芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內(nèi)置IEC ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì),無需外加額外ESD保護(hù)電路情況下,都通過IEC ESD 8kV測試標(biāo)準(zhǔn),保障抗ESD可靠性,在產(chǎn)線組裝和大批量出貨后確保無IEC ESD損壞。
射頻器件直接外接天線,ESD性能顯得尤為突出,下文會介紹ESD分類和原理介紹。
1
ESD 是什么
1.ESD:Electro-Static Discharge,ESD的中文名是靜電釋放
2.什么是靜電:靜電是一種處于靜止?fàn)顟B(tài)的電荷,當(dāng)電荷聚集在某個物體上或表面上就形成了靜電;靜電產(chǎn)生的兩大原因:摩擦起電和感應(yīng)起電(電磁感應(yīng))
3.ESD 的特點(diǎn):長時(shí)間聚積、高電壓、低電量、作用時(shí)間短的特點(diǎn)
4.ESD 對元器件的危害:
IC中的每個元件的面積非常小,每個元件的寄生電容也就非常小,所以,少量的靜電電荷就會產(chǎn)生很高的靜電電壓,而且每個元件的功率耐量通常也很小,所以,靜電放電就很容易破壞IC。
2
ESD通常的3種模型
人體模型(HBM)
機(jī)器模型(MM)
充電器件放電模型(CDM)
2.1
HBM電路模型
2.2
機(jī)器模型(MM)
2.3
充電器件放電模型(CDM)
2.4
HBM、MM及CDM波形對比
? CDM的放電速度是HBM或MM的100倍。
?CDM的峰值電流可以是HBM脈沖的40倍
3
ESD和EOS 失效對比
3.1
ESD & EOS 失效的時(shí)間曲線
3.2
ESD & EOS 失效尺寸
ESD
EOS
4
ESD 等級的定義
4.1
HBM 等級
Classification | Voltage Range(V) |
0Z | < 50 |
0A | 50 to < 125 |
0B | 125 to < 250 |
1A | 250 to < 500 |
1B | 500 to < 1000 |
1C | 1000 to < 2000 |
2 | 2000 to < 4000 |
3A | 4000 to < 8000 |
3B | ≥ 8000 |
4.2
MM 等級
Classification | Voltage Range(V) |
M1 | < 100 |
M2 | 100 to < 200 |
M3 | 200 to < 400 |
M4 | ≥ 400 |
4.3
CDM 等級
Classification | Voltage Range(V) |
C1 | < 125 |
C2 | 125 to < 250 |
C3 | 250 to < 500 |
C4 | 500 to < 1000 |
C5 | 1000 to < 1500 |
C6 | 1500 to < 2000 |
C7 | ≥ 2000 |
5
ESD射頻應(yīng)用趨勢
未來射頻PA或者LFEM內(nèi)置于ESD保護(hù)電路通常與匹配網(wǎng)絡(luò)共同設(shè)計(jì),降低客戶外圍增加ESD電路的成本和難度。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:ESD模型和RF PA ESD保護(hù)方案介紹
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