高密度互連，引爆后摩爾技術革命

來源：司逸 晶上世界

Yole Group最新發(fā)布報告指出，先進封裝市場預計將以每年11%的復合年增長率(CAGR)增長，到2029年達到695億美元。而且Yole Group在6月發(fā)布的報告中指出玻璃芯基板在先進封裝領域中正成為新的創(chuàng)新焦點，引領著超集成高密度互連技術的飛躍。通過持續(xù)的技術創(chuàng)新實現(xiàn)高密度互連，將是推動先進封裝技術在后摩爾時代跨越發(fā)展的關鍵所在。

后摩爾新興技術

催生高密度互連發(fā)展機遇

現(xiàn)階段，摩爾定律正面臨經濟和工程雙重挑戰(zhàn)，隨著制程技術的進步，每百萬門器件的成本不降反升，產品設計和生產線建設的成本急劇增加。

在這種背景下，Chiplet等新興技術應運而生，推動先進封裝技術向高密度集成方向發(fā)展。包括有機基板(含EMIB)、硅轉接(CoWoS)、晶上系統(tǒng)(SoW)、倒裝/FC(含TCB、HB)等一系列技術，正在重新定義集成電路的未來。

據(jù)臺積電(TSMC)的預測數(shù)據(jù)，到2030年，單芯片(單Die)的集成度將達到2000億，單個封裝的集成度將達到10000億。通過使用更復雜的封裝結構和提高封裝互連密度，可以將芯片的晶體管集成度提高5倍。更重要的是，通過封裝提高集成度的成本遠低于前道工藝為晶體管集成度提高所付出的代價。

先進封裝解決方案

不斷推陳出新

在超高集成的發(fā)展趨勢下，各大企業(yè)紛紛亮劍，針對CPU、GPU、FPGA等多種不同功能的芯片產品，采用了多種封裝集成方案。

另外，近幾年，晶圓級封裝解決方案脫穎而出。Tesla和加州大學基于不同封裝技術路線推出的SoW成果都具備顯著的超高集成互連密度優(yōu)勢。

中電科58所

國內高密度互連技術領航者

在這場全球技術競賽中，中國力量同樣不容忽視。中電科58所，作為國內高密度互連技術的領軍者，正以卓越的設計能力和前瞻性的解決方案，積極擁抱這場技術革命。

中電科58所基于現(xiàn)有先進封裝產線，依托于高密度有機基板加工平臺，結合業(yè)內玻璃芯材制備能力，完成玻璃芯有機基板研制平臺搭建。

目前，已突破玻璃熱膨脹系數(shù)改性技術、深孔內種子層連續(xù)沉積技術、高密度極多層布線、超細垂直盲孔填充等核心技術，實現(xiàn)具有高布線密度、短加工制造周期、高頻傳輸性能及高可靠的玻璃芯有機基板制備，形成全流程玻璃芯有機基板加工技術路線與可靠性評價方案。

超密互連通孔展示

玻璃基板與有機基板關于承載芯片數(shù)量的對比

高密度互連技術的迅猛發(fā)展，正為后摩爾時代的先進封裝帶來無限可能。以中電科58所為代表的創(chuàng)新力量將通過不斷的突破與積累，繼續(xù)引領這場變革，推動先進封裝技術的跨越式發(fā)展，為我國集成電路的未來注入新的活力和動力。