以上，這也是目前氮化鎵在手機充電器上廣泛被應(yīng)用的重要原因。 ? 氮化鎵GaNFast TM 是納微半導(dǎo)體此前被廣泛應(yīng)用的氮化鎵功率芯片系列，納微半導(dǎo)體銷售營運總監(jiān)李銘釗介紹到，目前全球超過140款量產(chǎn)中的充電器都采用了納微的方案，大約150款
2021-11-26 09:42:13
5652 納微 (Navitas) 半導(dǎo)體宣布，將在11月3號到6號在上海舉辦的中國電源學(xué)會學(xué)術(shù)年會(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應(yīng)用。
2017-10-30 11:54:4813622 大家清晰的了解GaN產(chǎn)品。 1．從氮化鎵GaN產(chǎn)品的名稱上對比 如下圖所示，產(chǎn)品GaN標(biāo)示圖。納微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英諾賽科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:0024296 
今年2月，納微半導(dǎo)體發(fā)布了寬禁帶行業(yè)首份可持續(xù)發(fā)展報告。報告指出，每顆出貨的清潔、綠色氮化鎵功率芯片可節(jié)省 4 kg CO2排放，GaN有望節(jié)省高達 2.6 億噸/年的二氧化碳排放量，相當(dāng)于 650
2022-06-15 18:19:51735 
增加GaNSense?技術(shù)，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護，為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:262169 
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克代碼：NVTS）宣布，戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實現(xiàn)快充。
2021-12-30 15:06:091500 
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-01-14 11:18:151227 
2022年1月18日，納微半導(dǎo)體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機所標(biāo)配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:022773 
納微半導(dǎo)體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片，已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊共同發(fā)布的K50冠軍版電競手機所標(biāo)配120W氮化鎵充電器中。
2022-03-14 13:40:021459 氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼： NVTS）正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過四千萬顆，終端市場故障率為零。
2022-03-28 09:27:48717 
GaNFast?功率芯片為一加ACE手機實現(xiàn)超快充，電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號訊 - 納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼: NVTS），氮化鎵
2022-08-12 16:36:508857 
芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，帶來前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。 氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:32907 
器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日發(fā)布 全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源方案 ，該方案圍繞納微旗下GaNSafe?高功率氮化鎵功率芯片和GeneSiC
2024-07-26 14:54:011009 
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
的是用于藍光播放器的光盤激光頭）。
在光子學(xué)之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發(fā)布了相關(guān)技術(shù)，但直到2004年左右，第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
/ 45W+18W / 18W）最大輸出功率，100-200V 50/60Hz 電網(wǎng)下可提供 50W（45W+5W / 45W / 18W）最大輸出功率。 充電器采用第三代氮化鎵芯片制作，集功率器件、驅(qū)動、保護
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應(yīng)用中的成功經(jīng)驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統(tǒng)中的應(yīng)用，WBST 計劃特準(zhǔn)計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
集成在一顆芯片中。合封的設(shè)計消除了寄生參數(shù)導(dǎo)致的干擾，并充分簡化了氮化鎵器件的應(yīng)用門檻，像傳統(tǒng)集成MOS的控制器一樣應(yīng)用，得到了很高的市場占有率。鈺泰半導(dǎo)體瞄準(zhǔn)小功率氮化鎵合封應(yīng)用的市場空白，推出
2021-11-28 11:16:55
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機充電器?應(yīng)用實例：高性能電機驅(qū)動器?應(yīng)用示例；高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容，開關(guān)速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關(guān)頻率，已經(jīng)從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
，其中第一梯隊有納微、EPC等代表企業(yè)。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而，現(xiàn)在還有什么是阻礙氮化鎵器件發(fā)展的不利因素呢？[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
明佳達電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優(yōu)勢，實單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1：NV6127絲?。篘V6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件，使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進行設(shè)計。集成功率級諸如EPC23102為設(shè)計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:01883 
氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實現(xiàn)了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非?？欤瑯右彩?b class="flag-6" style="color: red">氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:017988 納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 16:43:141853 ? 納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）是全球氮化鎵功率芯片的開創(chuàng)者，成立于2014年，總部位于愛爾蘭，在深圳、杭州、上海都擁有銷售和研發(fā)中心。納微半導(dǎo)體擁有一支強大且不斷壯大
2021-03-10 14:33:013420 DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 納微半導(dǎo)體宣布，在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上，成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵工業(yè)應(yīng)用首秀。
2021-04-27 14:11:531058 納微半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:211476 
截至 2021 年 5 月，超過 2000 萬片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經(jīng)成功出貨。
2021-08-24 09:42:301264 
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用高頻軟開關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">集成氮化鎵開關(guān)管、獨立驅(qū)動器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:102062 
納微半導(dǎo)體今日宣布，小米正式發(fā)布新款智能手機小米 Civi，配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。
2021-10-08 11:45:092047 
氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（“納微”）的股票，正式開始在納斯達克全球市場交易，股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312185 
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機快充產(chǎn)品。
2021-11-02 09:51:31908 
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:131796 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:561765 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:312015 ，近期小米旗下最新發(fā)布的 RedmiBook Pro筆記本電腦系列標(biāo)配 100W 氮化鎵快充已采用搭載納微下一代 GaNSense? 技術(shù)的新一代智能 GaNFast? 氮化鎵功率芯片。 ? ? 全球
2022-07-01 14:39:401741 
Anker，重新定義氮化鎵！ ? “納微半導(dǎo)體是氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，自 2017 年以來一直與安克緊密合作。作為納微半導(dǎo)體的首批投資者，安克見證了納微從成立初期到 2021 年在納斯達克的成功上市。 安克GaNPrime? 全氮化鎵快充家族的產(chǎn)品中，采用了納微新一代增加GaNSense??技術(shù)的
