納微半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化鎵技術(shù)為三星打造超快“加速充電”

下一代GaNFast氮化鎵技術(shù)為三星打造超快“加速充電”(SFC)

加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機(jī)皇”—— Galaxy S24智能手機(jī)打造25W超快“加速充電”。

作為新一代三星旗艦，Galaxy S24配備了一塊2340 x 1080（FHD+）分辨率的第二代動(dòng)態(tài)AMOLED屏，最高刷新率可達(dá)120Hz。Galaxy S24還集成了創(chuàng)新實(shí)用的人工智能功能，為用戶的交流、創(chuàng)作和發(fā)現(xiàn)世界的方式提供更多可能。Galaxy的人工智能功能，如實(shí)時(shí)翻譯、聊天助理以及和谷歌合作的全新“圈選搜索”功能，為S24用戶帶來(lái)全新的智能手機(jī)體驗(yàn)。

由納微半導(dǎo)體助力打造的25W GaNFast充電器，僅需30分鐘就能為Galaxy S24所配備的4000mAh電池充至一半電量，并支持USB PD 3.0（Type-C）協(xié)議，能與其他三星產(chǎn)品如Galaxy Buds2、Galaxy Z Fold5、Galaxy Flip和Galaxy A23等兼容，為它們提供高達(dá)25W的充電功率。

基于可持續(xù)發(fā)展的環(huán)保理念，該25W充電器在待機(jī)模式下的功耗降低了75%。納微半導(dǎo)體的GaNFast技術(shù)運(yùn)用在高頻反激（HFQR）拓?fù)渲?，運(yùn)行頻率達(dá)150kHz，比標(biāo)準(zhǔn)硅設(shè)計(jì)快3倍，同時(shí)與傳統(tǒng)充電器設(shè)計(jì)相比，體積縮小了30%。

納微半導(dǎo)體全球高級(jí)銷售副總裁David Carroll

“我們很高興能夠與三星進(jìn)一步深入合作，與他們一同開(kāi)發(fā)突破性的手機(jī)充電技術(shù)。

納微半導(dǎo)體的GaNFast氮化鎵功率芯片助力三星打造緊湊輕量、能效更高的25W充電器，可為全新的Galaxy S24和三星其他系列的手機(jī)和配件帶來(lái)快速充電?！?/p>

審核編輯：劉清