功率器件IGBT及國內(nèi)外IGBT企業(yè)
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；（因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因?yàn)镸OS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì)導(dǎo)致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT最主要的作用就是把高壓直流變?yōu)榻涣?，以及變頻。（所以用在電動(dòng)車上比較多）
IGBT的應(yīng)用
IGBT最主要的作用就是高壓直流轉(zhuǎn)交流，以及變頻，在新能源汽車，智能電網(wǎng)和軌道交通等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。
1、新能源汽車
IGBT是電動(dòng)汽車及充電樁等設(shè)備的核心技術(shù)部件，在電動(dòng)汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，主要作用于電動(dòng)車汽車的充電樁、電動(dòng)控制系統(tǒng)以及車載空調(diào)控制系統(tǒng)。
（1）電動(dòng)控制系統(tǒng)
作用于大功率直流/交流(DC/AC)逆變后汽車電機(jī)的驅(qū)動(dòng)；
（2）車載空調(diào)控制系統(tǒng)
作用于小功率直流/交流(DC/AC)的逆變；
（3）充電樁
智能充電樁中被作為開關(guān)元件使用；
2、智能電網(wǎng)
智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端均需使用IGBT。
（1）發(fā)電端
風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需使用IGBT。
（2）輸電端
特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需大量使用IGBT。
（3）變電端
IGBT是電力電子變壓器的關(guān)鍵器件。
（4）用電端
家用白電、 微波爐、LED照明驅(qū)動(dòng)等都對(duì)IGBT有大量的需求。
3、軌道交通
眾所周知，交流傳動(dòng)技術(shù)是現(xiàn)代軌道交通的核心技術(shù)之一，在交流傳動(dòng)系統(tǒng)中牽引變流器是關(guān)鍵部件，而IGBT又是牽引變流器最核心的器件之一，可以說該器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。
國內(nèi)外IGBT企業(yè)
| 公司名稱 | 所在地 | 城市 | 產(chǎn)品類型 |
| Infineon Technologies AG | 德國 | 紐必堡 | IGBT分立器件和模塊、MOSFET、MCU等 |
| 博世 | 德國 | 斯圖加特 | SIC、sensor |
| 賽米控-丹弗斯（合并） | 德國 | IGBT、MOSFET模塊、碳化硅、二極管 | |
| 威科電子Vincotech | 德國 | 電子功率模塊；IGBT、PIM模塊、六管模塊、半橋模塊 | |
| 株式會(huì)社KEC | 韓國 | IGBT芯片、MOSFET | |
| onsemi安森美 | 美國 | IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器、高性能光電耦合器、光晶體管管光電耦合器、紅外線、TRIAC驅(qū)動(dòng)光電耦合器；高能效連接、傳感、電源管理、分立及定制器件 | |
| Littelfuse | 美國 | IGBT模塊 | |
| 富士電機(jī) | 日本 | IGBT模塊、分立IGBT、IGBT（EV HEV） | |
| 三菱電機(jī) | 日本 | IGBT模塊；S系列（第6代IGBT）、T/T1系列（第7代IGBT） | |
| 京瓷 | 日本 | IGBT模塊，通用逆變器、變頻空調(diào)、太陽能發(fā)電系統(tǒng)及混合動(dòng)力車功率模塊產(chǎn)品 | |
| 電裝 | 日本 | IGBT模塊 | |
| 日立功率半導(dǎo)體公司 | 日本 | 高壓IGBT / SiC、SiC MOSFET、高級(jí)溝槽HiGT - sLiPT | |
| 瑞薩電子 | 日本 | LCD驅(qū)動(dòng)器集成電路、智能卡微控制器、射頻集成電路（RF-IC）、大功率放大器、混合信號(hào)集成電路、系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等產(chǎn)品 | |
| 安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司 | 安徽 | 蕪湖市 | 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體，芯片到封裝 |
| 合肥中恒微半導(dǎo)體有限公司 | 安徽 | 合肥 | 國產(chǎn)功率半導(dǎo)體（IGBT，SiC）模塊 |
