產(chǎn)品簡述
MS41959 是一款四通道步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,其中兩個(gè)通
道為 12V 電壓驅(qū)動(dòng),另兩個(gè)通道為 5V 電壓驅(qū)動(dòng),總共可以同
時(shí)驅(qū)動(dòng)四個(gè)通道的步進(jìn)電機(jī)。通過具有電流細(xì)分的電壓驅(qū)動(dòng)方
式以及扭矩紋波修正技術(shù),實(shí)現(xiàn)超低噪聲微步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
芯片另外內(nèi)置一個(gè) 5V 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
主要特點(diǎn)
?電壓驅(qū)動(dòng)方式,256 細(xì)分微步進(jìn)驅(qū)動(dòng)電路(四通道八個(gè) H
橋):12V 驅(qū)動(dòng)的每個(gè) H 橋最大驅(qū)動(dòng)電流±1.0A,5V 驅(qū)動(dòng)
每個(gè) H 橋最大驅(qū)動(dòng)電流±0.8A
?四線串行總線通信控制電機(jī)
?負(fù)載電壓范圍:
12V 通道:2.7V~15V
5V 通道:4.5V~5.5V
?內(nèi)置直流電機(jī)驅(qū)動(dòng),最大驅(qū)動(dòng)電流±0.5A
?QFN48 封裝(背部散熱片)
應(yīng)用
?機(jī)器人,精密工業(yè)設(shè)備
?攝像機(jī)
?監(jiān)控?cái)z像機(jī)
?云臺(tái)
產(chǎn)品規(guī)格分類
管腳圖
管腳說明
如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)
內(nèi)部框圖
極限參數(shù)
絕對最大額定值
芯片使用中,任何超過極限參數(shù)的應(yīng)用方式會(huì)對器件造成永久的損壞,芯片長時(shí)間處于極限工作
狀態(tài)可能會(huì)影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測試得出,并不代表芯片可以正常工作在
此極限條件下。
注: 1. 絕對最大額定值,是指在容損范圍內(nèi)使用的場合。
2. 容損值,是指在Ta = 85°C時(shí)封裝單體的值。實(shí)際使用時(shí),希望在參考技術(shù)資料和PD – Ta特性圖的基
礎(chǔ)上,依據(jù)電源電壓、負(fù)荷、環(huán)境溫度條件,進(jìn)行不超過容損值的散熱設(shè)計(jì)。
3. 容損值,工作環(huán)境溫度,以及存儲(chǔ)溫度的項(xiàng)目以外,所有溫度為 Ta = 25°C。
4. 輸入電壓(DVDD+0.3)電壓不可超過6.0V。
5. 測試條件:A通道正弦波峰值880mA,B通道正弦波峰值840mA,C通道正弦波峰值180mA,D通道正弦
波峰值220mA。
6. C,D通道內(nèi)阻較大,C通道單獨(dú)工作最大正弦波峰值電流不超過900mA,C,D通道同時(shí)工作時(shí)每個(gè)
通道電流不超過600mA。
工作電源電壓范圍
注:使用中每個(gè)電源需要供電,否則會(huì)觸發(fā)欠壓保護(hù),芯片停止工作。DVDD 一般情況下為 5V 供電,
如果使用 3.3V 供電,OSC 系統(tǒng)時(shí)鐘最高頻率 20MHz,推薦使用 16MHz。
端子容許電流電壓范圍
注意:—容許端子電流電壓范圍,是指不任何情況下不允許超過這個(gè)電氣參數(shù)范圍。
—額定電壓值,是指對 GND 的各端子的電壓。GND 是指 AGND、DGND、MGNDx 的電壓。
—5V 電源,是指 DVDD,AVDD 的電壓。
—在下面沒有記述的端子以外,嚴(yán)禁從外界輸入電壓和電流。
—關(guān)于電流,“+”表示流向 IC 的電流,“-”表示從 IC 流出的電流。
注:(DVDD + 0.3) 電壓不可超過5.5V。
電氣參數(shù)
MVCCA=MVCCB=12V, MVCCC=MCVCCD=MVCCE=5V, AVDD=3.3V, DVDD=5V
注意:沒有特別規(guī)定,環(huán)境溫度為 Ta = 25°C ±2°C。
如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)
