文章來(lái)源:Semika
原文作者:Semika
本文介紹了半導(dǎo)體工藝及設(shè)備中的封裝工藝和設(shè)備。
晶圓大多是非常脆的硅基材料,直接拿取是非常容易脆斷的,所以必須封裝起來(lái),并且把線路與外部設(shè)備連接,才能出廠。本文詳述芯片的封裝工藝和相關(guān)的設(shè)備。
封裝聽起來(lái)似乎就是包裝,好像比較簡(jiǎn)單。封裝與蝕刻和沉積相比,在一定程度上是要簡(jiǎn)單一點(diǎn),但封裝同樣是一個(gè)高科技的行業(yè)。
封裝技術(shù)的發(fā)展
芯片封裝被分傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝。
傳統(tǒng)封裝的目的是將切割好的芯片進(jìn)行固定、引線和封閉保護(hù)。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,芯片厚度減小、尺寸增大,及其對(duì)封裝集成敏感度的提高,基板線寬距和厚度的減小,互聯(lián)高度和中心距的減小,引腳中心距的減小,封裝體結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度和集成度提高,以及最終封裝體的小型化發(fā)展、功能的提升和系統(tǒng)化程度的提高。越來(lái)越多超越傳統(tǒng)封裝理念的先進(jìn)封裝技術(shù)被提出。先進(jìn)封裝(Advanced Packaging)是本文討論的重點(diǎn)。
我們先了解一下傳統(tǒng)封裝,這有利于更好地理解先進(jìn)封裝。傳統(tǒng)封裝技術(shù)發(fā)展又可細(xì)分為三階段。
階段一(1980 以前):通孔插裝(Through Hole,TH)時(shí)代
其特點(diǎn)是插孔安裝到 PCB 上,引腳數(shù)小于 64,節(jié)距固定,最大安裝密度 10 引腳/cm2,以金屬圓形封裝(TO)和雙列直插封裝(DIP)為代表;
階段二(1980-1990):表面貼裝(Surface Mount,SMT)時(shí)代
其特點(diǎn)是引線代替針腳,引線為翼形或丁形,兩邊或四邊引出,節(jié)距 1.27-0.44mm,適合 3-300 條引線,安裝密度 10-50 引腳/cm2,以小外形封裝(SOP)和四邊引腳扁平封裝(QFP)為代表;
階段三(1990-2000):面積陣列封裝時(shí)代
在單一芯片工藝上,以焊球陣列封裝(BGA)和芯片尺寸封裝(CSP)為代表,采用“焊球”代替“引腳”,且芯片與系統(tǒng)之間連接距離大大縮短。在模式演變上,以多芯片組件(MCM)為代表,實(shí)現(xiàn)將多芯片在高密度多層互聯(lián)基板上,用表面貼裝技術(shù)組裝成多樣電子組件、子系統(tǒng)。
自20世紀(jì)90年代中期開始,基于系統(tǒng)產(chǎn)品不斷多功能化的需求,同時(shí)也由于芯片尺寸封裝(CSP)封裝、積層式多層基板技術(shù)的引進(jìn),集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)邁入三維疊層封裝(3D)時(shí)代。這個(gè)發(fā)展階段,先進(jìn)封裝應(yīng)運(yùn)而生。
先進(jìn)封裝具體特征表現(xiàn)為:
(1)封裝元件概念演變?yōu)榉庋b系統(tǒng);
(2)單芯片向多芯片發(fā)展;
(3)平面封裝(MCM)向立體封裝(3D)發(fā)展;
(4)倒裝連接、TSV硅通孔連接成為主要鍵合方式。