| 安徽瑞迪微電子有限公司 | 安徽 | 蕪湖 | IGBT/FRD以及碳化硅MOS/SBD芯片 |
| 阿基米德半導(dǎo)體（合肥）有限公司 | 安徽 | 合肥 | 營新能源汽車及光伏儲(chǔ)能充電用分立器件及模塊 |
| 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司 | 北京 | 北京 | 碳化硅功率器件 |
| 北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司 | 北京 | 北京 | 氮化鎵功率器件及集成產(chǎn)品、碳化硅晶圓片及模塊 |
| 西人馬聯(lián)合測(cè)控有限公司(芯片） | 福建 | 廈門 | MEMS芯片、數(shù)字芯片、DMD及功率器件 |
| 廈門中能微電子有限公司 | 福建 | 廈門 | VDMOS、超結(jié)MOS、SGT、Trench-FS IGBT單管及模組、FRED、碳化硅以及氮化鎵三代半系列產(chǎn)品等 |
| 比亞迪半導(dǎo)體有限公司 | 廣東 | 惠州 | 產(chǎn)品涵蓋MOSFET、IGBT、IPM、SiC功率器件等 |
| 深圳愛仕特科技有限公司 | 廣東 | 深圳 | 車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)器 |
| 深圳尚陽通科技有限公司（Fabless) | 廣東 | 深圳 | 功率器件半導(dǎo)體產(chǎn)品；IGBT、SnowMOS、TTMOS、SiC系列產(chǎn)品 |
| 深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 | 廣東 | 深圳 | 產(chǎn)品線包括分立器件(Discrete)、智能功率模塊(IPM)以及標(biāo)準(zhǔn)功率模塊(PIM) |
| 深圳市芯威能半導(dǎo)體有限公司 | 廣東 | 深圳 | IGBT芯片、IGBT模塊 |
| 廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司 | 廣東 | 廣州 | IGBT/SiC功率模塊及離散式組件Discrete；車規(guī)級(jí)功率模塊、工業(yè)級(jí)功率模塊和分立器件等 |
| 深圳方正微電子有限公司（SIC） | 廣東 | 深圳 | 6寸SiC器件；功率分立器件（如DMOS、IGBT、SBD和FRD）和功率集成電路（如BiCMOS、BCD和HV CMOS）等領(lǐng)域的晶圓制造技術(shù) |
| 深圳市依思普林科技有限公司 | 廣東 | 深圳 | IGBT模塊（車規(guī)級(jí)）、獨(dú)立電機(jī)控制器、動(dòng)力總成系統(tǒng) |
| 深圳云潼科技有限公司 | 廣東 | 深圳 | 產(chǎn)品涵蓋IGBT、MOSFET、功率TVS和小功率器件 |
| 中微半導(dǎo)體(深圳)股份有限公司（芯片設(shè)計(jì)） | 廣東 | 深圳 | IGBT、MOSFET、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、柵極驅(qū)動(dòng) |
| 廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司 | 廣東 | 佛山 | 主要產(chǎn)品包括高壓集成電路（HVIC）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（PowerMOS）、微控制單元（MCU）、傳感器（Sensor）及其集成化 |
| 基本半導(dǎo)體 | 廣東 | 深圳 | SIC模塊 |
| 深華穎半導(dǎo)體（深圳）有限公司 | 廣東 | 深圳 | 功率器件， |
| 北一半導(dǎo)體科技（廣東）有限公司 | 廣東 | 深圳 | 主要經(jīng)營功率半導(dǎo)體元器件，包括IGBT、PIM / IPM等產(chǎn)品 |
| 廣汽零部件（廣州）產(chǎn)業(yè)園有限公司 | 廣東 | 廣州 | IGBT封測(cè) |
| 安建科技（深圳）有限公司(JSAB Technologies Limited) | 廣東 | 深圳 | 低電壓的SGT-MOSFET（分裂柵金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、高電壓的SJ-MOSFET（超結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管） |
| 東莞森邁蘭電子科技有限公司（SIC） | 廣東 | 東莞 | 功率半導(dǎo)體器件、功率半導(dǎo)體模塊、新能源汽車逆變器、太陽能發(fā)電逆變器、風(fēng)力發(fā)電逆變器、軌道交通逆變器變換器的核心組件 |
| 深圳市海思邁科技有限公司 | 廣東 | 深圳 | IGBT/MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)模塊 |
| 智新半導(dǎo)體有限公司（IGBT+SIC） | 湖北 | 武漢 | IGBT模塊 |
| 湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司 | 湖北 | 襄陽 | 大功率晶閘管、整流管、IGBT、電力半導(dǎo)體模塊、固態(tài)脈沖功率開關(guān)等功率半導(dǎo)體器件 |