功能描述
1. 串行接口
注:1. 讀寫模式中,每個(gè)周期 CS 默認(rèn)都是從 0 開始的。
2. 寫模式時(shí),必須從 OSCIN 端輸入系統(tǒng)時(shí)鐘。
電氣參數(shù)(設(shè)計(jì)參考值)
MVCCx = 5V, DVDD = 5V, AVDD = 3.3V
注意:沒有特別規(guī)定,環(huán)境溫度為 Ta = 25°C ±2°C。本特性為設(shè)計(jì)參考值,僅供參考。
1.1 串行口輸入
1. 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換在 CS 的上升沿開始,在 CS 的下降沿停止。
2. 一次轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)流單位是 24 位。
3. 從 SIN 引腳輸入地址和數(shù)據(jù)時(shí),在 CS = 1 的條件下,時(shí)鐘信號(hào) SCK 保持一致。
4. 在 SCK 信號(hào)的上升沿,數(shù)據(jù)被打入 IC。同時(shí),數(shù)據(jù)輸出時(shí),在 SOUT 引腳讀出(數(shù)據(jù)在 SCK 的上升
沿輸出)。
5. 當(dāng) CS=0 時(shí),SOUT 輸出高阻態(tài)。并且當(dāng) CS=1 時(shí),輸出“0”除非有數(shù)據(jù)讀出。
6. 當(dāng) CS=0 時(shí),復(fù)位整個(gè)串行接口控制。
1.2 數(shù)據(jù)格式
C0:寄存器讀寫選擇: 0:寫模式;1:讀模式
C1:不使用
A5~A0:寄存器地址
D15~D0:寫入寄存器的數(shù)據(jù)
1.3 寄存器分布圖
1.4 寄存器列表
1.5 寄存器建立時(shí)刻
* 0→1:起作用于DT1x ;1→0:起作用于DT2x
原則上來說,用于細(xì)分步進(jìn)的寄存器的建立,應(yīng)該在起始點(diǎn)延時(shí)的這段時(shí)間段執(zhí)行完(參考17頁
圖)。在起始點(diǎn)延時(shí)這段時(shí)間外,寫入的數(shù)據(jù)也能被存入寄存器。然而,如果寫操作在刷新時(shí)間后繼
續(xù)執(zhí)行的話,好比在起始點(diǎn)激勵(lì)延時(shí)的最后,建立刷新時(shí)刻不會(huì)在計(jì)劃的時(shí)刻有效。舉例說明:如果
在起始點(diǎn)激勵(lì)延時(shí)后更新的數(shù)據(jù)1? 4如下圖一樣被寫入,數(shù)據(jù)1和2在a時(shí)刻立即被更新,數(shù)據(jù)3和4在b
時(shí)刻被更新。即使數(shù)據(jù)是連續(xù)寫入的,更新的時(shí)間間隔了1個(gè)VFx的周期。
由于上述原因,為了數(shù)據(jù)及時(shí)更新,寄存器數(shù)據(jù)的建立需要在起始點(diǎn)延時(shí)的這段時(shí)間段執(zhí)行完。
2. VFx信號(hào)內(nèi)部處理
這個(gè)系統(tǒng)中,步進(jìn)電機(jī)的反應(yīng)時(shí)間和旋轉(zhuǎn)時(shí)間分別基于VFx的上升沿。VFx的極性能通過下面的寄
存器設(shè)置。
寄存器細(xì)節(jié)描述
MODESEL_FZ (VFx 極性選擇)
MODESEL_FZ設(shè)置輸入IC內(nèi)部的VFx的極性。
當(dāng)設(shè)置為“0”,極性基于VFx的上升沿。當(dāng)設(shè)置為“1”,極性基于VFx的下降沿。
MODESEL_FZ選擇輸入VFx的極性。當(dāng)MODESEL_FZ的翻轉(zhuǎn)時(shí)刻,如下圖所示,內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生一個(gè)VFx信
號(hào),此時(shí)刻與VFx的邊沿?zé)o關(guān)。
3. 步進(jìn)電機(jī)細(xì)分步進(jìn)驅(qū)動(dòng)
3.1 模塊框圖
上圖中模塊是一個(gè)步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)內(nèi)部示意圖。下面的一些設(shè)置可以用來執(zhí)行一系列的控制。
(下面是對 A 通道步進(jìn)電機(jī):H 橋驅(qū)動(dòng)器 α/β 的描述。通道 B,C,D 與通道 A 電機(jī)執(zhí)行一樣的算法)
