臺積電將擬305億元興建廠房及建置新產能，未來或將進行新一代存儲器技術研發(fā)

晶圓代工龍頭臺積電昨（14）日召開季度例行董事會，會中決議核準約新臺幣1，364億元（約合人民幣305億元）資本預算，用來興建廠房及建置新產能，以因應市場強勁需求，并將對子公司TSMC Global Ltd.增資20億美元來降低外匯避險成本。此外，臺積公告聘任史丹佛大學電機工程系終身職教授黃漢森為技術研究組織主管，也為近期業(yè)界傳出的“臺積電9月將有新人事異動”增添想象。

臺積電創(chuàng)辦人張忠謀退休后，由劉德音接任董座，魏哲家則擔任副董事長暨總裁。近期業(yè)界傳出，劉、魏兩人的職權劃分將更明確，預計在9月進行人事改組。其中，業(yè)界點名副總經(jīng)理王建光可望主管晶圓廠營運，副總經(jīng)理王英郎將統(tǒng)籌所有12英寸廠營運。

在制程研發(fā)部份，臺積電董事會昨核準聘任黃漢森為副總經(jīng)理。黃漢森將擔任技術研究組織（Corporate Research）主管，并直接對資深副總經(jīng)理米玉杰負責。黃漢森擁有美國理海大學（Lehigh University）電機工程博士學位，在加入臺積電前，在史丹佛大學擔任電機工程系終身職教授多年。另外，他在IBM半導體部門也有16年的工作經(jīng)驗。

業(yè)界人士指出，黃漢森擅長新型態(tài)的存儲器技術研發(fā)，由于現(xiàn)階段嵌入式快閃存儲器eFlash制程技術面臨瓶頸，黃漢森應可帶領臺積電朝向新一代的嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術前進，包括嵌入式磁阻式隨機存取存儲器eMRAM技術，或是嵌入式電阻式存儲器eRRAM技術等。

臺積電昨董事會也決議核準約新臺幣1，364億元資本支出，內容包括興建廠房，建置、擴充及升級先進制程產能等，以及第四季研發(fā)資本預算與經(jīng)常性資本預算。

臺積電明年最大的投資案，就是在南科興建的5納米12英寸晶圓廠Fab 18，該廠總投資額達250億美元。臺積電7納米已全面量產，支援極紫外光（EUV）技術的7+納米已完成研發(fā)，將在明年量產。至于再下一個世代的5納米研發(fā)順利進行中，應可如預期在2020年進入量產。