2018年全球DRAM及NAND價格預測

最近，市場研究機構(gòu) Yole 發(fā)布了季度內(nèi)存相關(guān)報告，稱過去一年DRAM和NAND貢獻巨大的內(nèi)存市場，將在2018年取得類似的成功。內(nèi)存將有望占2018年半導體總收入的1/3以上，大大超過約25％的歷史平均水平。

2017年，半導體行業(yè)取得了創(chuàng)紀錄的好成績，收入超過4000億美元。隨著電子元件的應用越來越多，特別是移動和數(shù)據(jù)中心等領域，全年對半導體器件的總體需求強勁。

DRAM 價格上漲23%

根據(jù)2017年的增長趨勢推測，預計DRAM價格在2018年將上漲23％（上半年價格上漲33％/ 2H上漲16％）。此外，預計出貨量將增長22％。

這一組合將使DRAM收入從730億美元上升51％至1110億美元。 DRAM 的關(guān)鍵需求是移動和數(shù)據(jù)中心，移動需求幾乎達到40%，數(shù)據(jù)中心需求約為25%。

目前，三星、SK海力士、美光控制了大約95%的DRAM 市場。盡管資本投資接近歷史最高水平，但這三家公司都在管理自己的業(yè)務，以保持盈利。

NAND情況稍有緩和

Yole預計2018年價格下降15％，而出貨量預計增長45％。此外，預計收入將從540億美元上升到23％，達到660億美元。

其中關(guān)鍵需求部分與DRAM類似，移動占約36％的需求，數(shù)據(jù)中心（企業(yè)SSD）約占需求的21％，PC（客戶端SSD）約占需求的24％。 預計總體SSD需求將達到NAND總需求的約45％。

NAND的競爭格局依然非?；钴S。三星正在平澤市投資建設新晶圓廠；英特爾正在成為一個重要的中國市場供應商；東芝內(nèi)存業(yè)務確認出售給貝恩資本（Bain Capital）領導的財團。

競爭格局將生變

Yole表示，中國在內(nèi)存領域的投入（長江存儲和其他諸多項目），將有可能破壞目前的競爭格局。

來源： YoleDéveloppement，2018年6月

除了手機、數(shù)據(jù)中心和固態(tài)硬盤之外，人工智能和物聯(lián)網(wǎng)預計將成為內(nèi)存市場強勁的需求推動力，從2018年開始并延伸到未來。雖然邊緣計算的出現(xiàn)會降低每個設備的內(nèi)存容量，但整體設備的大幅增加將導致巨大的內(nèi)存需求。

雖然中國有可能影響內(nèi)存市場競爭格局，然而距今仍需要幾年時間。到目前為止，中國已經(jīng)投資數(shù)十億美元來推動內(nèi)存行業(yè)的發(fā)展。例如長江存儲及其NAND產(chǎn)品將率先進入內(nèi)存市場，2018年底/ 2019年初推出產(chǎn)品。Yole認為，長江存儲仍需要幾年的時間才能趕上老牌廠商。

另外，合肥長鑫和福建晉華項目也取得一定進展，合肥長鑫有希望于今年年底，誕生首個自主研發(fā)的DRAM芯片，晉華項目預計2018年8月正式投產(chǎn)。

總體來說，近幾年內(nèi)存市場格局基本維持目前狀況，根據(jù)Yole 預測2018年DRAM價格將上漲23%，NAND價格下降15％。