三星攜手臺積電,共同研發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片技術(shù)

據(jù)最新報(bào)道，三星電子與臺積電攜手共謀AI芯片的未來，雙方正緊密合作開發(fā)下一代高帶寬存儲器（HBM4）芯片，旨在鞏固并加強(qiáng)各自在快速增長的人工智能芯片市場中的領(lǐng)先地位。在Semicon Taiwan 2024高峰論壇中，臺積電生態(tài)系統(tǒng)與聯(lián)盟管理領(lǐng)域的領(lǐng)軍人物Dan Kochpatcharin透露，雙方的合作焦點(diǎn)已鎖定在無緩沖HBM4芯片的研發(fā)上。

HBM作為AI時代的關(guān)鍵技術(shù)之一，其提供的處理速度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)內(nèi)存芯片，對于推動AI應(yīng)用的快速發(fā)展具有不可估量的價(jià)值。HBM4作為該系列的第六代產(chǎn)品，預(yù)計(jì)將由包括三星、SK海力士和美光科技在內(nèi)的多家頂級存儲制造商在明年開始大規(guī)模生產(chǎn)，以滿足英偉達(dá)等AI芯片巨頭的迫切需求。

業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，三星與臺積電此番合作開發(fā)無緩沖HBM4芯片，標(biāo)志著兩家行業(yè)巨頭在AI芯片領(lǐng)域的首次深度合作。作為代工行業(yè)的第二把交椅，三星長期與領(lǐng)頭羊臺積電在市場份額上展開激烈競爭。面對日益復(fù)雜的內(nèi)存制造工藝，雙方意識到通過合作來共克時艱的重要性。

據(jù)透露，即將問世的無緩沖HBM4芯片在能效和延遲方面均實(shí)現(xiàn)了顯著提升，其能效比現(xiàn)有型號高出40%，而延遲則降低了10%，這將為AI計(jì)算帶來更加高效、流暢的體驗(yàn)。

三星方面已明確表示，將于2025年正式量產(chǎn)HBM4芯片。據(jù)消息人士透露，三星與臺積電的合作將以尖端的第六代HBM4芯片為起點(diǎn)，該韓國科技巨頭計(jì)劃于明年下半年啟動大規(guī)模生產(chǎn)。盡管三星在HBM4領(lǐng)域已具備從內(nèi)存生產(chǎn)到代工及先進(jìn)封裝的全鏈條服務(wù)能力，但公司仍希望通過借助臺積電的技術(shù)優(yōu)勢來吸引更多客戶，進(jìn)一步拓寬市場份額。

值得一提的是，根據(jù)市場研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)，三星目前占據(jù)著HBM市場35%的份額，處于領(lǐng)先地位。為了穩(wěn)固其市場地位，SK海力士雖未涉足代工業(yè)務(wù)，但已于今年4月宣布與臺積電攜手進(jìn)軍HBM4芯片生產(chǎn)領(lǐng)域，并計(jì)劃于2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這一舉措無疑為市場競爭增添了新的變數(shù)。