(wěn)定性。其在可見(jiàn)光和紅外光背景下的紫外光探測(cè)具有極大的優(yōu)勢(shì),因而在紫外探測(cè)、生物化學(xué)探測(cè)方面都獲得了廣泛應(yīng)用。
來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察 、《新材料產(chǎn)業(yè)》
編輯:感知芯視界
韓媒報(bào)道稱,三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵 (GaN)市場(chǎng),將在2025年起,為消費(fèi)級(jí)、資料中心和汽車應(yīng)用提供8寸氮化鎵晶圓代工服務(wù)。
氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),可以滿足各種應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)高效率、低能耗、高性價(jià)比的要求。當(dāng)前,氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)不再局限于快充等消費(fèi)電子市場(chǎng),而是向數(shù)據(jù)中心、可再生能源甚至新能源汽車市場(chǎng)持續(xù)推進(jìn)。
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢《2023 GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告 - Part1》顯示,到2026年,全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到13.3億美金,復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。
面對(duì)強(qiáng)大的市場(chǎng)需求,眾多半導(dǎo)體廠商開(kāi)始擴(kuò)充生產(chǎn)線,布局氮化鎵市場(chǎng)。
國(guó)內(nèi)企業(yè)如三安光電、華潤(rùn)微、英諾賽科、賽微電子、珠海鎵未來(lái)等廠商也在馬不停蹄地加速布局氮化鎵并推進(jìn)產(chǎn)品落地和商用。
從市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局看,集邦咨詢以GaN功率元件業(yè)務(wù)營(yíng)收觀察顯示,2022年P(guān)ower integrations以20%的市占率排名第一,其次為Navitas(17%)、英諾賽科(16%)、EPC(15%)、GaN Systems(12%)、Transphorm(9%)等。
目前,GaN制備工藝較為成熟,已經(jīng)能夠利用GaN制造出結(jié)構(gòu)復(fù)雜的器件。GaN材料制造的傳感器相較其他材料傳感器也表現(xiàn)出更加優(yōu)秀的性質(zhì),因而在紫外探測(cè)、生物化學(xué)探測(cè)方面都獲得了廣泛應(yīng)用。
就紫外探測(cè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō),目前使用的許多雷達(dá),尤其是采用有源相控陣列天線的雷達(dá),在其結(jié)構(gòu)中都使用了GaN材料。科學(xué)家現(xiàn)在已經(jīng)把GaN視為未來(lái)雷達(dá)設(shè)計(jì)制造的奇跡材料。
在海洋探測(cè)上,早在2008年,上海技術(shù)物理所自行研發(fā)了GaN基線陣列器件,并推出256x1元GaN基可見(jiàn)盲區(qū)便攜式紫外GaN線列探測(cè)器,對(duì)海面進(jìn)行紫外實(shí)景拍攝用于海洋溢油的監(jiān)測(cè)。
就紅外檢測(cè)而言,相比傳統(tǒng)光學(xué)紅外探測(cè)器,GaN微機(jī)械諧振紅外探測(cè)器具有更高的信噪比、更寬的頻率帶寬,并且不需要冷卻,可以更好地在室溫和高溫下工作。
而針對(duì)壓力傳感器,目前,利用GaN的耐高溫、耐腐蝕、抗輻射性質(zhì),已經(jīng)制造出了應(yīng)用于宇宙飛船上的GaN/AIGaN基壓力傳感器。
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