| 武漢騏鴻科技有限公司 | 湖北 | 武漢 | SIC模塊 |
| 株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司 | 湖南 | 株洲 | IGBT及FRD模塊，SiC芯片及器件 |
| 長(zhǎng)沙瑤華半導(dǎo)體科技有限公司 | 湖南 | 長(zhǎng)沙 | IGBT模組 |
| 吉林華微電子股份有限公司 | 吉林 | 吉林 | 功率半導(dǎo)體器件及IC，包括IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等系列產(chǎn)品 |
| 江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司 | 江蘇 | 江陰市 | 碳化硅(SiC)功率模塊 |
| 南京銀茂微電子制造有限公司 | 江蘇 | 南京 | 功率IGBT和MOSFET模塊產(chǎn)品 |
| 蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司 | 江蘇 | 蘇州 | IGBT芯片 |
| 江蘇宏微科技股份有限公司 | 江蘇 | 常州 | IGBT、FRED為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊 |
| 蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司 | 江蘇 | 蘇州 | IGBT、MOSFET、SiC |
| 無錫利普思半導(dǎo)體有限公司 | 江蘇 | 無錫 | 主要產(chǎn)品包括新能源汽車和工業(yè)用的高可靠性SiC和IGBT模塊 |
| 無錫新潔能股份有限公司(605111) | 江蘇 | 無錫 | MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件 |
| 華潤(rùn)微電子有限公司 | 江蘇 | 無錫 | 產(chǎn)品聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器與智能控制領(lǐng)域，芯片 |
| 江蘇索力德普半導(dǎo)體科技有限公司 | 江蘇 | 無錫 | Super Junction、IGBT、FRD、SGTMOS、SiC功率器件等芯片產(chǎn)品及技術(shù)開發(fā)、IGBT模塊設(shè)計(jì)、封測(cè)和應(yīng)用方案 |
| 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司 | 江蘇 | 揚(yáng)州 | 產(chǎn)品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)等 |
| 江蘇捷捷微電子股份有限公司 | 江蘇 | 啟東 | 分立半導(dǎo)體器件IDM廠商 |
| 蘇州悉智科技有限公司 | 江蘇 | 蘇州 | 產(chǎn)品定位車規(guī)級(jí)功率和電源模塊，市場(chǎng)定位為智能電動(dòng)汽車和清潔能源（儲(chǔ)能&氫能），主打SIC |
| 長(zhǎng)城無錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司 | 江蘇 | 無錫 | IGBT和SIC模塊 |
| 江蘇東海半導(dǎo)體科技股份有限公司 | 江蘇 | 無錫 | 溝槽型功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET、超級(jí)結(jié)功率MOSFET、Trench FS-IGBT、超快恢復(fù)二極管 |
| 江蘇麗雋功率半導(dǎo)體有限公司（無錫） | 江蘇 | 無錫 | 產(chǎn)品系列VDMOS、TRENCH/SGT MOS、COOLMOS、IGBT、FRD、Gate Driver IC、PWM IC、高頻器件等 |
| 國電南瑞科技股份有限公司 | 江蘇 | 南京 | IGBT模塊 |
| 蘇州固锝電子股份有限公司 | 江蘇 | 蘇州 | MOSFET及IGBT等部分產(chǎn)品 |
| 蘇州市核加微電子有限公司 | 江蘇 | 蘇州 | 車規(guī)級(jí)IGBT模塊和AC-DC轉(zhuǎn)換模塊 |
| 南京晟芯半導(dǎo)體有限公司 | 江蘇 | 南京 | IGBT，SIC |
| 江蘇中科君芯科技有限公司 | 江蘇 | 無錫 | IGBT、FRD等新型電力電子芯片 |
| 大生集成電路（江蘇）有限公司 | 江蘇 | 鹽城 | 集成電路分立器件及IGBT功率模塊 |
| 德興市意發(fā)功率半導(dǎo)體有限公司（代工） | 江西 | 德興 | 多款I(lǐng)GBT及配套的FRD產(chǎn)品 |
| 淄博美林電子有限公司 | 山東 | 淄博 | 美林電子IGBT芯片模塊發(fā)布20230923 |
| 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司（芯片） | 山東 | 青島 | IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件 |