主要的設(shè)置參數(shù):
相位矯正:驅(qū)動(dòng)器 α 和驅(qū)動(dòng)器 β 的相位差目標(biāo)在 90°;
可以實(shí)現(xiàn)-22.5°? +21.8°的相位修正 。 ——>PHMODx[5:0]
幅度設(shè)置:能獨(dú)立設(shè)置驅(qū)動(dòng)器 α/β 的負(fù)載驅(qū)動(dòng)電流 ——>PPWAα[7:0],PPWAβ[7:0]
PWM 頻率:驅(qū)動(dòng)器輸出的 PWM 波頻率設(shè)置 ——>PWMMODEAB[4:0],PWMRESAB[1:0]
微步進(jìn)分頻數(shù):微步數(shù)能設(shè)置成 64,128 和 256 微步進(jìn)模式 ——>MICROAB[1:0]
步進(jìn)周期:電機(jī)旋轉(zhuǎn)速度設(shè)置。
電機(jī)旋轉(zhuǎn)速度與正弦波的的微步進(jìn)模式無關(guān) ——>INTCTA[15:0]
3.2 相關(guān)設(shè)置的建立時(shí)刻
建立時(shí)刻和相關(guān)時(shí)間如下所示
地址 07h 到 0Ah 的設(shè)置同 02h 到 05h 的設(shè)置相同,所以 07h 到 0Ah 的描述就省略了。如果相關(guān)寄
存器被刷新,則每一個(gè) VF 周期來到時(shí),會(huì)實(shí)現(xiàn)一次設(shè)置的加載刷新。當(dāng)同樣的設(shè)置被執(zhí)行時(shí)超過 2 個(gè)
VF 脈沖時(shí),沒有必要在每個(gè) VF 脈沖都寫入寄存器數(shù)據(jù)。
DT1AB[7:0](起始點(diǎn)延時(shí),地址 20h)
更新數(shù)據(jù)時(shí)間設(shè)置。在系統(tǒng)硬件復(fù)位后(48 引腳 RSTB:低→高),開始激勵(lì)和驅(qū)動(dòng)電機(jī)前
(DT1AB 結(jié)束),必須設(shè)置此項(xiàng)。
由于這個(gè)設(shè)置在每次 VF 脈沖來到時(shí)更新,沒有必要一定在起始點(diǎn)延遲時(shí)間段內(nèi)寫入。
PWMMODEAB[4:0],PWMRESAB[1:0](微步進(jìn)輸出 PWM 波頻率,地址 20h)
設(shè)置微步進(jìn)輸出 PWM 波頻率。需要在開始激勵(lì)和驅(qū)動(dòng)電機(jī)前設(shè)置執(zhí)行(DT1AB 結(jié)束)。
DT2A[7:0](起始點(diǎn)激勵(lì)延時(shí),地址 22h)
更新數(shù)據(jù)時(shí)間設(shè)置。復(fù)位后(48 引腳 RSTB:低→高),需要在開始激勵(lì)和驅(qū)動(dòng)電機(jī)前被設(shè)置執(zhí)行
(DT1AB 結(jié)束)。
PHMODA[5:0](相位矯正,地址 22h)
通過矯正線圈 α 和 β 的相位差,驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生的噪聲會(huì)減少。合適的相位矯正必須依據(jù)于電機(jī)的旋
轉(zhuǎn)方向和速度,此設(shè)置需要隨著旋轉(zhuǎn)方向 (CCWCWA)或者旋轉(zhuǎn)速度 (INTCTA)的變化而改變。
PPWAα[7:0],PPWAβ[7:0](峰值脈沖寬度,地址 23h)
設(shè)置 PWM 最大占空比。設(shè)置需要在開始激勵(lì)和驅(qū)動(dòng)電機(jī)前被設(shè)置執(zhí)行(DT1AB 結(jié)束)。
PSUMA[7:0](步進(jìn)電機(jī)步進(jìn)數(shù),地址 24h)
1 個(gè) VFx 的時(shí)間間隔內(nèi)的電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)次數(shù)設(shè)置。
每次 VFx 脈沖輸入時(shí),電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)所設(shè)置的次數(shù)。因此,設(shè)置次數(shù)為“0”是可以停止電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)。當(dāng)
