0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

南亞科Q2財報亮眼,HBM與DDR5驅(qū)動DRAM市場下半年回暖

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-07-12 09:41 ? 次閱讀

近日,中國臺灣知名內(nèi)存芯片制造商南亞科發(fā)布了其2024年第二季度的財務(wù)業(yè)績報告,數(shù)據(jù)顯示,該公司在這一季度內(nèi)實現(xiàn)了顯著的營收增長,進一步鞏固了其在DRAM市場的競爭地位。據(jù)財報披露,南亞科二季度營收達到99.21億元新臺幣(以下簡稱“億元”),較去年同期大幅增長41.18%,展現(xiàn)出強勁的市場競爭力和產(chǎn)品需求增長態(tài)勢。

在營業(yè)利潤方面,南亞科同樣表現(xiàn)不俗,實現(xiàn)了2.87億元的營業(yè)毛利,較去年同期飆升了1.2倍,顯示出公司成本控制能力和盈利能力的顯著提升。盡管面臨行業(yè)整體波動及部分成本壓力,南亞科通過優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和提升生產(chǎn)效率,有效緩解了不利因素,確保了業(yè)績的穩(wěn)健增長。

然而,值得注意的是,盡管營收和毛利均實現(xiàn)大幅增長,南亞科本季度仍面臨營業(yè)凈虧損23.19億元及稅后凈虧損8.13億元的財務(wù)挑戰(zhàn)。這主要歸因于行業(yè)競爭加劇、原材料價格波動以及部分投資項目的階段性虧損等多重因素。但公司管理層表示,這些短期波動并未動搖南亞科對DRAM市場長期向好的信心。

展望2024年下半年,南亞科對DRAM市場需求持樂觀態(tài)度。公司指出,隨著高帶寬內(nèi)存(HBM)及DDR5等高端產(chǎn)品的持續(xù)供不應(yīng)求,以及人工智能AI)領(lǐng)域應(yīng)用的不斷拓展,DRAM市場需求將迎來新的增長點。HBM作為AI、高性能計算等前沿科技領(lǐng)域的關(guān)鍵組件,其需求量的激增將直接帶動DRAM市場的整體復(fù)蘇。同時,DDR5作為新一代內(nèi)存標準,其更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的功耗,也吸引了眾多終端廠商的青睞,有望進一步提振DRAM市場需求。

此外,南亞科還強調(diào),公司將繼續(xù)加大在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新上的投入,以應(yīng)對未來市場的變化和挑戰(zhàn)。通過不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量、降低成本、優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu),南亞科將努力提升市場競爭力,實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。

當然,面對復(fù)雜多變的全球經(jīng)濟環(huán)境和地緣政治因素,南亞科也提醒投資者需保持謹慎態(tài)度,關(guān)注這些因素可能對DRAM需求復(fù)蘇產(chǎn)生的潛在影響。公司將密切關(guān)注市場動態(tài),靈活調(diào)整經(jīng)營策略,以應(yīng)對可能的風(fēng)險和挑戰(zhàn)。

綜上所述,南亞科2024年第二季度的財務(wù)表現(xiàn)令人矚目,公司在DRAM市場的領(lǐng)先地位得到進一步鞏固。隨著HBM/DDR5等高端產(chǎn)品的持續(xù)熱銷以及AI等新興應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展,南亞科有望在未來繼續(xù)保持穩(wěn)健增長態(tài)勢,為投資者創(chuàng)造更多價值。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    452

    文章

    50206

    瀏覽量

    420914
  • 南亞科
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    36

    瀏覽量

    11779
  • HBM
    HBM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    365

    瀏覽量

    14681
  • DDR5
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    416

    瀏覽量

    24074
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    DRAM大廠第三季DDR5價格大幅上調(diào)