先進(jìn)封裝優(yōu)勢(shì)
先進(jìn)封裝提高加工效率,提高設(shè)計(jì)效率,減少設(shè)計(jì)成本。先進(jìn)封裝工藝技術(shù)主要包括倒裝類(FlipChip,Bumping),晶圓級(jí)封裝(WLCSP,F(xiàn)OWLP,PLP),2.5D封裝(Interposer)和3D封裝(TSV)等。以晶圓級(jí)封裝為例,產(chǎn)品生產(chǎn)以圓片形式批量生產(chǎn),可以利用現(xiàn)有的晶圓制備設(shè)備,封裝設(shè)計(jì)可以與芯片設(shè)計(jì)一次進(jìn)行。這將縮短設(shè)計(jì)和生產(chǎn)周期,降低成本。
先進(jìn)封裝以更高效率、更低成本、更好性能為驅(qū)動(dòng)。先進(jìn)封裝技術(shù)上通過(guò)以點(diǎn)帶線的方式實(shí)現(xiàn)電氣互聯(lián),實(shí)現(xiàn)更高密度的集成,大大減小了對(duì)面積的浪費(fèi)。
SiP技術(shù)及PoP技術(shù)奠定了先進(jìn)封裝時(shí)代的開局,如Flip-Chip(倒裝芯片), WaferLevelPackaging(WLP,晶圓級(jí)封裝),2.5D封裝以及3D封裝技術(shù),ThroughSiliconVia(硅通孔,TSV)等技術(shù)的出現(xiàn)進(jìn)一步縮小芯片間的連接距離,提高元器件的反應(yīng)速度,未來(lái)將繼續(xù)推進(jìn)著先進(jìn)封裝的進(jìn)步。
所有這些先進(jìn)封裝技術(shù),被集中起來(lái)發(fā)展成為了3D封裝。3D封裝會(huì)綜合使用倒裝、晶圓級(jí)封裝以及 POP/Sip/TSV 等立體式封裝技術(shù),其發(fā)展共劃分為三個(gè)階段:
第一階段:采用引線和倒裝芯片鍵合技術(shù)堆疊芯片;
第二階段:采用封裝體堆疊(POP);
第三階段:采用硅通孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片堆疊。
3D封裝可以通過(guò)兩種方式實(shí)現(xiàn):封裝內(nèi)的裸片堆疊和封裝堆疊。封裝堆疊又可分為封裝內(nèi)的封裝堆疊和封裝間的封裝堆疊。
最后,我們列舉一下這些主要的先進(jìn)封裝技術(shù):
★ 倒裝(FC-FlipChip)
★ 晶圓級(jí)封裝(WLP-Wafer level package)
★ 2.5D封裝
★ (POP/Sip/TSV)等3D立體式封裝技術(shù)
★ 3D封裝技術(shù)
封裝的級(jí)別
電子封裝的工程被分成六個(gè)級(jí)別:
層次1(裸芯片)
它是特指半導(dǎo)體集成電路元件(IC芯片)的封裝,芯片由半導(dǎo)體廠商生產(chǎn),分為兩類,一類是系列標(biāo)準(zhǔn)芯片,另一類是針對(duì)系統(tǒng)用戶特殊要求的專用芯片,即未加封裝的裸芯片(電極的制作、引線的連接等均在硅片之上完成)。
層次2(封裝后的芯片即集成塊)
分為單芯片封裝和多芯片封裝兩大類。前者是對(duì)單個(gè)裸芯片進(jìn)行封裝,后者是將多個(gè)裸芯片裝載在多層基板(陶瓷或有機(jī)材料)上進(jìn)行氣密閉封裝構(gòu)成MCM。
層次3(板或卡)
它是指構(gòu)成板或卡的裝配工序。將多個(gè)完成層次2的單芯片封裝在PCB板等多層基板上,基板周邊設(shè)有插接端子,用于與母板及其它板或卡的電氣連接。
層次4(單元組件)
