惠威SWANS G2音箱的制作,SWANS G2 Speaker
關(guān)鍵字:惠威SWANS G2音箱的制作
惠威SWANS G2音箱的制作
作者:毛冬
筆者在2003年DIY了一對惠威“SS6.5R+SS1Ⅱ”6英寸書架箱,先后調(diào) 試一年有余??傮w感覺聽人聲還將就湊合,高音始終有一層朦朧感,低頻無法滿足要求。筆者喜歡聽DISCO之類的大動態(tài)音樂,對專業(yè)音響的高能量、高穿透力回味不已,那是一種空氣都為之振顫的強(qiáng)大低頻空間啊。經(jīng)過左思右想。決定還得用另外一對強(qiáng)悍的音箱來滿足對DISCO的熱衷追求!
通過查尋近10年大口徑二分頻書架箱的身影,結(jié)合目前市面還能采購到的喇叭單元,權(quán)衡功率、頻響、音色等因素。最終鎖定惠威天鵝系列G2型音箱。該音箱低頻采用惠威“SS8IIN”,高頻采用惠威帶式高音“RT2C—A”。
接下來就是圍繞“SS8IIN”和“R他C—A”這兩只單元的參數(shù)進(jìn)行箱體設(shè)計與制作了。
“SSSIIN”是一只222mm的大8英寸低音單元,比普通8英寸單元大上一圈??趶降皖l輻射更好!阻抗8Ω、功率額定60W(最大120W)。諧振頻率29Hz.靈敏度90dB。
“RT2C—A”是惠威首創(chuàng)的帶式高音技術(shù)典范。還入選德國柏林之聲揚(yáng)聲器核心單元,頻響下限達(dá)到1000Hz。號稱可以搭配任何低頻單元,靈敏度高達(dá)93dB。從頻響曲線看,10kHz以上有較大的衰減,最終調(diào)試時應(yīng)該考慮作一定的補(bǔ)償處理。阻抗也是8Ω,這點(diǎn)跟低頻單元一致,分頻器在阻抗協(xié)調(diào)上可以不用考慮過多。功率額定30W(最大60W),這比“SS1Il”的15W高多了,該高頻單元采用的鋁質(zhì)面板,厚重踏實。
箱體采用倒相式結(jié)構(gòu)。低頻單元手冊推薦箱體凈容積為40L,考慮到體積較大,從箱聲密度調(diào)試角度以及人聲定位來看,最后縮小到27L左右:之前的“SS6.5R+SS1II”
因為體積和單元排列原因。采用的“背倒相”。箱體用27mm的中纖板。
面板挖沉孔,表面貼術(shù)皮。倒相管兩只箱體鏡像排列,與杜希2.1類似。單只箱體重量12kg,在后來的試聽中驗證了箱體的剛性,板厚確實有板厚的道理。大動態(tài)低頻震撼時箱體側(cè)板的震動比“SS6.5R+SS1II”這對6英寸箱還輕微。倒相管選用惠威原廠規(guī)格??趶?0mm長度250mm的成品,因為從箱體體積、單元口徑、低頻下限等綜合考慮,該規(guī)格的倒相管最適合需求。
倒相管的口徑跟長度是一對矛盾,沒有固定的值,它們的組合值才是最后箱體需要的綜合值,它們將共同決定整個音箱系統(tǒng)的諧振頻率。
裝箱完畢。接上功放。試聽聲音,首先感受到帶式高頻的清澈度確實無可挑剔,非常具有穿透力。
同時,感覺其高頻與聽?wèi)T的SS1II不同,帶式清澈的高頻是在一股能量感的護(hù)送下展現(xiàn)出來的。相比惠威的Q1高音又有不同。Q1的風(fēng)格則表現(xiàn)為毫發(fā)畢現(xiàn)。帶式高音的風(fēng)。
