MS31221——低壓雙全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)

產(chǎn)品簡述

MS31221 是一款雙全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)。它可應(yīng)用于低電

壓及電池供電的運(yùn)動(dòng)控制場合。并且內(nèi)置電荷泵來提供

內(nèi)部功率 NMOS 所需的柵驅(qū)動(dòng)電壓。

MS31221 可以提供最高 2.8A 的峰值電流，其功率電

源供電范圍從 1.8V 到 10V，邏輯電源供電范圍從 1.8V 到

6V。

四個(gè)輸入腳可以控制直流電機(jī)工作在正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)、

剎車以及滑行模式，也可以控制一個(gè)步進(jìn)電機(jī)在全步和

半步模式。全橋由 IN1/IN2 邏輯控制，并且當(dāng)所有的

xINx=0 超過 3ms 時(shí)，進(jìn)入待機(jī)模式。

主要特點(diǎn)

?兩個(gè)全橋驅(qū)動(dòng)器，低輸出導(dǎo)通電阻，

420mΩ(HS+LS)

?2.8A 峰值電流能力

?功率電源供電范圍：1.8V 到 10V

?邏輯電源供電范圍：1.8V 到 6V

?IN1/IN2 全橋控制邏輯

?待機(jī)模式下，功耗不超過 120nA@VM<6V

?QFN16L 封裝（背部散熱片）, 3mmx3mm

?保護(hù)功能：欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、

短路保護(hù)以及過溫保護(hù)

應(yīng)用

?攝像機(jī)

?玩具

?機(jī)器人

?便攜式醫(yī)療電子設(shè)備

產(chǎn)品規(guī)格分類

內(nèi)部框圖

管腳圖

管腳說明

極限參數(shù)

芯片使用中，任何超過極限參數(shù)的應(yīng)用方式會(huì)對器件造成永久的損壞，芯片長時(shí)間處于極限工作

狀態(tài)可能會(huì)影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測試得出，并不代表芯片可以正常工作在

此極限條件下。

推薦工作條件

工作電源電壓范圍

電氣參數(shù)

VM=5V，VDD=3.3V。注意：沒有特別規(guī)定，環(huán)境溫度為Ta = 25°C ±2°C。

如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文（16620966594）

功能描述

MS31221 是一款低壓、兩個(gè)全橋驅(qū)動(dòng)器，可以用來驅(qū)動(dòng)一個(gè)步進(jìn)電機(jī)或者兩個(gè)直流電機(jī)。

全橋控制邏輯

MS31221 采用 IN1/IN2 邏輯控制全橋。每個(gè)全橋獨(dú)立控制。

其真值表如下：

待機(jī)模式

MS31221 提供待機(jī)模式，當(dāng) AIN1=AIN2=BIN1=BIN2=0 的時(shí)間超過 3ms 時(shí)，芯片將進(jìn)入待機(jī)模式。

待機(jī)模式下，芯片所有模塊都會(huì)被關(guān)閉。若 xINx 中有一個(gè)腳被拉高，芯片將從待機(jī)模式進(jìn)入正常工作

模式。

電源供電及輸入管腳

VDD 和 VM 可以不按照順序上電或者下電。當(dāng) VDD 下電后，芯片會(huì)進(jìn)入低功耗狀態(tài)，此時(shí) VM 只

消耗很小的電流。如果 VM 電壓在 1.8V 到 6V 之間，可以從外部將 VDD 和 VM 接一起進(jìn)行供電。

保護(hù)電路

MS31221 提供完備的保護(hù)電路，包括欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、過溫保護(hù)等。

MS31221 針對每個(gè)功率 MOS 做了獨(dú)立的過流保護(hù)：包括對電源、對地以及輸出間短路。當(dāng)觸發(fā)過

流保護(hù)時(shí)，芯片會(huì)關(guān)閉相應(yīng)的全橋輸出 2.8ms 左右，再重新開啟，確保芯片不會(huì)因過流而損壞。

在保護(hù)狀態(tài)時(shí)，nFAULT 腳會(huì)被拉低。

典型應(yīng)用圖

封裝外形圖

QFN16 (03X03)（背部帶散熱片）

——愛研究芯片的小王

審核編輯 黃宇