| 煙臺(tái)臺(tái)芯電子科技有限公司 | 山東 | 煙臺(tái) | 34 mm、62 mm、Easy、Econo系列IGBT模塊 |
| 科達(dá)半導(dǎo)體有限公司 | 山東 | 東營 | IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半導(dǎo)體器件(電力電子器件）；產(chǎn)品主要為600V和1200V電壓級(jí)IGBT單管及1200V IGBT模塊 |
| 威海新佳電子有限公司 | 山東 | 威海 | IGBT、MOSFET、FRD、可控硅、整流模塊、固態(tài)繼電器和智能模塊等產(chǎn)品 |
| 西安衛(wèi)光科技有限公司 | 陜西 | 西安 | MOSFER、IGBT、雙級(jí)型功率晶體管、晶閘管模塊、TVS、二極管和硅堆、硅橋等系列產(chǎn)品 |
| 芯派科技股份有限公司 | 陜西 | 西安 | 產(chǎn)品包含：中大功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET，低壓至高壓全系列產(chǎn)品)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、二極管(含快速恢復(fù)二極管及肖特基二極管)、橋堆以及電源管理IC等 |
| 上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體（上海）有限公司 | 上海 | 上海 | 車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊，目前主推英飛凌HybridPACK Drive功率模塊 |
| 丹佛斯(上海)投資有限公司 | 上海 | 上海 | IGBT和SiC功率模塊和功率堆棧 |
| 飛锃半導(dǎo)體(上海)有限公司 | 上海 | 上海 | 碳化硅（SIC）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一 |
| 格羅烯科（上海）半導(dǎo)體有限公司 | 上海 | 上海 | 格羅烯科致力于SiC單管和功率模塊的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售，依托GeneSiC大中華區(qū)總代的優(yōu)勢(shì)，在保證了上游晶元長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)的前提下，發(fā)揮創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)在SiC領(lǐng)域多年從業(yè)經(jīng)驗(yàn)以及對(duì)市場(chǎng)的*把握，努力打造為國內(nèi)SiC功率器件領(lǐng)域具有較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力的創(chuàng)新型科技企業(yè)。 |
| 致瞻科技（上海）有限公司 | 上海 | 上海 | 碳化硅半導(dǎo)體器件和先進(jìn)電驅(qū)系統(tǒng)的高科技公司 |
| 瑞能微恩半導(dǎo)體（上海）有限公司 | 上海 | 上海 | 碳化硅二極管，功率器件及模塊 |
| 上海功成半導(dǎo)體科技有限公司 | 上海 | 上海 | 要從事低壓屏蔽柵SGT、高壓超結(jié)SJ、溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊IPM、功率IC的設(shè)計(jì)和研發(fā)。 |
| 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 | 上海 | 上海 | 1200V非穿通型和輕穿通型IGBT；600V ~ 1200V場(chǎng)截止型IGBT；1700V ~ 6500V場(chǎng)截止型IGBT (開發(fā)中) |
| 上海積塔半導(dǎo)體有限公司（芯片代工） | 上海 | 上海 | 電源管理芯片（PMIC）、控制器（Controller）、功率器件（IGBT、SGT、FRD、TVS等）、碳化硅器件（JBS、MOSFET）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等 |
| IXYS Semiconductor GmbH | 上海 | IGBT、MOSFET模塊、碳化硅、離散式二極管 | |
| 上海瀚薪科技有限公司 | 上海 | 上海 | 上海瀚薪科技是一家半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)與產(chǎn)品研發(fā)商，專注于第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率器件及功率模塊研發(fā)生產(chǎn)，提供碳化硅二極管、寬能隙功率模組、MOS管等產(chǎn)品，服務(wù)于充電樁、光伏逆變器、通信電源、高端服務(wù)器電源、儲(chǔ)能、工業(yè)電源、高鐵、航天工業(yè)等領(lǐng)域。 |
| 上海林眾電子科技有限公司 | 上海 | 上海 | 功率模塊，單管，碳化硅等 |
