英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

英飛凌最近發(fā)布了全新的750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。

這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化的工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET。

這些MOSFET廣泛適用于工業(yè)領(lǐng)域的典型應(yīng)用，如電動汽車充電、工業(yè)驅(qū)動器、太陽能和儲能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等，以及汽車領(lǐng)域的應(yīng)用，如車載充電器(OBC)、直流-直流轉(zhuǎn)換器等。

CoolSiC MOSFET 750V G1系列產(chǎn)品的特點在于出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss優(yōu)值(FOM)，無論是在硬開關(guān)還是軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)下，都具備極高的效率。獨特的高閾值電壓(VGS(th)，典型值為4.3V)結(jié)合低QGD/QGS比率，具有對寄生導(dǎo)通的高度穩(wěn)健性，并實現(xiàn)了單極柵極驅(qū)動，不僅提高了功率密度，還降低了系統(tǒng)成本。所有半導(dǎo)體器件采用英飛凌獨特的芯片連接技術(shù)，賦予了芯片出色的熱阻，確保了高度可靠性。同時，優(yōu)化設(shè)計的柵極氧化層和英飛凌的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)也保證了長期穩(wěn)定的性能。

全新的CoolSiC MOSFET 750V G1產(chǎn)品系列在25°C時的RDS(on)范圍為8至140 mΩ，能夠滿足各種需求。其設(shè)計具有較低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，大幅提升了整體系統(tǒng)效率。創(chuàng)新的封裝設(shè)計進(jìn)一步減小了熱阻，有助于改善散熱并優(yōu)化電路內(nèi)的功率環(huán)路電感，實現(xiàn)了高功率密度的同時降低了系統(tǒng)成本。值得一提的是，該產(chǎn)品系列還采用了先進(jìn)的QDPAK頂部冷卻封裝。

適用于汽車應(yīng)用的CoolSiC MOSFET 750V G1采用了QDPAK TSC、D2PAK-7L和TO-247-4封裝;而適用于工業(yè)應(yīng)用的CoolSiC MOSFET 750V G1則采用了QDPAK TSC和TO-247-4封裝。這些封裝選擇為用戶提供了更多的靈活性和便利性，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

英飛凌的750V G1分立式CoolSiC MOSFET系列產(chǎn)品的推出將進(jìn)一步推動工業(yè)和汽車領(lǐng)域的發(fā)展，滿足了市場對更高能效和功率密度的迫切需求。這將為用戶帶來更高的性能和可靠性，助力實現(xiàn)新能源和智能交通等領(lǐng)域的創(chuàng)新和進(jìn)步。

通過推出全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1系列產(chǎn)品，英飛凌為汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展帶來了革新。這一系列產(chǎn)品將進(jìn)一步推動工業(yè)和汽車領(lǐng)域的發(fā)展，滿足了市場對更高能效和功率密度的迫切需求。這將為用戶帶來更高的性能和可靠性，助力實現(xiàn)新能源和智能交通等領(lǐng)域的創(chuàng)新和進(jìn)步，帶來了實實在在的利益。