格要更加硬朗、更加具有能量感與穿透感,DISCO正好需要這樣的穿透力,不過高音指向性卻太過明顯,只有腦袋處于高音喇叭中線時才會有正確的靈敏度體現(xiàn)。稍微偏移一點(diǎn)就立刻感覺聲像遠(yuǎn)離了自己。其次對低頻單元的聽感很滿意。低頻下限可以潛很深。其低頻動態(tài)、厚度、圓潤度、豐滿度、密度感讓我喜出望外。但是目前高頻單元與低頻單元的頻響銜接處于一種各自為政的狀態(tài)。這顯然是分頻器的問題,需要從分頻器下手來解決。
分析原因。因為采用的M1.2套件分頻器,其原配低頻單元應(yīng)為F6的6英寸喇叭。查找F6的參數(shù)。靈敏度是88dB,SS8IIN是90dB,那么其間就有2dB是多衰減掉的。分頻器無說明書。不知分頻點(diǎn)在何處,依據(jù)分頻器實物圖畫出電路圖(見圖1),將R1去掉,暫時用一段***音箱線將其短路,試聽。高頻靈敏度有所提高,但還提高得不夠。
再次將R5去掉。這是在DIY“SS6.5R+SSIII”6英寸箱時得到的體會,與高頻單元并聯(lián)的這只R5電阻。非常影響高頻的通透感。即使在串聯(lián)通道上一只電阻也不串。
錯誤的加裝了R5這只電阻的話,都會給高頻通透感帶來致命的朦朧因素。這只電阻通常是搭配R1做相應(yīng)的阻抗補(bǔ)償,而當(dāng)高頻單元與低頻單元的阻抗本身就很般配的時候,是不需要做這些畫蛇添足考慮的,故取掉。此時朦朧感消失。聲音立刻通透起來,但是耳朵感覺靈敏度仍然還沒有上升到正確的響度。通過計算。串聯(lián)通道上的“R1”1.5Ω值大約可以對高頻衰減1.8dB的量,而并聯(lián)通道上的“R5”
15Ω值是配合串聯(lián)通道上衰減大約3.5dB量的阻抗補(bǔ)償。那么串聯(lián)通道上的R2、R3與C4并聯(lián),又是出于伺等考慮呢?參閱高頻單元頻響曲線圖,10kHz以上有很明顯的衰減,C4應(yīng)該是讓某一頻段不受R2與R3衰減的影響而直通。計算“C4”0.47μF司以讓23kHz以上部分直通。23kHz頻點(diǎn)顯然與該單元所需要補(bǔ)償?shù)念l響曲線段毫不相干。提升23kHz有何用呢?C4我重新考慮。結(jié)合高頻單元10kHz以上衰減明顯。那么就計算C4讓10kHz以上直通,考慮到斜率。直通轉(zhuǎn)折點(diǎn)沒有直接選在10kHz處而選在14kHz處。因為10Hz-14kHz是一個下降沿。無論下降沿的陡或者緩,3kHz-10kHz之問都處在90dB以上,最終都將是要衰減掉的。因為衰減的標(biāo)準(zhǔn)將以低頻單元的90dB為依據(jù)。多出的都要衰減掉才能讓整個頻響達(dá)到平衡。同時。入耳對高頻感覺遲鈍。選擇14kHz處的91dB作為衰減斜率折點(diǎn)也不會顯得衰減過早。反而可以讓聽感上更趨于平衡。最終計算出C4的值為1μF。
而R2和R3分別是10Ω。
并聯(lián)后就是5Ω,計算出串聯(lián)通道上5Ω的電阻值將是衰減8dB之多的靈敏度,嚴(yán)重過量,不知M1.2怎么會衰減如此之多,不管怎么說。試著根據(jù)自己的思路去衰減3dB。先后用了1.5Ω、2Ω、2.7Ω三支電阻分別焊到分頻器上,最后感覺2Ω的聽感最正確。