將多個(gè)完成層次3的板或卡,通過(guò)其上的插接端子搭載在稱為母板的大型PCB板上,構(gòu)成單元組件。
層次5(框架件)
它是將多個(gè)單元構(gòu)成(框)架,單元與單元之間用布線或電纜相連接。
層次6(總裝、整機(jī)或系統(tǒng))
它是將多個(gè)架并排,架與架之間由布線或電纜相連接,由此構(gòu)成大型電子設(shè)備或電子系統(tǒng)。
先進(jìn)封裝的主要設(shè)備
了解了封裝的工藝,再來(lái)看看有哪些實(shí)際的操作要做,所需的設(shè)備就明確了。這里按工藝步驟列舉一些:
裸片堆疊。需要晶圓級(jí)疊片機(jī)。這是一個(gè)對(duì)可靠性要求極高的設(shè)備,因?yàn)榫€路完成后的晶圓很昂貴,而且非常易碎,更重要的對(duì)疊片的精度要求更高。目前還沒有國(guó)產(chǎn)量產(chǎn)的設(shè)備。
晶圓切割。將Wafer切割成單個(gè)芯片。常見有切割機(jī)(Saw鋸切)、劃片機(jī)、激光切割機(jī)等。
芯片堆疊。這個(gè)設(shè)備的難度在于精度和速度。目前國(guó)內(nèi)有多家廠商在研發(fā)這類設(shè)備,主要還是速度(產(chǎn)能)方面的差距。
封裝級(jí)光刻蝕刻。這是光刻技術(shù)練兵的場(chǎng)所,這里的光刻精度是微米級(jí)的,精度高一點(diǎn)的也達(dá)到了0.1微米。
貼片(把芯片放在基板上)。這一過(guò)程需要用到點(diǎn)膠機(jī),貼片機(jī)/固晶機(jī)/鍵合機(jī)等主要設(shè)備,還要用到印刷機(jī),植球機(jī),回熔焊,固化設(shè)備,壓合設(shè)備,清洗設(shè)備等。
引線鍵合。主要有Wire bound和Die Bound兩類設(shè)備。
置散熱片、散熱膠、外殼。這一過(guò)程也要用到點(diǎn)膠,灌膠,植片機(jī)/固晶機(jī)/貼片機(jī),壓壓合設(shè)備,清洗設(shè)備等主要設(shè)備。
檢驗(yàn)。包括檢驗(yàn)、測(cè)試和分選。
封裝所涉及設(shè)備比較多,在此先列舉這么多。以下流程圖可供參考
下面我們針對(duì)其中部分常見設(shè)備,介紹其原理和結(jié)構(gòu)。
1、清洗機(jī)
這些設(shè)備中,清洗機(jī)聽起來(lái)相對(duì)簡(jiǎn)單,但清洗機(jī)也絕對(duì)不是那么的簡(jiǎn)單。
清洗的優(yōu)劣,決定著產(chǎn)品的良率,性能及可靠性。有時(shí)更決定著工藝過(guò)程的成敗。
接觸芯片的零件的清洗,對(duì)塵埃、油污的要求,都是絕對(duì)嚴(yán)苛的,有的還要對(duì)零件表面的揮發(fā)氣體進(jìn)行測(cè)量,對(duì)表面對(duì)不同物質(zhì)的親合性進(jìn)行測(cè)量。而要達(dá)到這些要求,對(duì)清洗工藝的要求也往往非常復(fù)雜。一條清洗線也動(dòng)輒十幾道 ,幾十道工藝過(guò)程,對(duì)零件進(jìn)行物理的、化學(xué)的、生物級(jí)別的清洗與干燥。
2、涂膠設(shè)備
封裝階段的膠水,作用一是把IC的不同部分粘結(jié)起來(lái),作用二是把IC各個(gè)部分之間的間隙填充起來(lái),作用三是把IC包裹保護(hù)起來(lái)。這也就基本形成了三個(gè)類別,一是點(diǎn)膠,二是填充,三是塑封(Moding)。
