在技術(shù)進步和低碳化日益受到重視的推動下,電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡,同時兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前,英飛凌正在通過采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封裝的兩個全新產(chǎn)品系列,擴展其 CoolSiC MOSFET分立式半導(dǎo)體器件 650 V產(chǎn)品組合。這兩個產(chǎn)品系列基于CoolSiC 第2代(G2)技術(shù),在性能、可靠性和易用性方面均有顯著提升,專門用于中高檔開關(guān)模式電源(SMPS),如AI服務(wù)器、可再生能源、電動汽車充電器、大型家用電器等。
該系列的Thin-TOLL封裝外形尺寸為 8x8 mm,具有市場上同類產(chǎn)品中領(lǐng)先的板上熱循環(huán)(TCoB)能力。TOLT 封裝是一種頂部散熱(TSC)封裝,其外形尺寸與 TOLL相似。這兩種封裝都能為開發(fā)者帶來諸多優(yōu)勢。例如,在AI和服務(wù)器電源裝置(PSU)中采用這兩種封裝,可以減少子卡的厚度和長度并允許使用扁平散熱器。微型逆變器、5G PSU、電視 PSU 和 SMPS通常采用對流冷卻,Thin-TOLL 8x8封裝用于這些應(yīng)用時,可以更大程度地減少主板上電源裝置所占的PCB面積。與此同時,TOLT還能控制設(shè)備的結(jié)溫。此外,TOLT 器件還與英飛凌采用Q-DPAK封裝的 CoolSiC 750 V這一頂部散熱CoolSiC 工業(yè)產(chǎn)品組合形成了互補。當器件所需的電源不需要Q-DPAK封裝時,開發(fā)者可使用TOLT器件減少SiC MOSFET占用的 PCB 面積。
供貨情況
采用 Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝的 650 V G2 CoolSiC MOSFET目前的RDS(on) 為20、40、50 和 60 mΩ。TOLT系列還推出了RDS(on) 為15 mΩ的型號。到2024年底,該產(chǎn)品系列將推出更多型號。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
原文標題:英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2,提高系統(tǒng)功率密度
文章出處:【微信號:儒卓力,微信公眾號:儒卓力】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
相關(guān)推薦
Navitas半導(dǎo)體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET,新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)
發(fā)表于 08-05 11:25
?313次閱讀
2024 年 7 月 24 日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2
發(fā)表于 07-25 16:14
?620次閱讀
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET
發(fā)表于 05-24 10:13
?789次閱讀
靠性。在碳化硅材料中,垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優(yōu)化潛力。 安富利合作伙伴英飛凌推出的CoolSiC
發(fā)表于 05-16 09:54
?518次閱讀
英飛凌科技股份公司,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-
發(fā)表于 03-20 10:27
?737次閱讀
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員
發(fā)表于 03-20 08:13
?441次閱讀
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù),據(jù)官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC
發(fā)表于 03-19 18:13
?2840次閱讀
英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET,滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш?b class='flag-5'>功率密度的不斷增長需求。這款產(chǎn)品系列包含
發(fā)表于 03-15 16:31
?567次閱讀
? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴格的高電壓和開關(guān)頻率要求,也不會降低系統(tǒng)可靠性。Co
發(fā)表于 03-14 11:07
?690次閱讀
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET
發(fā)表于 03-12 09:43
?631次閱讀
碳化硅(SiC)技術(shù)一直是推動高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵,英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代(
發(fā)表于 03-12 09:33
?755次閱讀
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換
發(fā)表于 03-12 08:13
?457次閱讀
另外,CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導(dǎo)通電阻值(Rdson),這大大提高了能效、功率密度,
發(fā)表于 03-10 12:32
?994次閱讀
模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設(shè)計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。該封裝
發(fā)表于 12-05 17:03
?793次閱讀
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用新
發(fā)表于 12-02 08:14
?690次閱讀
評論