| 上海道之科技有限公司（斯達(dá)半導(dǎo)體子公司） | 上海 | 上海 | 功率半導(dǎo)體元器件尤其是可用于新能源汽車、工業(yè)控制和新能源等領(lǐng)域的IGBT芯片、FRD芯片、IGBT模塊及功率組件等 |
| 上海陸芯電子科技有限公司 | 上海 | 上海 | 最新一代Trench Field-Stop技術(shù)的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT，1700V系列IGBT，Hybrid系列IGBT，中壓SGT MOS等多個(gè)系列產(chǎn)品 |
| 上海擎茂微電子科技有限公司(芯片） | 上海 | 上海 | IGBT、FRD、RC-IGBT等新型電力電子芯片 |
| 上海金芯微電子 | 上海 | 上海 | IGBT，MOSFET等功率器件 |
| 上海先導(dǎo)均熠實(shí)業(yè)發(fā)展集團(tuán)有限公司 | 上海/湖北 | 上海/十堰 | 中高壓IGBT功能開關(guān)生產(chǎn)線 |
| 上海獅門半導(dǎo)體有限公司 | 上海/浙江 | 上海/嘉興 | DISCRETE、IPM、PIM等封裝的工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)功率模塊產(chǎn)品及使用碳化硅及氮化鎵材料的功率模塊 |
| 成都巨子半導(dǎo)體有限公司 | 四川 | 成都 | 第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）器件及模組 |
| 成都森未科技有限公司 | 四川 | 成都 | 先進(jìn)IGBT芯片；IGBT模塊提供多種封裝形式，包括62mm、34mm、H類、D類、F類、B類等，可實(shí)現(xiàn)與國際主流廠商的PIN TO PIN替換 |
| 晶益通（四川）半導(dǎo)體科技有限公司 | 四川 | 內(nèi)江 | IGBT模塊材料和封測(cè)模組項(xiàng)目 |
| 嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司 | 浙江 | 嘉興 | 功率半導(dǎo)體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等 |
| 杭州士蘭微電子股份有限公司 | 浙江 | 杭州 | 集成電路芯片設(shè)計(jì)以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)，V代IGBT和FRD芯片的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊 |
| 浙江翠展微電子有限公司 | 浙江 | 嘉興 | 汽車主電控IGBT模塊、定制一體化IGBT模塊、SIC模塊，工業(yè)IGBT模塊，PIR芯片、TO247單管，汽車底層軟件服務(wù)、電機(jī)控制方案、軟件開發(fā)工具鏈等 |
| 寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司 | 浙江 | 寧波 | IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件 |
| 紹興中芯集成電路制造股份有限公司 | 浙江 | 紹興 | 截止型（Field Stop）IGBT |
| 吉光半導(dǎo)體（紹興）有限公司(中芯紹興) | 浙江 | 紹興 | IGBT/SiC模塊 |
| 浙江晶能微電子有限公司 | 浙江 | 杭州 | IGBT |
| 杭州泰昕微電子有限公司 | 浙江 | 杭州 | IGBT模塊 |
| 賽晶科技集團(tuán)有限公司 | 浙江 | 嘉興 | IGBT、FRD以及碳化硅等芯片和模塊等產(chǎn)品 |
| 臻驅(qū)科技（上海）有限公司 | 浙江 | 嘉興 | 國產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車驅(qū)動(dòng)解決方案 |
| 浙江萃錦半導(dǎo)體有限公司 | 浙江 | 寧波 | 600V至1700V范圍的硅基超結(jié)Si SJ MOSFET、碳化硅SiC MOSFET等分立器件 |
| 浙江天毅半導(dǎo)體科技有限公司 | 浙江 | 紹興 | 主要產(chǎn)品包括絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片、金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET）、變頻一體機(jī)、IPM模塊一體機(jī)等 |
| 重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司 | 重慶 | 重慶 | 產(chǎn)品包括MOS、SBD、SiC、IGBT、BJT、Power IC等功率半導(dǎo)體 |
| 重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院有限責(zé)任公司 | 重慶 | 重慶 | 功率模塊 |
| 辰致科技有限公司 | 重慶 | 重慶 | 車規(guī)級(jí)功率模塊 |
| 重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司 | 重慶 | 重慶 | 大功率車規(guī)級(jí)功率模塊 |