這些工藝過(guò)程,聽起來(lái)比較簡(jiǎn)單,很容易理解。事實(shí)也確實(shí)如此。只是對(duì)膠量的控制,均勻性有很高的要求。膠水的壓力,出膠口的形狀,溫度,運(yùn)動(dòng)的平穩(wěn)性,設(shè)備的振動(dòng),空氣流動(dòng)等,每一個(gè)環(huán)節(jié)都要精確控制。
涂膠的工藝的特性主要的還是決定于膠水的特性。在這里我們只談設(shè)備,不談耗材。
3、刻蝕光刻機(jī)
我們常聽說(shuō)的那些高大尚的光刻機(jī),是指晶圓級(jí)別上用來(lái)刻蝕芯片電路的。封裝過(guò)程也要用到光刻機(jī),需要制作用于定位和精確定位芯片的封裝模板。光刻機(jī)可以用于制作這些封裝模板的微米級(jí)圖案。光刻機(jī)通過(guò)曝光光刻膠和進(jìn)行顯影的過(guò)程,將圖案精確地轉(zhuǎn)移到封裝模板上。封裝過(guò)程所用光刻機(jī)線寬要求比較低,一般500nm的都能用了。
4、芯片鍵合機(jī)
芯片鍵合機(jī),是把芯片與基板連接在一起的設(shè)備,有兩種主要的方式,Wire Bond和Die Bond。Wire Bond設(shè)備通常被稱作綁線機(jī),綁線機(jī)是用金屬引線把IC上的引腳與基板(Substrate)的引腳進(jìn)行連接的設(shè)備。這個(gè)工藝中使用的金屬細(xì)線通常只有幾十微米,一根一根把金屬絲熔融在引腳上。這個(gè)過(guò)程在引腳多的芯片上就很耗時(shí)。
Die Bond設(shè)備有時(shí)被稱作貼片機(jī)或固晶機(jī)機(jī)。Die Bond是近些年才發(fā)展起來(lái)的技術(shù),是通過(guò)金屬球陣列來(lái)進(jìn)行連接,就是常說(shuō)的BGA技術(shù)(Ball Grid Array)。Die Bond的連接方式效率更高,一次性可以連接所有引腳,所以生產(chǎn)數(shù)百數(shù)千引腳的芯片也很方便。還有就是Die Bond封裝更加緊湊,所以Die Bond是未來(lái)芯片鍵合的主要方式。
5、貼片機(jī)
貼片機(jī)是一種高度復(fù)雜且精密的機(jī)器,其工作原理可以追溯到微電子組件制造的核心。這些機(jī)器使用先進(jìn)的視覺系統(tǒng),如光學(xué)傳感器和高分辨率攝像頭,以檢測(cè)和定位微小的電子元件。這種視覺系統(tǒng)能夠在納米級(jí)別準(zhǔn)確度下進(jìn)行操作,確保元件的精確定位。
貼片通常是指表面貼裝技術(shù),是一種將無(wú)引腳或短引線表面組裝元器件(簡(jiǎn)稱SMC/SMD,中文稱片狀元器件)安裝在印制電路板(Printed Circuit Board,PCB)的表面或其它基板的表面上,通過(guò)再流焊或浸焊等方法加以焊接組裝的電路裝連技術(shù)。
除此之外,貼片還指應(yīng)用于裸芯片(Die)的貼裝技術(shù),是指將晶圓片上沒有封裝或保護(hù)層的晶片(裸芯片)貼裝到基板上的過(guò)程。這些芯片通常由硅等材料制成,并通過(guò)刻蝕、沉積、光刻等工藝加工而成。
裸芯片貼裝是一種高精度、高技術(shù)含量的制造過(guò)程,在貼片過(guò)程中,由于裸芯片缺乏封裝保護(hù),對(duì)裸芯片的測(cè)試和組裝要求更高,需要專門的貼片機(jī)設(shè)備和技術(shù)來(lái)確保其可靠性和穩(wěn)定性。裸芯片貼裝技術(shù)常用于高性能計(jì)算、光通信、存儲(chǔ)和其他應(yīng)用領(lǐng)域,其中需要更高的處理能力和集成度。
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