0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

納微半導(dǎo)體發(fā)布GaNSli氮化鎵功率芯片

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-10-17 16:02 ? 次閱讀

近日,納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能,在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態(tài)照明電源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大潛力。

GaNSlim?的推出,將進(jìn)一步簡化和加速尺寸緊湊、高功率密度的應(yīng)用開發(fā)。其高度集成的設(shè)計(jì)不僅優(yōu)化了空間利用率,還提升了整體性能,為電子產(chǎn)品制造商提供了更加高效、可靠的解決方案。

納微半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新者,一直致力于推動(dòng)氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展。GaNSlim?的發(fā)布,再次彰顯了其在氮化鎵功率芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    59

    文章

    1600

    瀏覽量

    116056
  • 功率芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    94

    瀏覽量

    15308
  • 納微半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    123

    瀏覽量

    19866
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    德州儀器氮化功率半導(dǎo)體產(chǎn)能大幅提升

    近日,美國芯片大廠德州儀器(TI)宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。其位于日本會(huì)津的工廠已經(jīng)正式投產(chǎn)基于氮化(GaN)的功率半導(dǎo)體。這一舉措標(biāo)志著德州儀
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:57 ?400次閱讀

    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化功率器件的耐高壓測(cè)試

    氮化(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:23 ?190次閱讀
    遠(yuǎn)山<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的耐高壓測(cè)試

    十年,氮化GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢(shì)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)十年前半導(dǎo)體作為氮化行業(yè)的先鋒,成功地將氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-23 09:43 ?656次閱讀
    <b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b>十年,<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢(shì)

    集成之巔,易用至極!發(fā)布全新GaNSlim?氮化功率芯片

    — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及GaNFast?氮化功率芯片和GeneSiC?碳化硅
    發(fā)表于 10-17 16:31 ?602次閱讀
    集成之巔,易用至極!<b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>發(fā)布</b>全新GaNSlim?<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>芯片</b>

    聯(lián)想新品充電器搭載半導(dǎo)體GaNFast氮化功率芯片,革新快充體驗(yàn)

    在科技日新月異的今天,充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日,半導(dǎo)體宣布其先進(jìn)的GaNFast氮化功率
    的頭像 發(fā)表于 06-22 14:13 ?869次閱讀

    半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化快充

    加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片
    的頭像 發(fā)表于 06-21 14:45 ?1341次閱讀

    半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024,展示氮化與碳化硅技術(shù)

    在電力電子領(lǐng)域,半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化和GeneSiC?碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 05-30 14:43 ?557次閱讀

    半導(dǎo)體將攜下一代高功率、高可靠性功率半導(dǎo)體亮相PCIM 2024

    加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast?氮化和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——
    的頭像 發(fā)表于 05-24 15:37 ?653次閱讀

    半導(dǎo)體即將亮相亞洲充電展

    半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化
    的頭像 發(fā)表于 03-16 09:40 ?702次閱讀

    半導(dǎo)體發(fā)布最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

    半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化
    的頭像 發(fā)表于 03-16 09:39 ?833次閱讀

    半導(dǎo)體發(fā)布最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

    氮化和碳化硅技術(shù)并進(jìn),下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升 加利福尼亞州托倫斯2024年3月11日訊 — 唯一全面專注的下一代
    發(fā)表于 03-13 13:48 ?497次閱讀
    <b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>發(fā)布</b>最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

    半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化技術(shù)為三星打造超快“加速充電”

    加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片
    的頭像 發(fā)表于 02-22 11:42 ?732次閱讀

    十載征程,引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展

    功率半導(dǎo)體行業(yè),半導(dǎo)體以其對(duì)氮化和碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 02-21 10:50 ?676次閱讀

    氮化半導(dǎo)體芯片芯片區(qū)別

    氮化半導(dǎo)體芯片(GaN芯片)和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片
    的頭像 發(fā)表于 12-27 14:58 ?1287次閱讀

    氮化芯片是什么?氮化芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化芯片和硅芯片區(qū)別

    ,氮化芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì),同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹氮化芯片的定義、優(yōu)缺點(diǎn),以及
    的頭像 發(fā)表于 11-21 16:15 ?5750次閱讀