需要根據(jù)數(shù)據(jù)手冊,完善最小系統(tǒng)的外圍電路,使芯片能夠正常工作(以STM32F412RET6為例)
一、供電部分
根據(jù)圖片所示,需要注意的地方如下:1、VBAT引腳需要提供1.65v-3.6v的電源。最好在VBAT引腳與GND之間接一個(gè)100nf的電容2、VCAP_1和VCAP_2引腳與GND之間需要接一個(gè)2.2uf的電容3、VSS引腳需要接地即GND4、每個(gè)VDD引腳與VSS引腳(GND)之間需要接一個(gè)100nf的電容,特別注意:The 4.7 μF ceramic capacitor must be connected to one of the VDD pin,也就是說需要在任意一個(gè)VDD引腳與VSS(GND)引腳上接一個(gè)4.7uf的電容5、VSSA引腳需要接地即GND6、VDDA引腳、VSSA引腳(GND)之間需要接一個(gè)100nf的電容以及一個(gè)1uf的電容二、復(fù)位、下載及通信部分
三、晶振部分1查看參考手冊
進(jìn)入https://www.st.com網(wǎng)址,搜索STM32F412RET6芯片,查看相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊
2OSC32和OSC的區(qū)別
OSC32用于RTC和AWU,OSC用于SYSCLK
3晶振兩端電容的選擇
晶體兩端電容的取值可以按照MCU數(shù)據(jù)手冊上來選擇,選擇8MHZ的晶振和2個(gè)5pf~25pf的電容,也可以通過計(jì)算來得出電容容值的大小。
CL = C1 * C2 / (C1 + C2) + CS
CS為電路板的寄生電容,一般取3~5pf,取C1 = C2,則公式可以簡化為:
CL = C1 / 2 + CS
CL為晶體的負(fù)載電容,晶體對應(yīng)的數(shù)據(jù)手冊有提供,比如現(xiàn)在所選擇的晶體(8M封裝為SMD3225-4P)的負(fù)載電容為16pf,計(jì)算的結(jié)果為22~26pf
要是對頻率要求比較嚴(yán)格的話需要通過示波器測試波形(一般的示波器探頭自身帶有幾pF的寄生電容可能無法正確測量,有條件的話可以選用有源探頭進(jìn)行測量)。4晶振接線
一般情況下:
1號引腳接OSC_IN
3號引腳接OSC_OUT
2號和4號引腳接地
四、串口部分USART1一般作為調(diào)試口用排針引出來(比如:無線串口的RX和TX),不作為其他元器件的通信串口。
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