此時感覺整個箱體靈敏度已經(jīng)平和,人聲以上頻響部分順耳了。但是中頻人聲部分就顯得很“打耳”。
也就是顯得頻響過于突出。整個聲音聽起來有些怪怪的。主要還是集中在中頻人聲段。
再次查找原因。翻出高低頻單元的說明書、頻響曲線圖再次仔細(xì)查閱,突然發(fā)現(xiàn)高頻單元參數(shù)框內(nèi)的廠家推薦分頻點(diǎn)變成了“大于3000Hz”,趕緊去問經(jīng)銷商,得到的答案是:該款高頻單元曾于2000年與2002年分別改款過兩次,之前看到的應(yīng)該是老資料了。照這樣看來, “RT2C—A”和“SS8IIN”的中頻部分?jǐn)嚅_了大約有400Hz的空缺量。當(dāng)然是銜接不起了嘛。怪不得聲音會這樣。
從“SSSIIN”的整個頻段來看,100Hz-2600Hz是一段極其平坦優(yōu)秀的曲線。這也正是當(dāng)初看中這款低頻單元的原因之?,F(xiàn)在看來。H要能將3.2kHz處的波峰處理平坦,那么至少可以將上限提高到3.2kHz。通過對“SSSIIN”的頻響曲線圖作虛線延伸參考分析,降峰的斜率轉(zhuǎn)折頻點(diǎn)選在4,5kHz處。這比3.2kHz的1.5倍頻點(diǎn)4.8kHz更加保守。而分頻器低頻部分并聯(lián)通道中的“R6串聯(lián)C5、C6”這個電路結(jié)構(gòu),似乎就是為降服這個波峰而準(zhǔn)備的。只是取值大不同而已。通過計算,用2.2μF與1.8μF并聯(lián)代替C5、C6,而R6則用10Ω?,F(xiàn)在波峰平了。低頻單元上限估計已經(jīng)到達(dá)3.5kHz左右。再次試聽,意外的發(fā)現(xiàn)“凹陷”部分“填平了”。但是“打耳”部分依然存在。分析降峰成功。延伸了低頻單元上限段。成功與高頻單元平穩(wěn)銜接。
“凹陷”故此不存在了,所以聽感上只剩下“打耳”這個問題。為什么“打耳”?是某個頻段過于突出,才會造成聽感過于受到刺激,而且是不夠耐聽的頻段,反復(fù)試聽不同的試音信號,最后分析應(yīng)該是分頻器高頻部分串聯(lián)通道的耦合電容太大了,C1、C2、C3并聯(lián)相加值高達(dá)15.3μF了,按高頻單元說明書推薦分頻點(diǎn)3000Hz~十算。用3.6μF法的電容焊接于此。再試聽。問題大為改善。試將分頻點(diǎn)改在3.2kHz處,“打耳”問題基本解決了,音箱聽起來更加有質(zhì)感,整個頻響更加平衡!接下來調(diào)整吸音棉與倒相管。開始除了而板內(nèi)側(cè)以外的其他所有而都圍繞一圈吸音棉。但低頻出來非常的“干涸”,沒有豐潤感:然后減少吸音棉的量。重新剪裁吸音棉尺寸,做到只覆蓋背板與面板。
最后再試聽,平衡了,低頻下潛的深度和聽感非常好。在播放人聲時細(xì)膩感較欠缺。
再次分析分頻器電路,眼睛落到R4與L3這對串聯(lián)元件上。如果單從L3來說,L3是起到與c1、c2、C3桐同的分頻作用,共同達(dá)到二階分頻的電路結(jié)構(gòu)。但加入的R4.