設(shè)置的轉(zhuǎn)動(dòng)次數(shù)總額超過了 1 個(gè) VFx 脈沖的時(shí)間,超出部分會(huì)被取消。
CCWCWA(轉(zhuǎn)動(dòng)方向,地址 24h)
電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)方向設(shè)置,只要在選擇轉(zhuǎn)動(dòng)方向前設(shè)置即可。
BRAKEA(電機(jī)剎車設(shè)置,地址 24h)
剎車時(shí)設(shè)置電流為 0。由于執(zhí)行此設(shè)置時(shí),很難得到電機(jī)的最終位置,所以此設(shè)置一般用于立即
停止電機(jī)。
ENDISA(電機(jī)工作 Enable/Disable,地址 24h)
設(shè)置電機(jī)工作使能。當(dāng)設(shè)置為不使能時(shí),電機(jī)引腳輸出高阻態(tài),電機(jī)正在轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)不要設(shè)置成
disable。
MICROA[1:0](正弦波分頻數(shù),地址 24h)
設(shè)置正弦波的分頻數(shù)。這個(gè)設(shè)置不改變轉(zhuǎn)動(dòng)次數(shù)和轉(zhuǎn)動(dòng)速度。只有當(dāng)轉(zhuǎn)速達(dá)不到要求時(shí),才需要
設(shè)置此項(xiàng)。復(fù)位后(48 引腳 RSTB:低→高),設(shè)置有效。
INTCTA[15:0](脈沖周期,地址 25h)
脈沖周期設(shè)置。轉(zhuǎn)動(dòng)速度決定于這個(gè)設(shè)置。
3.4 寄存器細(xì)節(jié)描述
注:(1) 通道 AB 與 CD 是設(shè)置是一樣的,只是寄存器的地址分別是 0Xh 與 2Xh 的區(qū)別,CD 通道
不做重復(fù)描述,如 DT1AB 做了描述,DT1CD 沒有描述。
(2)通道 A 與通道 B 為鏡像通道,同名寄存器如 PPWAα 與 PPWBα,DT2A 與 DT2B 設(shè)置方法也一
致,也不做重復(fù)描述。
DT1AB[7:0](A 與 B 通道電機(jī)起始點(diǎn)等待時(shí)間)
DT1CD[7:0](C 與 D 通道電機(jī)起始點(diǎn)等待時(shí)間)
DT1AB[7:0]設(shè)置數(shù)據(jù)寫入系統(tǒng)的延時(shí)時(shí)間(起始點(diǎn)等待時(shí)間)
電機(jī)可以精確地在起始點(diǎn)等待時(shí)間從“1”到“0”翻轉(zhuǎn)后被激活。起始點(diǎn)等待時(shí)間從視頻同步信號(hào)
(VFx)的上升沿開始計(jì)算。
由于起始點(diǎn)延時(shí)時(shí)間是主要是用來等待串行數(shù)據(jù)的寫入。應(yīng)該設(shè)置寄存器值大于“0”,如果是“0”
的話,相應(yīng)的數(shù)據(jù)不能更新。
DT2A[7:0]和 DT2B[7:0]設(shè)置通道 A 電機(jī)和通道 B 電機(jī)開始轉(zhuǎn)動(dòng)前的等待延遲時(shí)間。
在起始點(diǎn)激勵(lì)等待時(shí)間從“1”到“0”翻轉(zhuǎn)后,電機(jī)開始轉(zhuǎn)動(dòng)。起始點(diǎn)激勵(lì)等待時(shí)間是在起始點(diǎn)等待
時(shí)間結(jié)束時(shí)刻開始計(jì)算。
這個(gè)信號(hào)是 A,B 通道的單獨(dú)延遲。應(yīng)該設(shè)置寄存器值大于“0”,如果是“0”的話,相應(yīng)的數(shù)據(jù)不能
更新。
PWMMODEAB[4:0]通過設(shè)置系統(tǒng)時(shí)鐘 OSCIN 的分頻數(shù)來設(shè)置微步進(jìn)輸出 PWM 的頻率。
PWMMODEAB[4:0]能在 1?31 的范圍內(nèi)設(shè)置,PWM 波的頻率在 PWMMODE = 0 和 PWMMODE = 1
時(shí)候的取值是一樣的。
PWMRESAB[1:0]與 PWMMODEAB[4:0]一起決定 PWM 頻率
PWM 頻率由下面的式子進(jìn)行計(jì)算
PWM 頻率 = OSCIN 頻率 / ((PWMMODE × 23 ) × 2PWMRES)
PHMODD[5:0](D 通道電機(jī)相位矯正)