2022-07-29 16:17:44593 
普通消費者，甚至對氮化鎵了解不多的工程師，普遍認(rèn)為氮化鎵只能實現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實，因為增強型氮化鎵目前只有QFN/DFN和TOLL等貼片封裝形式，在中大功率應(yīng)用場景的散熱問題難以解決。
2022-11-25 15:41:281469 未來已來，氮化鎵的社會經(jīng)濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配合，隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:25845 
目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。
2023-02-06 14:36:21635 納微半導(dǎo)體如何在氮化鎵上造芯片？ 作者丨 周雅 剛剛過去的10月底，納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）成功在納斯達克上市，上市當(dāng)天企業(yè)價值10億美元。1個月后，納微半導(dǎo)體再進
2023-02-21 14:57:11
0 領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實時、智能的傳感和保護電路，
進一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時增加了
2023-02-22 13:48:053 下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日，北京—— 氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 ? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布旗下
2023-02-28 17:57:131084 在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設(shè)計，加強器件可靠性，降低系統(tǒng)成本，納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術(shù)，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021358 
全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布 已出貨超7500萬顆高壓氮化鎵功率器件。 氮化鎵是是較高壓傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:53733 
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個半導(dǎo)體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231643 早前，納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，踩準(zhǔn)氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏，成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時，納微也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品線，拓展新興應(yīng)用市場。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:191931 
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低
2023-09-01 14:46:04892 
納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴(yán)苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹立新標(biāo)桿
2023-09-07 14:30:151112 氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開關(guān)速度等優(yōu)勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56523 作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產(chǎn)生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:33746 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:441085 隨著科技的不斷發(fā)展，無線通信、射頻設(shè)備和微波應(yīng)用等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?b class="flag-6" style="color: red">功率放大器的需求不斷增加。為滿足這些需求，半導(dǎo)體行業(yè)一直在不斷尋求創(chuàng)新和進步。其中，氮化鎵功率芯片已經(jīng)成為一項引領(lǐng)潮流的技術(shù)，為高頻、高功率應(yīng)用提供了全新的解決方案。
2023-10-18 09:13:141078 
氮化鎵芯片的選用要從實際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻、計算還是其他應(yīng)用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時，要充分考慮應(yīng)用的場景。
2023-10-26 17:02:18684 論文研究氮化鎵GaN功率集成技術(shù)
2023-01-13 09:07:473 進入三星進供應(yīng)鏈：納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用。作為下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，氮化鎵正持續(xù)取代傳統(tǒng)硅功率芯片在移動設(shè)備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車的市場份額。 Galaxy S23可謂配置“拉滿”——配備一塊大小為6.1英寸，分辨率為2340×
2023-11-03 14:06:31936 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:305351 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領(lǐng)域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:152958 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22743 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:412620 氮化鎵作為材料，而硅芯片則采用硅作為材料。氮化鎵具有優(yōu)秀的物理特性，包括較高的電子與空穴遷移率、較高的飽和電子漂移速度和較高的擊穿電壓等，這些特性使得氮化鎵芯片在高功率、高頻率和高溫環(huán)境下表現(xiàn)出較好的性能。
2024-01-10 10:08:141665 硅基氮化鎵（SiGaN）集成電路芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有廣闊的應(yīng)用前景。它將硅基材料與氮化鎵材料結(jié)合在一起，利用其優(yōu)勢來加速集成電路發(fā)展的速度。本文將介紹硅基氮化鎵集成電路芯片的背景、特點
2024-01-10 10:14:58739 在功率半導(dǎo)體行業(yè)，納微半導(dǎo)體以其對氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新，贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際，納微半導(dǎo)體回顧了其一路走來的輝煌歷程，并對未來展望了無限期待。
2024-02-21 10:50:32639 加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機皇”—— Galaxy S24智能手機打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:04700 納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵，不僅有效確保糧食安全，同時讓印度農(nóng)民無需再使用遠距離電纜或昂貴且有污染的柴油發(fā)電機。
2024-04-22 14:07:26449 1 得益于移動快充、AI數(shù)據(jù)中心對氮化鎵的持續(xù)采用，以及碳化硅在電動汽車、太陽能和工業(yè)應(yīng)用的銷售增長，納微半導(dǎo)體2024年第一季度收入同比增長達73%。 2 全新的GaNSlim技術(shù)將提升氮化鎵基
2024-05-10 18:35:411461 
近日，納芯微發(fā)布了全新的NSM2311集成式電流傳感器芯片，這款芯片以其卓越的性能和全面的集成設(shè)計，在電流傳感器市場引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-24 10:33:14935 在電力電子領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)，已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展，并在“納微芯球”展臺上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:08529 近日，納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan做客CNBC，與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對話，分享了在AI數(shù)據(jù)中心所需電源功率呈指數(shù)級增長的需求下，下一代氮化鎵和碳化硅將迎來怎樣的火熱前景。
2024-06-13 10:30:04451 加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:441264 在科技日新月異的今天，充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日，納微半導(dǎo)體宣布其先進的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用，為消費者帶來了前所未有的快充體驗。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:49820 加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日發(fā)布全新CRPS185
2024-07-26 14:15:29665 
近日，納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態(tài)照明電源等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:31118
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