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三星回應(yīng)HBM芯片未通過英偉達(dá)測試

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-05-28 09:46 ? 次閱讀

三星電子近期宣布,其與全球多家合作伙伴在高帶寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品的供應(yīng)測試上進(jìn)展順利。該公司表示,將繼續(xù)致力于提升所有產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性,確保為客戶提供最優(yōu)質(zhì)的解決方案。

此前,有媒體曾報(bào)道三星電子的HBM芯片在美國半導(dǎo)體巨頭英偉達(dá)的測試中遇到發(fā)熱和功耗問題。然而,從目前的公告來看,三星電子已經(jīng)與多家合作伙伴進(jìn)行了深入的測試和合作,力圖解決這些問題。

作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,三星電子一直注重技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新。此次HBM產(chǎn)品的測試進(jìn)展,不僅體現(xiàn)了公司在技術(shù)研發(fā)方面的實(shí)力,也展現(xiàn)了其對于產(chǎn)品質(zhì)量的嚴(yán)格把控。未來,三星電子將繼續(xù)加強(qiáng)與全球合作伙伴的合作,共同推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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