    近日,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)市場傳來重磅消息,由于服務(wù)器需求持續(xù)強勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著,多家大廠決定在第三季度對DDR5內(nèi)存價格進行新一輪調(diào)整。據(jù)供應(yīng)鏈最新消息,三星電子與SK海力士這兩大
    的頭像 發(fā)表于 08-21 15:40 ?557次閱讀

    DDR5內(nèi)存面臨漲價潮,存儲巨頭轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)

    近日,存儲芯片市場傳來重大消息,SK海力士正式通知市場,其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價15%至20%,這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于,SK海力士、美光、三星等存儲芯片
    的頭像 發(fā)表于 08-15 10:19 ?648次閱讀

    SK海力士DDR5芯片價格或?qū)⒋蠓蠞q

    近日,據(jù)外媒報道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調(diào)15%至20%,這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露,此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴張,對DD
    的頭像 發(fā)表于 08-14 15:40 ?598次閱讀

    Introspect DDR5/LPDDR5總線協(xié)議分析儀

    ,DDR5誤碼測試儀,DDR5寄存器芯片測試,DDR5 DIMM Module測試系統(tǒng),DDR5 DRAM測試系統(tǒng) The M5513 is
    發(fā)表于 08-06 12:03

    戴爾預(yù)測DRAM與固態(tài)硬盤下半年價格將持續(xù)上漲

    在全球科技產(chǎn)業(yè)中,戴爾一直以其精準的市場洞察和卓越的供應(yīng)鏈管理能力而著稱。然而,在近期舉行的2025財年第一季度電話會議上,戴爾首席運營官杰弗里?克拉克(Jeffrey Clarke)卻發(fā)出了一個令人關(guān)注的警告:
    的頭像 發(fā)表于 06-05 10:17 ?434次閱讀

    南亞科技明年初試產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒,四款1Bnm制程DRAM產(chǎn)品已投產(chǎn)

    據(jù)悉,現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐
    的頭像 發(fā)表于 05-30 15:41 ?793次閱讀

    三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

    近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 10:12 ?587次閱讀

    漲價20%!三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片

    業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型
    的頭像 發(fā)表于 05-14 10:31 ?341次閱讀

    SK海力士:12Hi HBM3E于Q3完成,下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足

    韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度電話會議上,他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片,然而由于供應(yīng)壓力,可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
    的頭像 發(fā)表于 04-25 14:45 ?424次閱讀

    預(yù)期HBM供應(yīng)將大幅增長,驅(qū)動DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展

    擔任分析師職務(wù)的人員對于HBM的面貌做出解釋,指出與同等容量和制程的 DDR5比較,HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間,然而其良品率卻相對較低,普遍低20%-30%。
    的頭像 發(fā)表于 03-18 16:01 ?446次閱讀

    微軟2024財年Q2:營收和利潤均超預(yù)期

    近日,微軟發(fā)布了2024財年第二季度,業(yè)績表現(xiàn),營收和利潤均超出分析師預(yù)期。
    的頭像 發(fā)表于 02-05 09:53 ?845次閱讀

    2024年DRAM投片量:一季度微增,下半年劇增

    DRAM稼動率緩步改善,業(yè)界認為,整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升,較2023年第4季小幅提升約5%左右,下半年投片量回升速度將明顯加快。
    發(fā)表于 01-23 10:53 ?358次閱讀

    瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片(DDR5 RCD04)

    近日,瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片(DDR5 RCD04),該芯片支持高達7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率,較DDR5第一子代RCD速率提升50%,
    的頭像 發(fā)表于 01-04 09:26 ?608次閱讀

    DDR5接收機一致性表征和測試

    如今,各行業(yè)正在加速向DDR5新紀元邁進,無論是PC、筆記本電腦還是人工智能,都對DDR5有強烈的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖,內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:31 ?618次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR5</b>接收機一致性表征和測試

    ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢

    隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加,為進一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤,DDR5引入了片上ECC技術(shù),將
    發(fā)表于 11-30 14:49 ?364次閱讀
    <b class='flag-5'>ddr5</b>為什么能跑得那么穩(wěn)呢