英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品

英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。

該產(chǎn)品的推出，不僅是對(duì)市場(chǎng)需求的精準(zhǔn)把握，更是英飛凌在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累和創(chuàng)新能力的體現(xiàn)。CoolSiC? 2000V SiC MOSFET作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000V的碳化硅分立器件，其高電壓和開(kāi)關(guān)頻率性能尤為突出，即使在嚴(yán)格的工作環(huán)境下，也能確保系統(tǒng)的可靠性不受影響。

而它采用的TO-247PLUS-4-HCC封裝，具有出色的電氣性能，爬電距離和電氣間隙分別為14mm和5.4mm，為產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中的穩(wěn)定工作提供了有力保障。此外，該半導(dǎo)體器件的較低開(kāi)關(guān)損耗，使其特別適用于太陽(yáng)能（如組串逆變器）、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車(chē)充電等應(yīng)用，有效提升了這些領(lǐng)域的能效表現(xiàn)。

英飛凌的這一創(chuàng)新產(chǎn)品，不僅滿足了市場(chǎng)對(duì)高功率密度、高電壓和高開(kāi)關(guān)頻率的需求，更以其卓越的性能和可靠性，推動(dòng)了太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車(chē)充電等領(lǐng)域的快速發(fā)展。未來(lái)，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的持續(xù)擴(kuò)大，我們有理由相信，英飛凌將繼續(xù)以其創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案，引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和體驗(yàn)。