國內新增6個SiC項目動態(tài)：芯片、模塊、封裝等

近日，國內新增6個SiC項目動態(tài)：

● 芯干線：SiC項目擬購設備近160臺，規(guī)劃產能100萬顆/年；

● 譜析光晶：SiC芯片項目總投資1億，預計年產值2億元；

● 智程半導體：半導體用新工廠正式開業(yè)，達產后年產值或超15億元；

● 大族半導體：激光切割項目投資1.3億，規(guī)劃產能15萬片/年；

● 云嶺半導體：SiC研磨液項目投資0.5億，預計年產能為600噸；

● 沉積半導體：SiC、TaC涂層項目投資0.5億，預計年產能為1.92萬件。

芯干線：

購置設備157臺，年產能為100萬顆

2月26日，據鹽城市建湖縣人民政府網信息，芯干線投資建設的第三代半導體芯片設計及智能功率模塊封測項目，將抓緊做好設備訂購調試，盡快實現規(guī)模量產。

據悉，該項目一期購置各類設備約22臺套，二期購置約135臺套，項目全部投產后，可形成年產100萬顆IPM智能功率模塊產品的能力，可實現開票銷售15億元/年。

根據“行家說三代半”此前報道，該項目已經入選《2024年江蘇省民間投資重點產業(yè)項目名單》，由江蘇芯干線半導體有限公司負責建設。此外，據官網透露，江蘇芯干線一期工廠已經在鹽城市開始建設，預計2024年初會實現規(guī)模化量產，二期芯干線功率模塊產業(yè)園建設也在進行中。

譜析光晶：

SiC芯片項目總投資1億

2月26日，據“今日瓜瀝”報道，杭州市瓜瀝鎮(zhèn)近日舉行開工簽約大會，共有18個開工/新簽約項目，其中包含譜析光晶的“第三代半導體芯片與系統生產基地項目”，總投資1億元，達產后預計年產值2億元，稅收貢獻1000萬元。

文章透露，譜析光晶主要生產SiC特種功率芯片、模塊與系統，相關產品在耐高溫、極致小型化的參數上填補國內空白，廣泛應用于SiC電機驅動系統、光伏逆變系統、航天軍工SiC系統等領域。

此外，自成立以來，譜析光晶每年的營收增長率在300%以上，2023年公司實現營收8000萬元，在手訂單3億元，預期2024年營收超過2億元，目前已獲得十多家股權機構的融資，計劃在2025年申報IPO。

官網資料顯示，譜析光晶成立于2020年，核心成員出身于“清華系”，目前，在SiC芯片層面，已具備SiC SBD和650V-1700V SiC MOSFET的量產能力，在SiC模塊和系統層面，采用異基底-整合集成封裝工藝打破了SiC MOS芯片的寄生電感電容限制，產品具有高度小型化、輕量化等特點。

據“行家說三代半”此前報道，譜析光晶至今已完成5輪融資，公開金額達數千萬元，去年9月，他們還與綠能芯創(chuàng)、乾晶半導體簽訂了戰(zhàn)略合作協議，將共同投入開發(fā)及驗證應用于特殊領域的SiC相關產品，簽約同時項目啟動，并簽訂了5年內4.5億元的意向訂單。

智程半導體：

新工廠年產值或超15億

2月26日，據“昆山發(fā)改委”等消息，蘇州智程半導體總部項目已正式開業(yè)，項目建成達產后，預計實現年產值超15億元。

據悉，該項目包含一座新工廠，總投資5億元，建筑面積達3.5萬平方米，采用了高等級，超潔凈的百級、千級的無塵生產車間及相關配套設施，未來將專注于半導體高端產品線研發(fā)和生產。

官網資料等透露，智程半導體成立于2009年，目前正在進行上市輔導，公司致力于半導體領域濕制程等設備的研發(fā)生產，可提供SiC晶圓等產品的清洗方案，相關設備在眾多性能以及工藝方面達到了國際水平，已進入化合物半導體制造、硅基半導體制造等領域的頭部企業(yè)，獲得了大量重復訂單。

此外，據“金鼎資本”官微信息，2023年12月，智程半導體完成了數億元戰(zhàn)略融資，由金鼎資本、馮源資本、韋豪創(chuàng)芯、中芯聚源等共同投資，資金將主要用于半導體設備的擴產和持續(xù)研發(fā)。

大族半導體：

新項目進入驗收階段，年產能15萬片

近日，據蘇州市生態(tài)環(huán)境局公布，大族精誠半導體的《晶圓研磨切割代工年產能15萬片項目（第一階段）》正式進入竣工環(huán)境保護驗收階段。

文件透露，該項目屬于新建項目，位于蘇州市高新縣，總投資為1.3億元，用地面積為0.55萬平方米，將租賃現有廠房建設生產車間及相關建筑設施，擬購置全自動SiC 晶圓激光切割機、全自動Si 晶圓激光切割機等主要生產設備近百臺，初步規(guī)劃晶圓（硅片）代工產能為15萬片/年。

企查查顯示，大族精誠半導體（蘇州）有限公司成立于2021年，注冊資本為1.3億，由大族半導體全資控股，經營范圍包括半導體分立器件制造、半導體分立器件銷售、半導體器件專用設備制造等。

云嶺半導體：

投資0.5億用于SiC研磨液項目

近日，據無錫市行政審批局文件，云嶺半導體的《三代半導體SiC晶圓片用CMP研磨液項目》環(huán)評文件已獲審批，將正式開工建設。

據悉，該項目總投資0.5億元，占地面積為2673平方米，計劃租賃現有廠房進行建設生產車間、檢測車間及配套設施，其生產的SiC晶圓片用CMP研磨液為α態(tài)納米氧化鋁顆粒，預計生產規(guī)模為600噸/年，可填補第三代半導體精密加工所需材料及CMP研磨液的國內空缺，廣泛應用于SiC的高端應用市場。

企查查形式，無錫云嶺半導體有限公司成立于2023年5月，注冊資本為0.11億，經營范圍包括新材料技術研發(fā)、半導體器件專用設備制造、半導體分立器件制造等。

沉積半導體：

投資0.5億用于SiC涂層項目

近日，據鑫睿環(huán)境安全官網顯示，沉積半導體的《SiC/碳化鉭等半導體涂層件項目》環(huán)評文件已完成制作，并進行公示。

文件透露，該項目屬于新建項目，位于江蘇省南通市，總投資為0.5億，租賃現有廠房面積為2188平方米，施工周期為6個月，目前暫未開工建設。

項目規(guī)劃購置自主研發(fā)的SiC沉積爐440型4臺、SiC沉積爐60型1臺、TaC沉積爐440型2臺，以及專用清洗機2臺、專用烘干機1臺、多臺檢測設備等，從事SiC/TaC等半導體涂層件項目。

建成投產后，預計可形成年產半導體級SiC涂層件3000件、半導體級TaC涂層件14200件、半導體級新型熱解碳涂層件2000件的生產規(guī)模。

企查查顯示，沉積半導體材料（南通）有限公司成立于2023年2月，控股方為上海矽卿科貿有限公司，經營范圍包括半導體分立器件制造、電子專用材料制造等。

審核編輯：劉清