通道 A 步進(jìn)電機(jī)的 α 相 H 橋電流和 β 相 H 橋電流的相位差由 PHMODA[5:0]設(shè)置。默認(rèn)為 90°,設(shè)
置 1 個(gè)單位為 0.7°,同時(shí)數(shù)據(jù)可以取正反偏差。
步進(jìn)電機(jī)兩相線圈之間的相位差一般為 90°。但是,因?yàn)殡姍C(jī)的不同或者工藝偏差,相位差也會(huì)
偏移出 90°。因此,即使驅(qū)動(dòng)波形電流的相位差 90°,但是電機(jī)本身不是相差 90°,也會(huì)產(chǎn)生轉(zhuǎn)矩紋
波,噪聲還是存在的。
這個(gè)設(shè)置主要是減少由于電機(jī)變化時(shí)產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩紋波。
PPWAx[7:0]到 PPWDx[7:0]設(shè)置 PWM 波的最大占空比,決定驅(qū)動(dòng)器 A 到 D 兩相輸出電流峰值的位置。
最大占空比由下式進(jìn)行計(jì)算:
驅(qū)動(dòng)器 X 最大占空比 = PPWxx/ (PWMMODExx × 8)
當(dāng) PPWxx = 0,線圈電流為 0。
舉例,當(dāng) PPWAx[7:0] = 200,PWMMODEAB[4:0] = 28,最大占空比為:
200 / (28 × 8) = 0.89
根據(jù) PWMMODExx 和 PPWxx 的值,最大占空比可能超過 100%,
實(shí)際中,PWM 中占空比當(dāng)然不可能超過 100% ,正弦波峰值點(diǎn)會(huì)被削去如下圖所示:
舉例說明,當(dāng) PWMMODExx = 10,PPWxx = 96,
最大占空比 = 90/(10 × 8) = 120%
目標(biāo)電流的波形如下顯示:
只要 PWM 波最大占空比設(shè)置不為“0”,當(dāng) PSUMx[7:0]=0 時(shí),電機(jī)都可以保持在釋放時(shí)狀態(tài)。
一個(gè)實(shí)例來看此設(shè)定的意義:
當(dāng) PSUMA[7:0]=8 被設(shè)定,在 64 細(xì)分模式下運(yùn)行 2x8=16 步,即 16/64=1/4 個(gè) sin 周期。同理,在
128 與 256 細(xì)分模式下,同樣是 1/4 個(gè)正弦波周期。
ENDISA 和 ENDISB 分別設(shè)置通道 A 電機(jī)和通道 B 電機(jī)的輸出控制。
當(dāng) ENDISx = 0 時(shí)輸出高阻態(tài)。然而,內(nèi)部的激勵(lì)位置計(jì)數(shù)器在 ENDISxx = 0 仍然保持計(jì)數(shù)。因此,
當(dāng)在正常狀態(tài)下想要停止電機(jī),設(shè)置 PSUMx[7:0] = 0,而不是設(shè)置 ENDISx = 0。
當(dāng) INTCTA[15:0]=0,只要 PWM 最大占空比不為 0,電機(jī)就保持在釋放時(shí)狀態(tài)。
舉例說明:當(dāng) INTCTA[15:0]=400 時(shí),64 細(xì)分下每步周期:
12×400/27MHz=0.178ms
因此,每個(gè)正弦波周期為 0.178x64=11.4ms (87.9Hz);同樣計(jì)算,128 細(xì)分與 256 細(xì)分下也為 11.4ms。
典型應(yīng)用電路圖
1. MS41959 具有背部散熱 PAD,大功率應(yīng)用時(shí)必須接地。
2. 在 OSCIN 管腳(PIN41) 與 OSCOUT(PIN42) 之間,內(nèi)置放大電路與 SMIT 電路,所以 OSCIN 與 OSCOUT
之間可以使用低成本的無源晶振;也可以在 OSCIN 管腳接有源晶振的輸出(OSCOUT 懸空),或者其
他 MCU 的 CLK 輸出。直流輸入與交流輸入幅度要求有差異。
——愛研究芯片的小王
審核編輯 黃宇
-
低噪聲
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
202瀏覽量
22811 -
步進(jìn)驅(qū)動(dòng)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
12瀏覽量
1982
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論