就讓單純的13調(diào)節(jié)功能更加豐富,而13的值在業(yè)余情況下未知。增大R4的值將減小L3所對應(yīng)的某一頻點(diǎn)以下頻段的旁路量,同理,減小R4的值得到相反的效果。首先斷開R4與L3的連接,也就是將分頻器變?yōu)橐浑A分頻,再結(jié)合耳朵對聲音變化部位的記憶。已經(jīng)大概鎖定這個R4所決定的聲音表現(xiàn)范疇在哪個頻率段位了。嘗試將R4加大到3n一試,一開聲立刻感到驚喜。
果真這個R4是問題的根源所在啊。圖2為最終調(diào)試結(jié)果電路圖。圖3、圖4為頻響曲線。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2,提高系統(tǒng)功率密度
半導(dǎo)體器件 650 V產(chǎn)品組合。 這兩個產(chǎn)品系列基于CoolSiC 第2代(G2)技術(shù),在性能、可靠性和易用
貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
2024 年 7 月 24 日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2
發(fā)表于 07-25 16:14
?620次閱讀
英飛凌CoolSiC? MOSFET G2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)
靠性。在碳化硅材料中,垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優(yōu)化潛力。 安富利合作伙伴英飛凌推出的CoolSiC MOSFET G2溝槽技術(shù)繼承了G1的高可靠性。 基于所有已售出的CoolSiC MOSFET
發(fā)表于 05-16 09:54
?520次閱讀
晶科能源首臺5MWh大儲系統(tǒng)藍(lán)鯨-SunTera G2在海寧尖山基地正式下線
4月25日,晶科能源首臺5MWh大儲系統(tǒng)藍(lán)鯨-SunTera G2在海寧尖山基地正式下線。
基于EZ-PD和HybridPACK Drive G2方案 改善的車輛內(nèi)部和外部的設(shè)備電源性能
英飛凌科技公司宣布推出兩種新的電動汽車和車內(nèi)電子設(shè)備電源解決方案,進(jìn)一步豐富了其汽車電源電子產(chǎn)品組合。這些新的解決方案EZ-PD和HybridPACK驅(qū)動G2,為設(shè)計人員提供了改善的車輛內(nèi)部和外部
鎧俠推出EXCERIA G2極至瞬速SD存儲卡,支持4K視頻錄制
據(jù)悉,近日鎧俠發(fā)布了EXCERIA G2極至瞬速SD存儲卡,這是其旗艦EXCERIA SD系列的全新一代產(chǎn)品,新增了對4K視頻錄制的支持。
全面提升!英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC MOSFET G2
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù),據(jù)官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù),相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1有
英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進(jìn)一步推動碳化硅技術(shù)的發(fā)展
碳化硅(SiC)技術(shù)一直是推動高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵,英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代(G2)技術(shù),也是要在這個領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標(biāo),擴(kuò)大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領(lǐng)域的市場份額。
RZ/G2L RZ/G2LC RZ/G2UL RZ/G3S靈活軟件包應(yīng)用說明
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《RZ/G2L RZ/G2LC RZ/G2UL RZ/G3S靈活軟件包應(yīng)用說明.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-14 10:46
?1次下載
ad7195配置寄存器G0位不能修改是什么原因?
ad7195配置寄存器默認(rèn)值x0 000117,我讀出是x0 000116,寫入x0 000117讀出還是x0 000116,G0位始終修改不了。
讀寫別的寄存器都正常。數(shù)據(jù)寄存器正常。我要把增益設(shè)置128倍G2=1 G1=1
發(fā)表于 12-13 06:26
RZ/G2系列微處理器解決方案
在工業(yè)自動化和樓宇自動化應(yīng)用方面,使用嵌入式控制器的開發(fā)者追求著更高的性能表現(xiàn)、更高的可靠性和長期的軟件支持。為了滿足這些要求,我們提供了一套RZ/G2系列微處理器(MPU)和一個工業(yè)Linux軟件包,其內(nèi)核能夠提供超過10年的長期支持。
求助,關(guān)于程控放大器LTC6911芯片G0控制腳壓降的問題
求助:如圖,使用SN74LVC4245a將3.3V轉(zhuǎn)換成5V,并與LTC6911芯片的G2、G1、G0控制引腳直接相連,其中G2、G1腳為4
發(fā)表于 11-17 07:43
評論