（文章來源：半導(dǎo)體圈子）
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三極管
+關(guān)注
關(guān)注
142文章
3592瀏覽量
121523 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1263文章
3746瀏覽量
248030 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9612瀏覽量
137676
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
IGBT芯片/單管/模塊/器件的區(qū)別
在電力電子技術(shù)的快速中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）技術(shù)以其高效、可靠的性能，成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件，每一個(gè)組成部分都承載著推動(dòng)電力電子技術(shù)
igbt功率管型號(hào)參數(shù)意義
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT
igbt功率管發(fā)熱什么原因
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件，具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。然而，在實(shí)際應(yīng)用過程中，IGBT功率
igbt模塊和igbt驅(qū)動(dòng)有什么區(qū)別
逆變器等。 一、IGBT模塊 IGBT模塊定義 IGBT模塊是一種由多個(gè)IGBT芯片組成的電力電子器件，具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。它
一文看懂功率半導(dǎo)體-IGBT
共讀好書 文章大綱 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” ? ? ?? · IGBT是功率器件中的“結(jié)晶” ? ? ? ?· IGBT技術(shù)不斷
全球IGBT企業(yè)TOP 55
中國IGBT發(fā)展的這20年，誕生了許多優(yōu)秀的企業(yè)。除了比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)和中車時(shí)代電氣，還有擁有國內(nèi)第一條全內(nèi)資8英寸專注功率器件晶圓生產(chǎn)線的
IGBT器件失效模式的影響分析
功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)中，IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在 多個(gè)影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗(yàn)條 件等。
發(fā)表于 04-18 11:21
?864次閱讀
STM32國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STM32國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀.docx》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 04-08 15:56
?28次下載
igbt屬于什么器件 igbt模塊的作用和功能
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
igbt模塊型號(hào)及參數(shù) igbt怎么看型號(hào)和牌子
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件，它的特點(diǎn)是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
IGBT—儲(chǔ)能端分析
功率電子器件是PCS的核心組成部分，主要實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件，今天我們主要來學(xué)習(xí)
從零了解電控IGBT模塊
當(dāng)前電動(dòng)汽車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多，但是有一個(gè)模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視，那就是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分，則是電機(jī)
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 11-14 14:21
?1次下載
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論